一种基于声波的光纤偏振特性探测方法与装置

    公开(公告)号:CN119509921A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411567316.9

    申请日:2024-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于声波的光纤偏振特性探测方法与装置,包括:激光器发射激光光束依次经孔径光阑、起偏器、半反半透镜进入光纤耦合器中,光纤耦合器将激光光束分成第一光束和第二光束;第一光束经第一光纤入射至第一法拉第旋镜;第二光束经第二光纤入射至第二法拉第旋镜;第一光纤为裸光纤,第二光纤紧密缠绕在零件体上;第一法拉第旋镜和第二法拉第旋镜的反射光分别沿原光路返回,经光纤耦合器耦合到达半反半透镜;向紧密缠绕在零件体上的第二光纤播放声音信号,并对第一光纤同时进行消音处理;半反半透镜将返回的耦合反射光反射至检偏器获得偏振信息。本发明用于探测声波频率对光纤偏振特性的影响,有助于保证光路传输的准确度。

    一种自聚焦透镜激光薄膜光谱特性测试系统及方法

    公开(公告)号:CN116256154A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310260200.X

    申请日:2023-03-17

    Abstract: 本发明提供了一种自聚焦透镜激光薄膜光谱特性测试系统及方法,包括:自聚焦透镜入射端镀有点火激光波长增透膜和自检激光波长增透膜;自聚焦透镜出射端镀有点火激光波长增透膜和自检激光波长反射膜;点火激光光源发射的点火激光和自检激光光源发射的自检激光经光纤耦合器入射至自聚焦透镜;点火激光依次透过自聚焦透镜的入射端和出射端进入点火激光光强计和光谱仪;自检激光透过自聚焦透镜的入射端,经过自聚焦透镜的出射端反射后,沿原光路返回至光纤耦合器,并进入自检激光光强计和光谱仪。本发明实现了对自聚焦透镜火工品的点火激光和自检激光光谱的检测,可对自聚焦透镜薄膜进行准确测量。

    一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法

    公开(公告)号:CN108385110B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201810297952.2

    申请日:2018-04-04

    Abstract: 本发明涉及离子束技术领域,具体涉及一种利用原位溅射结合离子束刻蚀的抛光装置及抛光方法。其包括传递室、刻蚀室、溅射沉积室以及设于传递室与刻蚀室,刻蚀室与溅射沉积室之间的插板阀,传递室、刻蚀室和溅射沉积室内设有三者之间传送工件的工件传送装置。以及应用此设备发明的一种抛光方法,其流程为:首先在传递室装载工件,其次在刻蚀室对工件离子束清洗,再次在溅射沉积室对工件溅射沉积一层薄膜层(牺牲层),进而在刻蚀室对工件进行离子束修正抛光,最后通过传递室取出工件,实现光学元件的抛光。

    非球面光学元件的抛光方法和装置

    公开(公告)号:CN109514384A

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201811317107.3

    申请日:2018-11-07

    Abstract: 本发明提出一种非球面光学元件的抛光方法和装置,可大大降低设备的精度要求,易于实现,加工效率可以得到大幅提高。本发明抛光方法采用柱状抛光头进行高速旋转抛光,所述抛光头的轮廓线方程与被加工非球面光学元件过顶点的截面线方程一致,高速旋转过程中,抛光头轮廓线与被加工非球面光学元件过顶点的轮廓线为线接触方式,其装置包括抛光头、用于旋转抛光头的旋转组件和用于固定工件的固定器;所述的抛光头为中心设置有通孔的柱状体,其圆周面上的外轮廓线方程与被加工非球面光学元件过顶点的截面线方程一致,抛光头的圆周面上粘接有研磨抛光材料;抛光头通过旋转组件使其旋转,工件通过固定器固定,工件和抛光头的圆周面外轮廓接触。

    一种热蒸发镀膜方法及其装置

    公开(公告)号:CN105002465B

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201510496271.5

    申请日:2015-08-14

    Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域,具体涉及一种热蒸发镀膜方法及其装置。所述镀膜的实现方法是:从蒸发源扩散出来的膜料粒子,在其传输到基片表面的过程中,允许部分的膜料粒子通过通道传输到基片表面,实现薄膜沉积,其余的膜料粒子受到遮挡,无法沉积到基片上,通道位于基片和蒸发源之间,调节通道通‑阻的比例和变换快慢,实现对膜料粒子的扩散控制。本发明同时提供可以实现该方法的装置。本发明的方法和装置结构简单,成本低廉,系统紧凑,能根据需要对沉积频率和占空比进行调节,实现对膜厚和结构的有效控制。

    用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN107132497A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710291273.X

    申请日:2017-04-28

    Abstract: 本发明涉及半导体材料测量设备领域,具体涉及一种用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法。本发明是在抛光基底上沉积图形化的绝缘膜层,之后在图形化区域内填充内电极、外电极及引线。当测试半导体薄膜霍尔效应时,内电极上表面与被测薄膜下表面形成欧姆接触,霍尔效应仪探针与外电极接触,外电极和内电极由引线导通。因此可避免霍尔效应仪探针直接与被测薄膜表面接触,实现无损测试。

    实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法

    公开(公告)号:CN107020549A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710377872.3

    申请日:2017-05-25

    CPC classification number: B24B1/00 B24B13/00

    Abstract: 本发明涉及一种实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法。其采用三级球面栅网实现了宽束冷阴极离子源离子束的引出、整形及聚焦,可通过栅网球面半径的尺寸来调节离子束焦点的位置;通过改变栅网上小孔分布图形及尺寸大小来调节束斑和束流大小;加速栅电位调节可有效控制离子运动轨迹,减少离子运动过程中的损失和栅网损耗。本发明可实现对加工表面进行定点去除,将推动国内离子束技术的工程化应用。

    磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法

    公开(公告)号:CN105922083A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610271922.5

    申请日:2016-04-28

    CPC classification number: B24B1/00

    Abstract: 本发明涉及磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法。现有磷酸二氢钾类晶体的表面抛光技术存在的表面粗糙度高、给磷酸二氢钾类晶体表面带来损伤或杂质嵌入、磷酸二氢钾类晶体表面存在周期性刀痕波纹等问题。本发明在磷酸二氢钾类晶体表面旋涂一层平坦化层,使其表面粗糙度低于1.5nm,然后进行低温热处理一定时间,放入真空室,利用离子束抛光,直至完全去除表面平坦化层,使平坦化层的光滑表面传递到磷酸二氢钾类晶体表面,获得磷酸二氢钾类晶体的超光滑表面。该技术加工过程中无机械加工应力,抛光过程中材料去除量可以控制到原子量级,可达到很高的抛光效果。

    用于光学材料去除、抛光的装置及其使用方法和应用

    公开(公告)号:CN103465113B

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201310400822.4

    申请日:2013-09-06

    Abstract: 本发明涉及一种光学加工装置,尤其涉及一种用于光学材料去除、抛光的装置及其使用方法和应用。本发明包括不锈钢管壁、绝缘陶瓷套管构成的壳体,壳体两端分别设置有工作气体入口和射流喷枪,绝缘陶瓷套管内设置有内电极,工作气体入口的内侧设置有涡流式气路分配器,所述内电极表面涂覆TiN涂层;不锈钢管壁的材质为1Cr18Ni9Ti,且外壳管壁厚度不小于3mm;所述涡流式气路分流器材料为介电陶瓷;靠近射流喷枪一端的不锈钢管壁上均布有活性反应气体入口。本发明,可用于石英、蓝宝石等光学材料的去除、抛光加工,去除效率高,加工成本低,同时适用性强,便于工业化应用。

    一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法

    公开(公告)号:CN116169002A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310223276.5

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本发明提供了一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法,包括:电容耦合等离子体装置和跑道磁极装置;电容耦合等离子体装置包括上阳极板和下阴极板,上阳极板和下阴极板之间为等离子体工作区域,在上阳极板和下阴极板之间形成电场;跑道磁极装置包括运动装置和安装在运动装置上的跑道磁极,运动装置带动跑道磁极沿平行于下阴极板的平面运动;跑道磁极包括相邻放置的磁极磁性相反的永磁体,形成约束电场中电子的双极性扩散运动的附加耦合磁场。本发明多场耦合调制等离子体的密度、分布及定向漂移,极大地提高了难于加工材料的实际加工效率,也使得中大口径光学元件等离子体快速加工成为可能,同时提升了元件的抗激光损伤能力。

Patent Agency Ranking