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公开(公告)号:CN119374766B
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202411943962.0
申请日:2024-12-27
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院) , 西安交通大学
IPC: G01L1/22 , A61B5/22 , A61B5/0531 , A61B5/00 , C08J3/075 , C08J5/18 , C08L33/26 , C08L5/08 , C08K3/14 , C08K5/521 , C08K5/053
Abstract: 本申请公开了一种用于肌肉力预测的水凝胶薄膜传感器制备方法及传感器。方法包括根据传感器的灵敏度参数及机械应力参数,选择水凝胶前驱体的材料配比;制备水凝胶薄膜,并在所述水凝胶薄膜长度方向上左右两侧对称布置电极,以形成水凝胶薄膜传感结构;获取水凝胶薄膜传感结构电阻值的变化,并与所述传感器应变值形成一一对应关系,以进行标定;对目标肌群进行力量测试,测量皮肤表面紧密贴附水凝胶薄膜传感结构的电阻值,将力量测试结果与水凝胶薄膜传感结构的电阻变化相关联,以形成肌肉力预测模型。通过本发明的方案可以大幅提升肌肉力测试的准确度。
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公开(公告)号:CN119374766A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411943962.0
申请日:2024-12-27
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院) , 西安交通大学
IPC: G01L1/22 , A61B5/22 , A61B5/0531 , A61B5/00 , C08J3/075 , C08J5/18 , C08L33/26 , C08L5/08 , C08K3/14 , C08K5/521 , C08K5/053
Abstract: 本申请公开了一种用于肌肉力预测的水凝胶薄膜传感器制备方法及传感器。方法包括根据传感器的灵敏度参数及机械应力参数,选择水凝胶前驱体的材料配比;制备水凝胶薄膜,并在所述水凝胶薄膜长度方向上左右两侧对称布置电极,以形成水凝胶薄膜传感结构;获取水凝胶薄膜传感结构电阻值的变化,并与所述传感器应变值形成一一对应关系,以进行标定;对目标肌群进行力量测试,测量皮肤表面紧密贴附水凝胶薄膜传感结构的电阻值,将力量测试结果与水凝胶薄膜传感结构的电阻变化相关联,以形成肌肉力预测模型。通过本发明的方案可以大幅提升肌肉力测试的准确度。
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公开(公告)号:CN118362035A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410577144.7
申请日:2024-05-10
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于皮肤形变多功能传感器及其制备和使用方法,上拉伸电极、上四周应变敏感单元、绝缘层、下四周应变敏感单元和下拉伸电极从上至下依次连接,上四周应变敏感单元、绝缘层和下四周应变敏感单元的形状均为环形,中心应力敏感单元设置于由上拉伸电极、上四周应变敏感单元、绝缘层、下四周应变敏感单元和下拉伸电极围成的空腔中,中心应力敏感单元的上、下侧面分别与上、下拉伸电极连接;上拉伸电极上设有第一、第二导线,第一、第二导线布置位置对称;下拉伸电极上连接有第三、第四导线,第三、第四导线布置位置对称。本发明可用于皮肤变形压力、拉伸以及扭转的多物理量测量,且集成度相对较高。
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公开(公告)号:CN108950703A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201811088786.1
申请日:2018-09-18
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: D01D5/00 , B29C64/106 , B29C64/20 , B33Y10/00 , B33Y30/00
CPC classification number: D01D5/0061 , B29C64/106 , B29C64/20 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , D01D5/0092
Abstract: 本发明公开一种基于近场静电纺丝一步化工艺制备压电聚合物MEMS结构的装置及方法,该装置包含了注射系统、前驱液、直流高压电源、可编程三轴移动平台、A4打印纸等关键部件,结合了近场静电纺丝的在线压电极化作用及其对纤维沉积位置的精确控制能力。以压电聚合物材料配制前驱液,利用近场静电纺丝过程中的强电场作用与静电拉伸作用实现对纤维的在线压电极化;同时,以A4打印纸作为纤维收集器,通过可编程三维移动平台运动轨迹的重复,实现纤维的一致性重复堆叠,完成可控三维结构的“增材”制造。通过本发明可实现聚合物MEMS结构与压电功能化的一步化快速高效制造。
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公开(公告)号:CN110361445A
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201910696445.0
申请日:2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N27/12 , G01B11/00
Abstract: 本发明公开了一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法,本发明采用SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等半导体金属氧化物,将其同时用作CMUTs上电极以及敏感识别材料,利用其吸附气体后同时引起薄膜质量及上电极电阻变化的特性,实现物理、化学性质相近或相似气体分子的高选择性敏感。薄膜质量的变化会引起CMUT谐振频率的变化;上电极电阻的变化会引起CMUT上下电极间交流电压幅值的变化,进而引起CMUT薄膜振动幅值的变化,通过谐振频率和薄膜振动位移幅值这两种输出参数的变化可实现气体分子的高选择性检测。此外,由于半导体氧化物敏感材料在温度调节下具有可重复使用性,因此本发明CMUT气体传感器除了具有高选择性外,还具有很好的重复性。
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公开(公告)号:CN110398536B
公开(公告)日:2021-01-19
申请号:CN201910696430.4
申请日:2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036
Abstract: 本发明公开了一种多功能薄膜高灵敏度CMUTs气体传感器及其制备方法,本发明采用石墨烯、二硫化钼以及MXenes(二维过渡金属碳化物或氮化物)等同时具有高弹性模量、气体敏感性以及导电性的多功能材料作为CMUTs敏感元件,即单层悬空薄膜同时用作CMUTs振动薄膜、上电极以及敏感材料层,实现了振动薄膜、上电极以及敏感材料层等多层复合薄膜的一体化设计,可有效减小薄膜质量、提高单元一致性以及谐振频率,进而可实现CMUTs气体传感器检测极限及检测灵敏度等综合性能的大幅提高。
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公开(公告)号:CN110361445B
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN201910696445.0
申请日:2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N27/12 , G01B11/00
Abstract: 本发明公开了一种多参数高选择性CMUTs气体传感器及其使用与制备方法,本发明采用SnO2、ZnO、Fe2O3、WO3等半导体金属氧化物,将其同时用作CMUTs上电极以及敏感识别材料,利用其吸附气体后同时引起薄膜质量及上电极电阻变化的特性,实现物理、化学性质相近或相似气体分子的高选择性敏感。薄膜质量的变化会引起CMUT谐振频率的变化;上电极电阻的变化会引起CMUT上下电极间交流电压幅值的变化,进而引起CMUT薄膜振动幅值的变化,通过谐振频率和薄膜振动位移幅值这两种输出参数的变化可实现气体分子的高选择性检测。此外,由于半导体氧化物敏感材料在温度调节下具有可重复使用性,因此本发明CMUT气体传感器除了具有高选择性外,还具有很好的重复性。
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公开(公告)号:CN110398536A
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201910696430.4
申请日:2019-07-30
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: G01N29/02 , G01N29/036
Abstract: 本发明公开了一种多功能薄膜高灵敏度CMUTs气体传感器及其制备方法,本发明采用石墨烯、二硫化钼以及MXenes(二维过渡金属碳化物或氮化物)等同时具有高弹性模量、气体敏感性以及导电性的多功能材料作为CMUTs敏感元件,即单层悬空薄膜同时用作CMUTs振动薄膜、上电极以及敏感材料层,实现了振动薄膜、上电极以及敏感材料层等多层复合薄膜的一体化设计,可有效减小薄膜质量、提高单元一致性以及谐振频率,进而可实现CMUTs气体传感器检测极限及检测灵敏度等综合性能的大幅提高。
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公开(公告)号:CN120001599A
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202510304958.8
申请日:2025-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: B06B1/02
Abstract: 本发明属于电容式微机电超声换能器技术领域,公开了一种磁性薄膜MEMS超声换能器,包括第一磁性绝缘薄膜,第一磁性绝缘薄膜的上表面设有支柱层,支柱层的上表面设有作为振动薄膜的第二磁性绝缘薄膜,第一磁性绝缘薄膜、支柱层和第二磁性绝缘薄膜之间形成有真空空腔,第二磁性绝缘薄膜的上表面在真空空腔的上方设有上电极,第一磁性绝缘薄膜的下表面设有作为下电极的硅基底,第一磁性绝缘薄膜和第二磁性绝缘薄膜通过磁性相互吸引。本发明利用第一磁性绝缘薄膜和第二磁性绝缘薄膜之间的磁吸力,便可以实现振膜向下弯曲,这与施加直流偏置电压相同后得到的效果相同,从而有效的降低所需的直流偏置电压。
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公开(公告)号:CN119628180A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411859746.8
申请日:2024-12-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种膝盖弯曲电磁摩擦电自供电无线自传感装置及系统,属于自供电无线传感领域。该膝盖弯曲电磁摩擦电自供电无线自传感装置包括:第一连接板、第二连接板、摩擦电信号产生组件、发电组件以及无线传感组件;第一连接板与第二连接板活动连接,且第一连接板与第二连接板可相互远离或相互靠近,第一连接板具有远离第二连接板的第一表面,第二连接板具有远离第一连接板的第二表面,第一表面与第二表面中的至少一者设置有摩擦电信号产生组件;第一连接板与第二连接板中的一者与发电组件固定连接,另一者与发电组件驱动连接,用于带动发电组件运行,无线传感组件分别与摩擦电信号产生组件以及发电组件电连接。
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