公开(公告)号：CN104923463A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510261654.4

申请日：2015-05-21

Applicant: 西安工业大学

Inventor： 蔡长龙 ,  刘卫国 ,  姬娇 ,  刘欢 ,  周顺 ,  陈智利 ,  秦文罡 ,  惠迎雪 ,  包强

IPC: B05D5/00 ,  B05D3/02

Abstract: 本发明涉及KDP光学表面平坦化方法。目前KDP晶体的超精密加工方法会在KDP晶体表面残留抛光液，在KDP晶体表面产生小尺度波纹，影响KDP晶体的光学表面质量。本发明以经过单点金刚石车削抛光后的KH2PO4 光学晶体材料作为加工对象，采用自旋涂胶的方法在KH2PO4 光学晶体材料的光学表面涂覆一层聚合物膜，再经真空热处理后在KH2PO4 光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度低的聚合物层，聚合物层的上表面为平坦化表面。本发明在KDP表面形成一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低的聚合物膜，工艺过程简单，对设备要求低，成本低廉，在KDP光学表面可获得较好的平坦化效果，且应用前景可观。

公开(公告)号：CN105922083A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610271922.5

申请日：2016-04-28

Applicant: 西安工业大学

Inventor： 蔡长龙 ,  刘卫国 ,  包强 ,  姬娇 ,  周顺 ,  刘欢 ,  秦文罡 ,  惠迎雪 ,  陈智利

IPC: B24B1/00

CPC classification number: B24B1/00

Abstract: 本发明涉及磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法。现有磷酸二氢钾类晶体的表面抛光技术存在的表面粗糙度高、给磷酸二氢钾类晶体表面带来损伤或杂质嵌入、磷酸二氢钾类晶体表面存在周期性刀痕波纹等问题。本发明在磷酸二氢钾类晶体表面旋涂一层平坦化层，使其表面粗糙度低于1.5nm，然后进行低温热处理一定时间，放入真空室，利用离子束抛光，直至完全去除表面平坦化层，使平坦化层的光滑表面传递到磷酸二氢钾类晶体表面，获得磷酸二氢钾类晶体的超光滑表面。该技术加工过程中无机械加工应力，抛光过程中材料去除量可以控制到原子量级，可达到很高的抛光效果。

公开(公告)号：CN105922083B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201610271922.5

申请日：2016-04-28

Applicant: 西安工业大学

Inventor： 蔡长龙 ,  刘卫国 ,  包强 ,  姬娇 ,  周顺 ,  刘欢 ,  秦文罡 ,  惠迎雪 ,  陈智利

IPC: B24B1/00

Abstract: 本发明涉及磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法。现有磷酸二氢钾类晶体的表面抛光技术存在的表面粗糙度高、给磷酸二氢钾类晶体表面带来损伤或杂质嵌入、磷酸二氢钾类晶体表面存在周期性刀痕波纹等问题。本发明在磷酸二氢钾类晶体表面旋涂一层平坦化层，使其表面粗糙度低于1.5nm，然后进行低温热处理一定时间，放入真空室，利用离子束抛光，直至完全去除表面平坦化层，使平坦化层的光滑表面传递到磷酸二氢钾类晶体表面，获得磷酸二氢钾类晶体的超光滑表面。该技术加工过程中无机械加工应力，抛光过程中材料去除量可以控制到原子量级，可达到很高的抛光效果。