公开(公告)号：CN114400220B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210037750.0

申请日：2022-01-13

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  朱梦宇 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨奉涛 ,  齐志远 ,  伍敏 ,  张彤宇 ,  尉哲元

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/495

摘要： 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。

公开(公告)号：CN113746330A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111006011.7

申请日：2021-08-30

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  于龙洋 ,  王晨雅 ,  慕伟 ,  杨成子 ,  崔洪昌

IPC分类号： H02M3/155 ,  H02M1/00 ,  H05K1/02

摘要： 本发明公开了一种基于功能复用磁件的氮化镓集成功率模块，包括PCB板及多功能三维集成磁芯器件，其中，PCB板上集成有氮化镓器件、驱动电路及解耦电容，多功能三维集成磁芯器件包括散热板，散热板上设置有四个通孔，其中，各通孔内均设置有磁芯，其中，各磁芯上均设置有绕组，绕组与PCB板相连接，散热板位于PCB板的下方，该模块的冷却能力优异。

公开(公告)号：CN111879989A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010438104.6

申请日：2020-05-21

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  杨成子 ,  刘星烁 ,  李华清 ,  于龙洋

IPC分类号： G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路，包括补偿电阻、补偿电感、电流采样电阻、总寄生电感、电压源、第一SiC MOSFET管及第二SiC MOSFET管，其中，电压源、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、总寄生电感及电流采样电阻依次组成串联回路，补偿电阻与补偿电容组成补偿支路，电流采样电阻与总寄生电感组成的支路与补偿支路并联连接，该检测电路能够有效的避免寄生电感对电流采样电阻检测性能的影响，且成本较低，体积较小。

公开(公告)号：CN110246835B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201910428016.5

申请日：2019-05-22

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  侯晓东 ,  赵成 ,  王见鹏 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨旭

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 发明公开了一种三维集成高压碳化硅模块封装结构，其包括自上而下的源极基板、芯片子模块、上驱动端子、上驱动基板、陶瓷外壳、可集成水冷散热器的金属基板、进水口、出水口、芯片子模块、下驱动端子、下驱动基板、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等组成。采用三维集成结构让回路不收二维布局的局限，寄生参数大幅降低；采用集成水冷散热器的中间基板能保证每层芯片都是双面散热结构，提高模块的散热效率；采用外接解耦电容组，减小电压振荡的同时也不会影响模块内部的可靠性；采用金属平板作为引出端子，能够与现有的电网输变电系统相兼容。

公开(公告)号：CN110190049A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910428010.8

申请日：2019-05-22

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  侯晓东 ,  赵成 ,  王见鹏 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨旭

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 发明公开了一种高压功率模块封装结构，其包括自上而下的源极基板芯片子模块、驱动基板、驱动端子、外壳、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等。本发明结构合理，采用纳米银烧结工艺的新型高压碳化硅封装结构有利于提高压接模块的可靠性；在芯片终端设置绝缘结构以及用固体绝缘材料填充模块提高了器件的耐压性；封装结构集成了驱动基板并实现开尔文连接，提高了驱动的可靠性。

公开(公告)号：CN113765374B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202111007756.5

申请日：2021-08-30

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  于龙洋 ,  孙培元 ,  杨成子 ,  崔洪昌

IPC分类号： H02M3/155

摘要： 本发明公开了一种基于开关电容和耦合电感技术的超高压降压型DC‑DC变换器，包括电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五有源开关、第五有源开关、第六有源开关、第七有源开关、第一钳位电容器、第二钳位电容器、第一谐振电容器、第二谐振电容器、负载、第一耦合电感器及第二耦合电感器，该变换器具有体积小、损耗小及转换效率高的特点。

公开(公告)号：CN111879989B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202010438104.6

申请日：2020-05-21

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  杨成子 ,  刘星烁 ,  李华清 ,  于龙洋

IPC分类号： G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路，包括补偿电阻、补偿电感、电流采样电阻、总寄生电感、电压源、第一SiC MOSFET管及第二SiC MOSFET管，其中，电压源、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、总寄生电感及电流采样电阻依次组成串联回路，补偿电阻与补偿电容组成补偿支路，电流采样电阻与总寄生电感组成的支路与补偿支路并联连接，该检测电路能够有效的避免寄生电感对电流采样电阻检测性能的影响，且成本较低，体积较小。

公开(公告)号：CN113391180B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110497149.5

申请日：2021-05-07

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  朱梦宇 ,  杨成子 ,  李华清 ,  齐志远 ,  马定坤 ,  杨奉涛 ,  伍敏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种可用于极高温度下的碳化硅器件动态特性测试平台，包括PCB基板及镀银的氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板上设置有金属化DC+区域、金属化AC区域、金属化栅极区域及金属化开尔文源极区域，其中，金属化DC+区域上设置有待测SiC MOSFET及待测SiC肖特基二极管，其中，待测SiC MOSFET的栅极与金属化栅极区域相连接；将待测SiC MOSFET的源极与金属化开尔文源极区域相连接，待测SiC肖特基二极管的源极及待测SiC MOSFET的电源与金属化AC区域相连接，该平台能够将SiC器件的动态特性研究扩展至更宽的温度范围。

公开(公告)号：CN113765374A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111007756.5

申请日：2021-08-30

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  于龙洋 ,  孙培元 ,  杨成子 ,  崔洪昌

IPC分类号： H02M3/155

摘要： 本发明公开了一种基于开关电容和耦合电感技术的超高压降压型DC‑DC变换器，包括电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五有源开关、第五有源开关、第六有源开关、第七有源开关、第一钳位电容器、第二钳位电容器、第一谐振电容器、第二谐振电容器、负载、第一耦合电感器及第二耦合电感器，该变换器具有体积小、损耗小及转换效率高的特点。

公开(公告)号：CN113391180A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110497149.5

申请日：2021-05-07

申请人： 西安交通大学

发明人： 王来利 ,  朱梦宇 ,  杨成子 ,  李华清 ,  齐志远 ,  马定坤 ,  杨奉涛 ,  伍敏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种可用于极高温度下的碳化硅器件动态特性测试平台，包括PCB基板及镀银的氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板上设置有金属化DC+区域、金属化AC区域、金属化栅极区域及金属化开尔文源极区域，其中，金属化DC+区域上设置有待测SiC MOSFET及待测SiC肖特基二极管，其中，待测SiC MOSFET的栅极与金属化栅极区域相连接；将待测SiC MOSFET的源极与金属化开尔文源极区域相连接，待测SiC肖特基二极管的源极及待测SiC MOSFET的电源与金属化AC区域相连接，该平台能够将SiC器件的动态特性研究扩展至更宽的温度范围。