公开(公告)号：CN116237224A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211669310.3

申请日：2022-12-24

申请人： 西安交通大学 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 邱超锐 ,  邱维宝 ,  张志强 ,  罗聪 ,  李飞 ,  苏敏 ,  伍伟昌 ,  乔辽 ,  徐卓

IPC分类号： B06B1/06

摘要： 本发明提供的一种压电式高频宽带透明超声换能器及其制备方法，包括压电材料层、匹配层、背衬层和接地金属环，其中，所述压电材料层位于接地金属环的内腔中；所述压电材料层和接地金属环上表面设置有背衬层；所述压电材料层和接地金属环的下表面设置有匹配层；本发明涉及的换能器的核心传感元件均采用光透明设计，能够允许光路的径直通过，可见光波段透光率大于80％。

公开(公告)号：CN115915901A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211669321.1

申请日：2022-12-24

申请人： 西安交通大学 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 邱超锐 ,  邱维宝 ,  张志强 ,  罗聪 ,  李飞 ,  苏敏 ,  伍伟昌 ,  乔辽 ,  徐卓

IPC分类号： H10N30/853 ,  H10N30/093 ,  H10N30/086 ,  H10N30/088 ,  H10N30/30 ,  H10N30/01 ,  B06B1/06

摘要： 本发明提供的一种高性能透明压电复合材料、阵列换能器及其制备方法，包括以下步骤：步骤1，将压电材料进行光学级抛光处理，制备得到抛光后的压电材料；步骤2，在抛光后的压电材料的上下两面均制备电极，得到制备有电极的压电材料；步骤3，对制备有电极的压电材料进行透明化处理，得到透明压电层；步骤4，将透明压电层的一面布置在基板上，并对透明压电层的另一面进行光学级抛光处理，直至达到所设计的厚度，得到抛光后的透明压电层；步骤5，将抛光后的透明压电层的抛光面按照预设的矩阵结构进行切割，得到高性能透明阵列压电复合材料；本发明能够极大提升透明换能器的性能。

公开(公告)号：CN118524771A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410580029.5

申请日：2024-05-11

申请人： 西安交通大学

发明人： 徐卓 ,  王新健 ,  魏晓勇 ,  王志宏 ,  胡庆元 ,  张跃斌 ,  韩泽祺

IPC分类号： H10N30/853 ,  H10N30/072 ,  C30B29/22 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B31/22

摘要： 本发明涉及铁电单晶技术以及声光电器件技术领域，尤其是硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设置有二氧化硅层和单晶压电薄膜层；所述单晶压电薄膜层为铌镁酸铅系压电单晶，包括二元系PMN‑PT单晶薄膜或三元系PIN‑PMN‑PT单晶薄膜。利用该硅衬底上压电晶圆结构可以制备各种高性能压电MEMS传感器、执行器和电光调制器件。所制备的声表面波滤波器以及薄膜体声波滤波器相对带宽提升超过50％，所制备的电光调制器具有更低的半波电压以及更高的电光调制效率，器件体积可缩小10倍，可更好的应对未来6G通信对MEMS器件更高效、高集成和小型化等要求，为压电MEMS器件和光电器件小型化和集成化提供了一种全新的多层压电晶圆结构。

公开(公告)号：CN118164758A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410286012.9

申请日：2024-03-13

申请人： 西安交通大学

发明人： 严永科 ,  王奕轲 ,  徐卓 ,  任晓丹 ,  唐明阳 ,  刘欣 ,  胡理情

IPC分类号： C04B35/499 ,  C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  H10N30/853 ,  H10N30/097 ,  B28B1/29 ,  B28B1/40 ,  B28B3/00

摘要： 一种高性能管状织构陶瓷、制备方法及应用，所述高性能管状织构陶瓷为铌镁酸铅基管状织构陶瓷，其化学式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbZrO3‑zPbTiO3，其中，x＝(0.00‑0.90)，y＝(0.00‑0.50)，z＝(0.10‑0.50)；制备方法为：制备合适尺寸的片状Bi4Ti3O12模板；使用熔盐法以步骤1获得的Bi4Ti3O12模板作为前驱体制备片状BaTiO3模板；使用固相反应法制备PMN‑PZT基体粉；采用有机体系法制备流延浆料，得到用于卷绕圆管的膜带；织构陶瓷烧结；所述铌镁酸铅基织构压电陶瓷圆管用于圆管形换能器；本发明通过向基体粉中添加定向模板引导基体材料定向生长，能够提高材料取向性，从而提高材料特定方向压电性能。

公开(公告)号：CN115947598B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211297267.2

申请日：2022-10-21

申请人： 西安交通大学

发明人： 孙宏辰 ,  徐然 ,  魏晓勇 ,  冯玉军 ,  徐卓 ,  姚熹

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

摘要： 本发明公开了一种可与贱金属内电极共烧的反铁电材料及其制备方法，通过设计一种可在低烧结温度、低氧含量气氛下烧结的反铁电材料，进而可与贱金属内电极共烧。本发明通过使用传统固相法，通过添加BBSK玻璃，使反铁电材料的陶瓷晶粒得到细化，击穿场强大幅提升至300kV/cm；当添加量为1.2wt％时，反铁电陶瓷的烧结温度由1300℃降至960℃，在空气下烧结，具有高的储能密度3.2J/cm3和储能效率82％；在10‑8atm低氧含量的烧结气氛下，反铁电陶瓷仍具有优异的储能性能，储能密度为2.52J/cm3，储能效率为80％。与当前技术相比，本发明在低烧结温度、低氧含量气氛的烧结环境下仍保持高的储能密度和储能效率，对于制备贱金属内电极的脉冲功率电容器具有重要意义。

公开(公告)号：CN117626402A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311714417.X

申请日：2023-12-13

申请人： 西安交通大学

发明人： 郭海生 ,  宋克鑫 ,  徐卓 ,  李飞 ,  马明 ,  庄永勇 ,  栾鹏 ,  肖若愚 ,  赵星

IPC分类号： C30B11/00

摘要： 本发明公开了一种可独立控制工位的多坩埚晶体生长炉及控制方法，包括晶体生长炉炉体，晶体生长炉炉体装配有整体联动升降装置，所述晶体生长炉炉体内设置有多个晶体生长工位，每个晶体生长工位装配有独立升降装置和能够联动控制或者独立控制的加热装置，晶体生长炉炉体的下炉板开设有多个隔热套管插入槽，晶体生长工位的两侧设有多个与隔热套管插入槽相配合的工位隔热装置。本发明可以在一台多坩埚晶体生长炉上实现即能多工位同时生长又能个别工位独立停炉控制的目的，同时可以避免晶体生长时受到升降电机的震动和丝杠爬升等机械干扰，保证晶体的稳定生长。

公开(公告)号：CN117560987A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311528991.6

申请日：2023-11-16

申请人： 西安交通大学

发明人： 严永科 ,  胡理情 ,  徐卓 ,  任晓丹 ,  王奕轲 ,  金若其 ,  邱晨煜

IPC分类号： H10N30/85 ,  H10N30/30 ,  H10N30/092 ,  G01H11/08

摘要： 一种1‑3型高温压电陶瓷复合材料、制备方法及其应用，由一维连通的高温压电陶瓷相与平行排列于三维连通的高温环氧树脂聚合物相组成；高温压电陶瓷相为铌掺钪酸铋‑钛酸铅基、钨掺钪酸铋‑钛酸铅基、锑掺钪酸铋‑钛酸铅基、铌锑共掺钪酸铋‑钛酸铅基或铌钨共掺钪酸铋‑钛酸铅基中的一种；方法为：高温压电陶瓷块体表面涂覆常温银浆并极化，得到陶瓷柱阵列，得到压电陶瓷柱阵列，得到高温压电陶瓷复合材料，打磨陶瓷柱，制备导电层，得到所需复合材料；应用：用于测井仪器中声波换能器的生产制造；测井仪器中声波换能器，包括有任意一种1‑3型高温压电陶瓷复合材料；具有温度高且稳定性好、压电性能高、不易变形、可控性高、可大批量生产的特点。

公开(公告)号：CN114637154B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210190238.X

申请日：2022-02-28

申请人： 西安交通大学

发明人： 郑淮斌 ,  贺雨晨 ,  李经纬 ,  胡庆元 ,  刘鑫 ,  魏晓勇 ,  徐卓

IPC分类号： G02F1/29 ,  G02F1/03

摘要： 本发明公开了一种用于光学相控阵的级联周期性极化电光晶体结构，包括晶体本体，所述晶体本体为级联周期性结构，所述晶体本体沿光传播的方向分为N层，其中，第一层为正电畴，第2层至第N层内均设置有若干正电畴及反电畴，其中，正电畴与反电畴交替分布，最后一层中的各正电畴及反电畴均作为阵元，该结构能够实现较大的偏转角度，且能够满足小型化、高速率的要求。

公开(公告)号：CN116334761A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310340775.2

申请日：2023-03-31

申请人： 西安交通大学

发明人： 刘鑫 ,  胡庆元 ,  李飞 ,  魏晓勇 ,  徐卓

IPC分类号： C30B30/02 ,  C30B33/02 ,  C30B29/22 ,  G02B1/02

摘要： 本发明公开了一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用，S1，对与长方体弛豫铁电单晶光学面两个短边垂直的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到工程畴弛豫铁电单晶；S2，对与工程畴弛豫铁电单晶光学面两个长边垂直的的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到单畴态弛豫铁电单晶。简化了工艺流程，实现高性能多畴铁电单晶的高度单畴化，所得样品光学性能稳定。

公开(公告)号：CN115072773B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210680914.1

申请日：2022-06-16

申请人： 西安交通大学

发明人： 王明文 ,  李飞 ,  杨帅 ,  吴杰 ,  李纯纯 ,  李景雷 ,  徐卓

IPC分类号： C01G25/00 ,  C01G27/00

摘要： 本发明提供一种用于织构锆钛酸铅基陶瓷的模板及其制备方法，方法包括具体如下：取片状Na2Ti3‑yByO7，其中，0.03＜y＜3，B为表Zr元素或Hf元素，将所述片状Na2Ti3‑yByO7与设定量的钡源、锶源或者铅源混合得到混合物，其中，混合物C中Na2Ti3‑yByO7分别与钡源、锶源或者铅源的摩尔比分别为1:(1～14)、1:(1～17.5)以及1:(1～20)；将混合物C加入其自身1～4倍质量的钠盐，并于850～1100℃的高温环境中保温0.5～10h得到熔盐产物，并将所述熔盐产物依次用去离子水以及设定浓度的无机酸清洗水溶性盐，最终得到高产率高品质的ABxTi1‑xO3模板，其中A为Ba、Sr以及Pb元素，取值0.01＜x＜1，本发明比现有技术所用方法生产成本低，环境造成的污染更少，本模板制作过程就不存在铋元素参与，不存在上述反复酸洗步骤，模板产率相对更高。