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公开(公告)号：CN110806506A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911012542.X
申请日：2019-10-23
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种用于射频频段电接触元件的接触阻抗测量系统及方法，其采用单频信号激励待测接触元件，利用调零单元将反射信号中由其他结构产生的响应扣除以提高测量灵敏度，通过测量调零单元输出信号的幅度和相位，计算待测接触元件的接触阻抗。本发明提取的电接触元件的接触阻抗能够用于射频系统阻抗失配、无源互调和辐射杂散干扰等问题的仿真设计以及评估不同接触元件电连接质量的优劣，从而指导射频系统设计。
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公开(公告)号：CN106643587B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610825264.X
申请日：2016-09-14
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明公开了一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法，包括如下步骤：选取与待测样品工艺参数相同的样品作为校准样品；测量校准样品的方块电阻、膜厚、插损；依据校准样品测试数据获得金属薄膜插损‑膜厚关系曲线；测量待测样品的插损；依据插损‑膜厚关系曲线和待测样品的插损计算得到待测样品的金属薄膜厚度。本发明实现无损测量金属膜厚，而且能广泛应用于集成电路、太阳能电池、探测器等领域，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN102515085B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
申请人： 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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公开(公告)号：CN102795591A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
申请人： 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN102515085A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
申请人： 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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公开(公告)号：CN109781759B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811629995.2
申请日：2018-12-28
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01N23/225 , G01B15/00
摘要： 本发明公开了一种电子枪束斑尺寸的测量装置及方法，包括样品位移台、放置于样品位移台上的束斑探测器以及测量束斑探测器在不同位置处时的二次电子发射系数的二次电子发射系数测量装置，待测电子枪位于束斑探测器的正上方，且待测电子枪发射电子的方向垂直于束斑探测器的上表面，该装置及方法能够较为准确的测量电子枪束斑的尺寸。
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公开(公告)号：CN106643587A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610825264.X
申请日：2016-09-14
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01B15/02
CPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明公开了一种基于微波透射法的金属薄膜厚度测量方法，包括如下步骤：选取与待测样品工艺参数相同的样品作为校准样品；测量校准样品的方块电阻、膜厚、插损；依据校准样品测试数据获得金属薄膜插损‑膜厚关系曲线；测量待测样品的插损；依据插损‑膜厚关系曲线和待测样品的插损计算得到待测样品的金属薄膜厚度。本发明实现无损测量金属膜厚，而且能广泛应用于集成电路、太阳能电池、探测器等领域，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN108008190A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711244011.4
申请日：2017-11-30
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于微波信号的非接触式导电薄膜方块电阻测量方法，包括如下步骤：选取方块电阻值稳定的样品作为校准样品；测量校准样品的方块电阻、散射参数特性；依据校准样品测试数据获得金属薄膜散射参数-方块电阻关系曲线；测量待测样品的散射参数特性；依据薄膜散射参数-方块电阻关系曲线和待测样品的散射参数计算得到待测样品的薄膜方块电阻。本发明实现无损测量导电薄膜方块电阻，而且能广泛应用于集成电路、太阳能电池、探测器等领域，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN102795591B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
申请人： 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN110806506B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201911012542.X
申请日：2019-10-23
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种用于射频频段电接触元件的接触阻抗测量系统及方法，其采用单频信号激励待测接触元件，利用调零单元将反射信号中由其他结构产生的响应扣除以提高测量灵敏度，通过测量调零单元输出信号的幅度和相位，计算待测接触元件的接触阻抗。本发明提取的电接触元件的接触阻抗能够用于射频系统阻抗失配、无源互调和辐射杂散干扰等问题的仿真设计以及评估不同接触元件电连接质量的优劣，从而指导射频系统设计。
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