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公开(公告)号：CN118131370A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410463248.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种中长波双波段超透镜及其设计方法。超透镜包括基底，所述基底上设置有由多个长波红外超透镜单元组成的长波红外超透镜，所述长波红外超透镜单元结构为长方体结构；所述长波红外超透镜单元上部设置有中波红外超透镜单元组成的阵列，阵列为正方形矩阵结构。本发明通过紧凑型复合微纳结构，实现了大跨度光波段共聚焦成像，同时集成化程度高，可以实现多波段光波焦距的有效分离和精确控制；在长波光场调控时超透镜透过率高达78%，中波光场调控时超透镜透过率达到45%；本发明的设计方法简单易行，参数设计可调节范围广，特别适合于大规模的工业化生产设计。可广泛应用于光学红外制导技术中。
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公开(公告)号：CN117912922A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410164729.6
申请日：2024-02-05
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体涉及一种无栅聚焦束离子源，包括底板、底板上的筒状外壳、筒状外壳中间设置的阳极、上磁靴和下磁靴，所述筒状外壳为中空的水冷外壳，所述阳极和上磁靴均为异形圆环，中间穿设置有异形中心磁靴，中心磁靴的下部设置有工作气体导入装置，阳极的下方设置有环状的水冷装置，水冷装置外周设置有圆环形的永磁铁，永磁铁的下方、外壳内设置有起支撑和导磁作用的下磁靴，水冷外壳、工作气体导入装置和水冷装置的下部经下磁靴穿出底板，所述阳极上方设置有上磁靴。本发明能长期稳定工作，有效提升工作气体利用率和离子束引出均匀性，同时结构简单，适用广泛。
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公开(公告)号：CN117888199A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410064567.9
申请日：2024-01-16
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种厘米级(Bi0.5Na0.5)TiO3弛豫铁电单晶材料的制备方法，经由配料、预合成、配助熔剂、晶体生长制备得到具有厘米级尺寸的(Bi0.5Na0.5)TiO3弛豫铁电单晶，本发明利用助熔剂法进行单晶生长，相对于顶部籽晶法，生长条件更为简单，过程重复性更高，适用于产业化推广应用，本发明制备的(Bi0.5Na0.5)TiO3单晶材料具有纯钙钛矿结构，单个晶体尺寸最大达到16×16×10mm3，室温剩余极化强度达到55μC/cm2，压电常数达到83pC/N，电学性能优于采用顶部籽晶法生长的(Bi0.5Na0.5)TiO3单晶。
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公开(公告)号：CN117781885A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311747326.6
申请日：2023-12-18
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度高效率的光谱共焦位移测量方法，涉及光学测量领域。可以快速完成光谱信息解算的同时解决现有轴向分辨率低的问题。该方法包括：包括：设置彩色感光元件的位深参数，使来自光源组件的入射光通过分光棱镜、色散透镜组被待测物反射为多个第一单色反射光；使第一单色反射光经色散透镜组、分光棱镜、第一针孔形成第二单色反射光并进入所述彩色感光元件，基于所述第二单色反射光形成彩色图像；根据所述彩色图像得到与所述位深参数对应的RGB颜色值，根据所述RGB颜色值和HSI模型的转换关系得到色调参数H值，根据所述色调参数H值得到所述待测物的轴向深度信息。
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公开(公告)号：CN116819746A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310781618.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种自聚焦超分辨率显微成像系统，包括激光器光路上依次设置的光纤耦合准直镜、扩束透镜组和反射镜，在反射镜的反射光路上依次设置有载物台、多层光学薄膜元件、显微物镜、分光镜和显微目镜，分光镜的成像光路上设置有管透镜和成像CMOS，CMOS与计算机处理系统相接。本发明可实现超分辨率成像,采用显微物镜，最终成像CMOS将采集到的图像信息传输至电脑进行图像处理，获得样品的超分辨图像，最小可分辨90nm的样品细节；在微光或弱光环境下也能实现微小细胞的观测，纳米级样品细节的采样成像；具有高性价比、材料环保、实施简单和实施成本低的优势，适用于微小样品的多样化信息采集检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116774326A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310776948.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 西安工业大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明涉及平面光学元件技术领域，具体涉及一种基于微纳结构的平面光学元件阵列及其高效制备方法。一种基于微纳结构的平面光学元件阵列，包括基底，在基底上设置有阵列结构，所述阵列结构通过多个小口径微纳结构平面光学元件单体组成，所述阵列结构为六边形蜂窝状阵列结构，微纳结构平面光学元件单体由多组环宽相等但高度不同的同心圆环组成。本发明用高精度灰度光刻技术制备两种单体的母版，经PDMS翻模获取模具，再采用纳米压印技术按阵列顺序依次压印两种单体。本发明制备方法简单，制造成本低，小口径透镜的复制制造有着高的容差特性；本发明进一步提升阵列结构的空间利用率（K=0.684）；能够有效提升原始图像的分辨率。
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公开(公告)号：CN116626889A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310570399.6
申请日：2023-05-19
Applicant: 西安工业大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明涉及一种调节光学成像系统相干性的方法，所用装置具体分为照明光学系统和成像系统两部分，照明光学系统包括非相干扩展光源、会聚透镜和物体；成像系统包括成像透镜以及CMOS相机。本发明提供的方法中，照明光学系统数值孔径和成像系统数值孔径的比值决定系统相干性的大小，可通过改变从物方观察的照明光学系统数值孔径和成像系统数值孔径的比值调控系统相干性的大小。本发明调节光学成像系统相干性的方法简单、易操作，且系统确定后，相干性不易发生变化。
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公开(公告)号：CN114573344B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210301545.0
申请日：2022-03-25
Applicant: 西安工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于功能陶瓷及其制备技术领域。本发明提供的两相复合微波介质陶瓷材料，化学组成为(1‑x)Ba3(VO4)2‑xMg2B2O5，其中，0.5≤x≤0.7。本发明根据合适比例的配方选取合适的初始氧化物，通过研磨处理使得各种氧化物混合均匀，通过预烧结使得氧化物进行初步反应，制备得到Ba3(VO4)2预烧料和Mg2B2O5预烧料，然后将Ba3(VO4)2和Mg2B2O5按一定比例混合，再次研磨处理，并细化颗粒尺寸，最后通过烧结过程制备目标陶瓷样品。该方法简单易行且有效，适宜于大规模的产业化，得到的陶瓷样品的介电常数随成分在10.0～11.6之间可调，品质因数Q×f值分布在48,050GHz～62,600GHz，谐振频率温度系数在‑3ppm/℃～+43.6ppm/℃之间，随组分变化连续可调，烧结温度为900℃～1100℃。
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公开(公告)号：CN116448000A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211206077.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及一种非球面面形误差检测与数据处理方法。用以克服现有技术存在的算法复杂且产生误差较大、成本高、检测光路复杂、不具备通用性的问题。具体方法包括以下步骤：步骤一、利用激光干涉仪结合非零位检测法对浅度非球面进行检测，获得非球面的面形检测数据E总；步骤二、去除E总中包含的调整误差E调整，将E总进行N项Zernike多项式拟合，减去其中对应的离焦误差项与彗差项；步骤三、根据检测光路参数与被测非球面参数建立回程误差计算模型，用光线追迹的方法计算由非球面度引起的回程误差E回程；步骤四、利用非零位法检测得到的数据去除调整误差E调整与回程误差E回程，得到非球面的自身面形误差。
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公开(公告)号：CN112885922B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110062494.6
申请日：2021-01-18
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L27/144 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为：CVD法制备石墨烯；干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体；激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2；制备石墨烯透明上电极；磁控溅射镀制金属电极。本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能，硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用，使得该探测器具有灵敏度高，器件结构简单，实用性强的优点。同时，制备方法可以提高器件性能，具有较高的推广价值。
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