公开(公告)号：CN107381497B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201710527246.8

申请日：2017-06-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  高文迪 ,  蒋庄德 ,  李支康 ,  赵玉龙 ,  孙东

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法，结构包括由四根直梁支撑的中间质量块，中间质量块前端设置探针，中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列，平衡、工作栅极阵列相对中间质量块的中心偏移，中间质量块、直梁、探针与SiO2绝缘层不接触，p型Si基底部分区域形成源、漏极，源、漏极之间的区域形成导电沟道，部分区域形成P+电极；制备方法先在P型Si基底制备好源极、漏极、导电沟道、P+电极并热氧生成SiO2绝缘层并进行刻蚀图形化，然后与另一块多晶硅键合，对多晶硅部分区域进行硼离子重掺杂形成工作栅极阵列，前部刻蚀出探针的图形，再刻蚀完成中间质量块，直梁的全部图形化，本发明微力传感器能够用于nN量级微力的测量。

公开(公告)号：CN107381497A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710527246.8

申请日：2017-06-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  高文迪 ,  蒋庄德 ,  李支康 ,  赵玉龙 ,  孙东

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/02 ,  B81C1/00134

Abstract: 一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法，结构包括由四根直梁支撑的中间质量块，中间质量块前端设置探针，中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列，平衡、工作栅极阵列相对中间质量块的中心偏移，中间质量块、直梁、探针与SiO2绝缘层不接触，p型Si基底部分区域形成源、漏极，源、漏极之间的区域形成导电沟道，部分区域形成P+电极；制备方法先在P型Si基底制备好源极、漏极、导电沟道、P+电极并热氧生成SiO2绝缘层并进行刻蚀图形化，然后与另一块多晶硅键合，对多晶硅部分区域进行硼离子重掺杂形成工作栅极阵列，前部刻蚀出探针的图形，再刻蚀完成中间质量块，直梁的全部图形化，本发明微力传感器能够用于nN量级微力的测量。