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公开(公告)号：CN113745347A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110954358.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压快速软恢复二极管及其制造方法。以N‑基区为衬底，N‑基区上方的阳极侧交替设置了P+/P掺杂区，分别通过硼预沉积和AL扩散形成；N‑为耐压区；在阳极P+区与N‑区之间设置了P缓冲层；阴极侧交替设置了高浓度的N+区和稍低浓度的P+区；在阴极侧的N+/P+区与N‑区之间设置了中等掺杂浓度的N缓冲层。阳极区上方设有阳极，阴极区下方设有阴极。本发明还公开了该种扩散性高压快速软恢复二极管的制备方法。本发明的高压快速软恢复二极管具有反向恢复速度快、软度大，工艺简单，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN113506823A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110881031.2
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74
Abstract: 本发明涉及一种非对称快速晶闸管，由四层三端组成，四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层，三端分别G端、K端、A端，结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽，根据正反向阻断电压不同，设计了不同的P1层和P2层，由于P1层较薄，使晶闸管的通态压降降低，提高通流能力，使dv/dt和di/dt耐量提高，尤其指出的是，由于P1区较薄，电子可以直接穿透阳极结消失，使关断时间大大缩短，广泛应用于中频电力电子装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN106328499B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610724065.X
申请日：2016-08-25
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , C23C14/24 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩膜版高精度遮挡半导体芯片门极图形真空镀薄膜加工工艺，通过精确对准门极掩膜版与半导体芯片的门极图形，用耐高温强力磁铁将门极掩膜版固定，通过二次真空镀膜、一次光刻、一次化学腐蚀的工艺方法，本发明既节省了大量原材料，又缩短了生产周期，同时也消除了由于多次光刻和化学腐蚀带来的工艺误差累加，本发明具有工艺方法简单、生产周期短、生产精度高、可靠易控制、节约原材料、器件性能优越、产品成品率高等优点。因此本发明对大功率晶闸管半导体芯片真空镀膜技术将起到革命性的促进作用，将极大地提高成品率，产生巨大的经济效益。
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公开(公告)号：CN105304511B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510597500.2
申请日：2015-09-18
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触技术加工方法，包括半导体芯片、钼片、半导体芯片与钼片之间的接触层分别有AL电极层、Ti/Pt/Au金属过渡层、Ag层焊料层，本发明引入多层金属过渡层和焊料层，通过金属原子微扩散键合的原理，利用Au、Ag电导率低，低温下易与其它金属键合的特性，使半导体芯片Si与Mo片牢固地粘润在一起，形成优良的欧姆接触技术。使大功率半导体芯片与钼片形成无形变的大面积的欧姆接触，因此该发明明显降低了器件的通态压降、提高了通流能力和反向阻断特性、改善了器件的散热效果，因此提高了器件参数的一致性及成品率，将产生巨大的经济效益。
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公开(公告)号：CN106328499A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610724065.X
申请日：2016-08-25
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , C23C14/24 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/027 , C23C14/24 , G03F7/20 , H01L21/02041
Abstract: 本发明提供了一种掩膜版高精度遮挡半导体芯片门极图形真空镀薄膜加工工艺，通过精确对准门极掩膜版与半导体芯片的门极图形，用耐高温强力磁铁将门极掩膜版固定，通过二次真空镀膜、一次光刻、一次化学腐蚀的工艺方法，本发明既节省了大量原材料，又缩短了生产周期，同时也消除了由于多次光刻和化学腐蚀带来的工艺误差累加，本发明具有工艺方法简单、生产周期短、生产精度高、可靠易控制、节约原材料、器件性能优越、产品成品率高等优点。因此本发明对大功率晶闸管半导体芯片真空镀膜技术将起到革命性的促进作用，将极大地提高成品率，产生巨大的经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN215955288U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202121781179.0
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74
Abstract: 本实用新型涉及一种非对称快速晶闸管，由四层三端组成，四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层，三端分别G端、K端、A端，结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽，根据正反向阻断电压不同，设计了不同的P1层和P2层，由于P1层较薄，使晶闸管的通态压降降低，提高通流能力，使dv/dt和di/dt耐量提高，尤其指出的是，由于P1区较薄，电子可以直接穿透阳极结消失，使关断时间大大缩短，广泛应用于中频电力电子装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN222499334U
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202420528021.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种适用于半导体工艺生产用的蒸发专用夹具，包括水平放置的衬环，衬环的上方配合有盖板，衬环包括底盘，底盘上设有蒸发腔，蒸发腔将底盘竖向贯穿，底盘上还设有相间区域，相间区域为环形的槽口，将待蒸发的芯片放置在底盘上，相间区域内的芯片不会与底盘接触；盖板可放置在底盘上，当盖板与底盘配合对两者之间的芯片形成夹持时，芯片与盖板之间存在容置腔，不会与芯片直接接触；本实用新型的有益效果是：减小了芯片分别与盖板和衬环之间的接触面积，降低了摩擦产生的损伤和划道，提高了工艺效率和成品率，节约成本。
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公开(公告)号：CN215940341U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202122342613.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种防漏喷银头装置，由喷头、封银针、密封圈、弹簧、固针背板、银浆筒等构件组成，所述封银针与固针背板中心开孔之间设有导向轴套，所述封银针底部为L型拐弯设计，避免针头对银浆涂层的二次划伤，本实用新型目前已经应用于各种规格芯片上，可以完全解决以前喷银过程中出现的渗漏和喷银后芯片上银层均匀性不好的问题，从而在很大程度上提高了芯片成品后的阻断电压，降低了芯片的压降，提高产品的使用可靠性，适应批量化工艺生产，使用效果良好，此装置还可应用于其他电力半导体器件涂覆保护材料等工艺上。
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公开(公告)号：CN217062029U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220865516.2
申请日：2022-04-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种新型鼓氮板，包括鼓氮板主体、横向进气口、纵向进气口、横向扁形通孔、纵向扁形通孔、横向排气孔、纵向排气孔，鼓氮板主体横向方向上设有横向进气口并连接横向扁形通孔，在横向扁形通孔上设有横向排气孔；鼓氮板主体纵向方向上设有纵向进气口并连接纵向扁形通孔，在纵向扁形通孔上设有纵向排气孔。本实用新型可以完全保证在腐蚀过程中溶液温度的均匀性及解决芯片表面去除气泡的问题，提高工艺成品率，并能取得良好的经济效益。本实用新型目前已经应用于实际工艺生产过程中，成品率高、节约成本、效果良好。
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公开(公告)号：CN217515723U
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202220865517.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种聚四氟乙烯提手，包括横梁和把手，横梁中部设有竖直向上的把手，横梁上设有三个凹槽A、B、C，最内侧凹槽C放置四寸片篮，中间凹槽B放置五寸片篮，最外侧凹槽A放置六寸片篮。横梁中部设有横向加强筋。把手中部设有纵向加强筋。本实用新型可以做到一个聚四氟乙烯提手通用四、五、六英寸3种规格片篮，并具有防止片篮在使用过程中脱落的设计，保证工艺操作过程的可靠性，同时大大节约了生产成本。本实用新型方便操作、安全可靠、节约成本。本实用新型目前已经应用于实际工艺生产过程中，可以完全兼容四、五、六英寸片篮，操作方便，特别适应批量化工艺生产，且安全可靠、节约成本，效果良好。
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