微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法

    公开(公告)号:CN102515085B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201110359776.9

    申请日:2011-11-14

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法,包括以下步骤:在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构;选定不同的测试条件,该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状;利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下,电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程,得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额;根据上述二次电子发射产额规律,利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状,深宽比及孔隙率,使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高;更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构,对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略,解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。

    一种利用规则阵列结构减小金属二次电子发射系数的方法

    公开(公告)号:CN102795591A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201210215615.7

    申请日:2012-06-27

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现,典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构,结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版,规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下,圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面;对于同一种阵列结构,深宽比越大,孔隙率越大,SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值,即在不改变部件表面金属材料前提下,通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY,从而较大幅度抑制微放电效应。同时,该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合,具有一定的普适性。

    微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法

    公开(公告)号:CN102515085A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110359776.9

    申请日:2011-11-14

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法,包括以下步骤:在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构;选定不同的测试条件,该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状;利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下,电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程,得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额;根据上述二次电子发射产额规律,利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状,深宽比及孔隙率,使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高;更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构,对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略,解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。

    一种利用规则阵列结构减小金属二次电子发射系数的方法

    公开(公告)号:CN102795591B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201210215615.7

    申请日:2012-06-27

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现,典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构,结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版,规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下,圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面;对于同一种阵列结构,深宽比越大,孔隙率越大,SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值,即在不改变部件表面金属材料前提下,通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY,从而较大幅度抑制微放电效应。同时,该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合,具有一定的普适性。

    基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法

    公开(公告)号:CN115261776B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202210869639.8

    申请日:2022-07-22

    IPC分类号: C23C8/36

    摘要: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法,采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面,通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理,利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短,通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性,所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料,等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。

    一种微波部件微放电阈值确定方法

    公开(公告)号:CN117454599A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311255108.0

    申请日:2023-09-26

    摘要: 一种微波部件微放电阈值确定方法,包括如下步骤:(1)对种子电子状态初始化;(2)分析微波部件内部电磁场;(3)设定时间步长,推进电子运功轨迹;(4)判断电子是否与微波部件表面碰撞,若不碰撞返回(3);(5)计算发射二次电子能量、角度以及电子与材料作用时间;(6)更新电子状态;(7)判断电子是否达到设定仿真周期;(8)根据电子数目随时间变化趋势判断是否发生微放电。本发明方法更加客观、准确地表征了高频段下微放电效应发生的物理过程,可用于高频段微波部件的抗微放电设计。

    一种基于FPGA的多片高速DAC同步系统

    公开(公告)号:CN113708764B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202110871509.3

    申请日:2021-07-30

    IPC分类号: H03M1/12

    摘要: 本发明公开了一种基于FPGA的多片高速DAC同步系统,包括:同步检测模块,用于对若干片高速DAC器件进行同步性检测,根据同步性检测结果,生成并输出复位使能信号;以及,生成并输出相位调整信号;DAC复位模块,用于复位信号RST的产生与相位调整;数据相位调整模块,用于根据相位调整信号对各高速DAC器件的输入数据进行相位调整;采样时钟产生模块,用于产生各高速DAC器件的采样时钟和FPGA的数据时钟;高速DAC器件,用于在相位调整后的复位信号的驱动下进行复位;以及,在采样时钟控制下,对相位调整后的输入数据进行数模转换后输出。本发明实现了多片高速DAC器件的快速同步,实时保证高速DAC器件对输入数据的正确采样。

    一种介质材料加载微波部件微放电阈值快速确定方法

    公开(公告)号:CN108920732A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810265919.1

    申请日:2018-03-28

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明提出一种介质材料加载微波部件微放电阈值快速确定方法,不同于目前采用金属等效介质材料的方法,本发明考虑了微波部件中带电粒子碰撞介质材料,产生二次电子发射后的电荷积累效应,并对该电荷积累效应产生的静电场进行计算,耦合到粒子推进过程中,能够计算得到更准确的微放电阈值。同时,获得精确的电磁场和磁性材料的外加偏置静磁场,采用少量电子的蒙特卡罗碰撞进行轨迹追踪,并忽略空间电荷效应,实现微放电的快速计算,还能够开展包括铁氧体环行器在内的介质材料加载微波部件的微放电阈值计算。

    一种网状反射面天线金属丝网三维实体结构实现方法

    公开(公告)号:CN106204741B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201610466230.6

    申请日:2016-06-23

    IPC分类号: G06T17/30

    摘要: 本发明公开了一种网状反射面天线金属丝网三维实体结构实现方法,具体步骤包括:(1)给定网状反射面天线的金属丝网结构或者图像;(2)确定金属丝网结构的胞元及胞元内金属丝数量、搭接关系;(3)获得胞元测量点的二维坐标值;(4)根据测量点获得胞元的三维曲线;(5)获得交汇处无干涉而又紧密接触的胞元结构;(6)对胞元接头进行处理获得能够拼接的胞元结构;(7)采用阵列技术装配获得网状反射面天线金属丝网三维实体结构。本发明采用图形测量技术与截面扫描技术,结合阵列技术实现了网状反射面天线金属丝网的三维实体结构,克服了现有技术在结构实现过程中误差较大且计算量大的不足,具有精度高、结构准确的优点。