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公开(公告)号：CN113718221A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028757.8
申请日：2021-09-02
申请人： 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
摘要： 一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN113737134A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111028756.3
申请日：2021-09-02
申请人： 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
摘要： 一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法，包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底；下层材料薄膜设置在基底上，上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上；下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙，下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙，形成嵌套的微陷阱结构。本发明利用磁控溅射技术生长具有嵌套的微陷阱结构的薄膜，通过控制溅射功率进而形成上下两层密度不同的薄膜，下层薄膜溅射功率小，材料密度大，原子间距小，原子间存在小空隙；而上层薄膜溅射功率大，材料密度小，原子间距较大，原子之间存在大空隙，上下两层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。
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公开(公告)号：CN110197872A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910476619.2
申请日：2019-06-03
申请人： 西安交通大学
摘要： 测量范围可调的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，包括基底、顶电极、磁性层、底电极和导电层；顶电极设置在基底的上表面，底电极设置在基底的下表面，磁性层和导电层均设置在顶电极的上表面，且导电层设置在磁性层的周围。本发明利用磁电复合材料中的磁各向异性场可受电场调控的原理，在压电基底上制备AMR磁阻传感器，通过外加电场控制磁阻效应的大小和饱和磁场，进而实现对磁阻传感器的灵敏度和线性检测范围的调控，实现了使用电场对磁阻材料内部磁化方向的调节，与传统的磁场调控、硬磁偏置等方法相比，电场调控具有效率高、体积小、能耗低、易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN114455949B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210211022.7
申请日：2022-03-03
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种三维氮化铝骨架增强高取向片状石墨复合材料及其制备方法，通过对片状石墨进行表面改性，并以改性后的片状石墨为基体，采用溶胶‑凝胶法，以Al(NO3)3作为前驱体，NH3·H2O调节溶液pH值以制备GF@Al(OH)3凝胶，经烘干后高温分解得到GF@Al2O3复合粉体，再通过碳热还原氮化反应得到GF@AlN复合坯体，最后将复合坯体放入振荡多场耦合烧结进行真空炉结，制备得到三维氮化铝骨架增强高取向片状石墨复合材料具有高度各向异性结构，没有任何杂质相生成并且三维AlN陶瓷骨架增强相在石墨基体内均匀分布，集轻质、高强度、高热导率及低热膨胀系数等综合性能于一体，可作为新型热管理材料及结构部件，在电子产品、交通运输、卫星通讯及航空航天等领域使用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114455949A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210211022.7
申请日：2022-03-03
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种三维氮化铝骨架增强高取向片状石墨复合材料及其制备方法，通过对片状石墨进行表面改性，并以改性后的片状石墨为基体，采用溶胶‑凝胶法，以Al(NO3)3作为前驱体，NH3·H2O调节溶液pH值以制备GF@Al(OH)3凝胶，经烘干后高温分解得到GF@Al2O3复合粉体，再通过碳热还原氮化反应得到GF@AlN复合坯体，最后将复合坯体放入振荡多场耦合烧结进行真空炉结，制备得到三维氮化铝骨架增强高取向片状石墨复合材料具有高度各向异性结构，没有任何杂质相生成并且三维AlN陶瓷骨架增强相在石墨基体内均匀分布，集轻质、高强度、高热导率及低热膨胀系数等综合性能于一体，可作为新型热管理材料及结构部件，在电子产品、交通运输、卫星通讯及航空航天等领域使用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110212085B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910477142.X
申请日：2019-06-03
申请人： 西安交通大学
摘要： 测量范围可调的巨磁电阻传感器，包括基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明利用磁电复合材料中磁各向异性场的电场调控效应，首次实现了使用电场对巨磁电阻结构中自由层的磁化方向的调节，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化等优点。并首次将此原理应用于巨磁电阻传感器中，实现了巨磁电阻传感器线性输出范围的大幅提高和连续调节。测量范围可调的巨磁电阻传感器可用于车载电子、物联网和可穿戴设备等微型磁传感器芯片。
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公开(公告)号：CN110176534A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910476641.7
申请日：2019-06-03
申请人： 西安交通大学
摘要： 测量范围可调的隧道结磁电阻传感器及其制备方法，包括基底、绝缘层、磁阻导电层和磁阻结构；磁阻结构设置在基底的上表面，绝缘层设置在磁阻结构两侧的基底上，磁阻导电层设置在磁阻结构及绝缘层上表面；基底包括基底底电极、压电材料和基底顶电极，基底底电极和基底顶电极分别设置在压电材料的下表面和上表面；磁阻结构包括缓冲层、钉扎层和磁隧道结层；两个缓冲层叠加设置在基底上表面，两个缓冲层之间自上而下依次设置磁隧道结层和钉扎层；磁隧道结层为被钉扎层/势垒层/自由层组成的层状结构，其中被钉扎层位于钉扎层上表面。本发明利用磁电复合材料中磁各向异性场的电场调控效应，实现了使用电场对磁隧道结中自由层磁化方向的调节，具有效率高、体积小、能耗低、易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN110212085A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910477142.X
申请日：2019-06-03
申请人： 西安交通大学
摘要： 测量范围可调的巨磁电阻传感器，包括基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明利用磁电复合材料中磁各向异性场的电场调控效应，首次实现了使用电场对巨磁电阻结构中自由层的磁化方向的调节，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化等优点。并首次将此原理应用于巨磁电阻传感器中，实现了巨磁电阻传感器线性输出范围的大幅提高和连续调节。测量范围可调的巨磁电阻传感器可用于车载电子、物联网和可穿戴设备等微型磁传感器芯片。
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