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公开(公告)号：CN111076836A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911288910.3
申请日：2019-12-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种金属-氧化物型薄膜热电偶及其制备方法，包括基底以及位于基底上的钨铼26薄膜区及氧化铟薄膜区，其中，钨铼26薄膜区与氧化铟薄膜区相接触，该热电偶具有耐高温及高热电输出能力的特点，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN107014410A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710209760.7
申请日：2017-03-31
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01D5/353
CPC分类号： G01D5/35312
摘要： 本发明公开了一种用于光纤F‑P传感器制作的光纤对中和腔长控制装置及方法，通过光纤夹具对光纤进行夹紧，通过陶瓷管夹具对陶瓷管夹紧，通过测微尺调节两个光纤夹具的位置，通过光栅尺记录移动距离，使两个光纤与陶瓷管对中并粘接，完成光纤F‑P传感器的制作。本装置体积小，便于移动，在大大降低成本的同时又增加了实际应用中的便捷性；在保证对中性和腔长的前提下，降低了对操作人员操作水平的要求。
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公开(公告)号：CN106840438A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710100938.4
申请日：2017-02-23
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01K7/12
CPC分类号： G01K7/12
摘要： 本发明公开了一种基于微流道的钨铼薄膜温度传感器冷端补偿结构，包括热电偶和冷端温度补偿模块；热电偶包括设有热电偶冷端微流道的基底；冷端微流道采用针翅式微流道结构；冷端温度补偿模块包括补偿导线、第一放大器、第二放大器、冷端温度传感器、微控制器和显示模块；微控制器对来自热电偶的电压和冷端温度传感器所输入的电压进行综合处理，转换成温度信号通过显示模块实时显示所测温度。本发明将微流道应用于热电偶基底的冷端部位上并与冷端温度补偿模块相结合，解决了补偿导线与钨铼薄膜热电偶连线的高温失效问题，对热电偶的冷端温度进行补偿，提高了所测温度信号的精度和可靠性，实现精确可靠的高温测量。
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公开(公告)号：CN106591807A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611251614.2
申请日：2016-12-29
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： C23C18/1216
摘要： 本发明公开了一种多铁性复合磁电薄膜及其制备方法，所述磁电复合薄膜包括(001)PMN‑PT衬底以及沉积在该衬底上的锰镧氧化物薄膜(La1‑xRexMnO3，Re＝Sr，Ca，Ba等)，属于薄膜技术领域。所述方法为采用湿化学方法(溶胶凝胶法)在(001)PMN‑PT衬底上制备锰镧氧化物外延薄膜，包括前驱体溶液的配制，PMN‑PT衬底的预处理，以及薄膜在衬底基片上的沉积和热处理，最终获得所需要的复合磁电薄膜。本发明公布的锰镧氧化物/(001)PMN‑PT复合磁电薄膜具有铁磁性能、电输运及庞磁阻效应，在磁电阻传感器、铁磁薄膜器件，自旋电子器件和磁存储材料等信息工业和器件中具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN103572370B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310521706.8
申请日：2013-10-29
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种镱酸铋单晶外延薄膜及其制备方法，采用聚合物辅助沉积，以无机镱盐和无机铋盐为原料，EDTA和PEI为辅助聚合物，通过化学合成工艺先得到稳定的聚合物辅助前躯体溶液，利用匀胶旋涂或者浸涂工艺沉积在单晶衬底表面，再经过高温热处理最终获得外延生长的镱酸铋单晶薄膜。所制备出的镱酸铋单晶薄膜为具有单晶结构的外延材料，沿（002）晶面生长，居里温度较高（大于550℃），可见光范围内的平均相对透过率超过85%。
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公开(公告)号：CN105300544A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510776351.6
申请日：2015-11-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明涉及一种氧化物薄膜型热电偶及其制备方法，采用磁控溅射工艺，在高温陶瓷基片上沉积制备可用于高温温度测量的氧化物薄膜热电偶，并采用涂敷氧化物保护层，改善氧化物薄膜热偶的热挥发性，提高热偶的使用性能。该薄膜热电偶采用直接贴装在陶瓷基片表面，可用于真空和氧化气氛中，能够在1000℃-1250℃高温下长期稳定工作。
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公开(公告)号：CN103227281B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310128177.5
申请日：2013-04-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 用不同粒径KNN粉体制备铌酸钾钠-钛酸铋钠（KNN-BNT）无铅压电复合厚膜的方法，将硝酸铋的乙二醇甲醚溶液、乙酸钠溶液以及钛酸四正丁酯混合溶液在80-100℃下搅拌后冷却至室温，得到钛酸铋钠先驱体溶胶；将碳酸钾、碳酸钠以及五氧化二铌球磨均匀，然后干燥压片，再烧结成铌酸钾钠坯体；将铌酸钾钠坯体球磨，得到铌酸钾钠粉体；将铌酸钾钠粉体和钛酸铋钠先驱体溶胶混合后加入聚乙烯吡咯烷酮，球磨均匀并搅拌，得到稳定的混合浆料，重复旋涂工艺-热处理工艺，得到呈现纯钙钛矿相结构的铌酸钾钠-钛酸铋钠无铅压电复合厚膜。本发明能够有效降低厚膜的烧结温度，降低钠、铋元素的挥发，提高厚膜的介电、铁电、压电性能。
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公开(公告)号：CN103121670B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310053286.5
申请日：2013-02-19
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明公开了一种远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法，其以液态苯作为C源，使用PEALD设备进行ALD模式的石墨烯生长，以远程等离子体作为PEALD的另外一种源获得低温生长；以铜箔为基底，反应前采用3kW的大功率H2/Ar等离子体对Cu基底表面进行清洗和还原，去除Cu基底表面的污物和氧化层。本发明通过远程等离子体增强原子层沉积系统（PEALD）来实现单层和多层生长，能够精确控制石墨烯厚度，所制备石墨烯结晶度和纯度较高高，并且制备石墨烯所需制备温度低。
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公开(公告)号：CN103572370A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310521706.8
申请日：2013-10-29
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种镱酸铋单晶外延薄膜及其制备方法，采用聚合物辅助沉积，以无机镱盐和无机铋盐为原料，EDTA和PEI为辅助聚合物，通过化学合成工艺先得到稳定的聚合物辅助前躯体溶液，利用匀胶旋涂或者浸涂工艺沉积在单晶衬底表面，再经过高温热处理最终获得外延生长的镱酸铋单晶薄膜。所制备出的镱酸铋单晶薄膜为具有单晶结构的外延材料，沿（002）晶面生长，居里温度较高（大于550℃），可见光范围内的平均相对透过率超过85%。
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公开(公告)号：CN103227281A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310128177.5
申请日：2013-04-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 用不同粒径KNN粉体制备铌酸钾钠-钛酸铋钠（KNN-BNT）无铅压电复合厚膜的方法，将硝酸铋的乙二醇甲醚溶液、乙酸钠溶液以及钛酸四正丁酯混合溶液在80-100℃下搅拌后冷却至室温，得到钛酸铋钠先驱体溶胶；将碳酸钾、碳酸钠以及五氧化二铌球磨均匀，然后干燥压片，再烧结成铌酸钾钠坯体；将铌酸钾钠坯体球磨，得到铌酸钾钠粉体；将铌酸钾钠粉体和钛酸铋钠先驱体溶胶混合后加入聚乙烯吡咯烷酮，球磨均匀并搅拌，得到稳定的混合浆料，重复旋涂工艺-热处理工艺，得到呈现纯钙钛矿相结构的铌酸钾钠-钛酸铋钠无铅压电复合厚膜。本发明能够有效降低厚膜的烧结温度，降低钠、铋元素的挥发，提高厚膜的介电、铁电、压电性能。
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