-
公开(公告)号：CN115296507A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210602728.6
申请日：2022-05-30
Applicant: 西安交通大学 , 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块及制造方法，包括陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容、印刷电路板和壳体；若干功率铜面设置在陶瓷基板上，相邻的功率铜面之间留有间隙，解耦电容和功率芯片设置在功率铜面上；印刷电路板覆盖在陶瓷基板上，印刷电路板上设置有若干驱动芯片；陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容和印刷电路板均设置在壳体内。本发明设计的加工流程易于实现功率模块加工制备的自动化，并有效减少功率模块制备步骤，提高功率模块制备的良品率，且加工使用的原料成本低廉，有效控制功率模块的生产成本。同时制备工艺可保证功率模块内部电气绝缘性能及电气键合连接的可靠性。
-
公开(公告)号：CN114709203A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202111528391.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 西安交通大学 , 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/495
Abstract: 一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块，包括驱动板、功率板、模块外壳和散热器；驱动板和功率板均设置在模块外壳内，且驱动板设置在功率板上，功率板和驱动板通过键合线连接；散热器设置在模块外壳底部；功率板包括两个氮化镓芯片和两个硅芯片，两个氮化镓芯片和两个硅芯片组成全桥电路；驱动板包括四个用于驱动功率板上四个芯片的驱动芯片；本发明基于氮化镓芯片设计单相全桥智能功率模块，氮化镓器件相比传统的硅器件拥有更高的开关速度，因而在开关过程中相比传统硅器件对寄生参数更加敏感。本模块设计出一种基于氮化镓功率芯片的全桥布局，并实现驱动芯片在模块内的集成。
-
公开(公告)号：CN116008875A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310086302.4
申请日：2023-02-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/10
Abstract: 本发明公开了一种基于吸收谱的Z箍缩等离子体磁场测量装置及方法，属于磁场测量装置技术领域。包括设置于真空工作腔内的阴阳极板，阴阳极板之间设置有负载，脉冲电流可使负载产生Z箍缩等离子体。本发明通过测量Z箍缩等离子体自发光的吸收谱在磁场中的分裂情况来获得磁感应强度的大小，无需引入其他的诊断装置，装置自身即可以产生Z箍缩等离子体连续谱穿过钠等离子体时产生的吸收谱线，测量精度主要取决于观测时长和光谱仪分辨率，测量范围取决于钠等离子体的扩散范围。并且由于直接在阴极板上涂覆示踪剂，产生的钠等离子体的激发位置离负载较近，因此可以克服Z箍缩等离子体在普通的塞曼分裂光学诊断中存在的自发光过强问题，实现了Z箍缩等离子体内部的磁场分布测量。
-
公开(公告)号：CN113466649B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110732566.3
申请日：2021-06-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。
-
公开(公告)号：CN114690088A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210339828.4
申请日：2022-04-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种可调节灵敏度的法拉第旋光分布测量装置及方法，包括：脉冲激光器作为光源，发射脉冲激光束，脉冲激光束穿过起偏器进入旋光介质后，进入第一分束镜分束，由第一分束镜反射的脉冲激光束通过第一检偏器进入第一相机；由第一分束镜透射的脉冲激光束进入第二分束镜进行分束，由第二分束镜反射的脉冲激光束通过第二检偏器进入第二相机，由第二分束镜透射的脉冲激光束通过反射镜进入第三相机。本发明通过测量在有无旋光介质条件下旋光图像和阴影图像的强度变化确定偏转角的分布，并且通过调节旋光通道中第一分束镜与第二分束镜的分光比和第一检偏器与第二检偏器的角度，可以调节旋光测量的灵敏度，实现对法拉第旋光高效、可靠的测量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114417767A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210048189.6
申请日：2022-01-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/373 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于电感电流特征值的DAB电感损耗计算方法，针对双有源桥DAB电路电感损耗与温升，通过计算电感电流特征值，对传统计算磁芯损耗的iGSE方法进行了优化，提出了基于电流的iGSE磁芯损耗计算方法，并给出了基于电流的绕组损耗表达式。本发明最终提出了通过电感电流特征值对DAB电感总损耗进行计算的方法，解决了电感损耗计算耗费时间较长、计算较为复杂的问题，同时针对DAB电路给出了计算准确度较高的电感损耗计算方法，便于设计人员在设计过程中实现对电感温升的准确估计，保证DAB实际装置运行的可靠性。
-
公开(公告)号：CN111693839B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010554935.X
申请日：2020-06-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。
-
公开(公告)号：CN107091988B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710453037.3
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种三相电机电流信号瞬时频率和瞬时包络提取方法，利用同步采集的三相电流信号，通过电流变换，构造电流信号对应的解析信号；通过对解析信号模与幅角的计算，得到瞬时包络与瞬时相位；通过数值微分算法，计算瞬时频率，并对于瞬时频率中的奇点，使用相位解卷绕算法处理；通过离线滤波处理，去除瞬时频率的高频分量，得到较精确的瞬时频率；本发明实现了三相电流信号的解调和瞬时转速的提取，相比于传统方法计算速度更快，有助于机电设备的实时监测，对于电机及传动部件的故障诊断、机械部件的运行状态获取具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN119689346A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411891457.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种法拉第旋光偏转角度测量方法及装置，包括：在法拉第旋光的传播路径上设置石英玻璃，并确定法拉第旋光射向石英玻璃的入射角，利用石英玻璃对法拉第旋光的实际偏转角进行增益，增益倍数与法拉第旋光射向石英玻璃的入射角具有对应关系；对经过增益后的法拉第旋光进行成像，得到旋光图像；根据旋光图像确定增益后的偏转角，并根据增益后的偏转角、法拉第旋光射向石英玻璃的入射角以及增益倍数与法拉第旋光射向石英玻璃的入射角之间的对应关系，反推法拉第旋光的实际偏转角度。本发明能够实现对小角度法拉第旋光可靠测量。
-
公开(公告)号：CN114252816A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111571160.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于法拉第旋光的高灵敏度磁场测量装置及方法，属于磁场测量领域，通过使用激光束搭建旋光测量系统，用于测量旋光图像；使用激光束搭建干涉测量系统，用于测量干涉图像的条纹偏移量；根据旋光图像的光强分布，计算得到偏转角的分布；根据干涉图像中的条纹偏移量计算得到电子面密度的分布；根据偏转角和电子面密度，获得平均磁场的二维分布。本发明可测量磁场的空间范围取决于激光束光斑的大小，且激光束两次次穿过等离子体以及检偏器的角度设置，使旋光测量的灵敏度提升至四倍，能够实现对等离子体内部磁感应强度大范围，高灵敏度的测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.068 seconds)
