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公开(公告)号：CN113745347A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110954358.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压快速软恢复二极管及其制造方法。以N‑基区为衬底，N‑基区上方的阳极侧交替设置了P+/P掺杂区，分别通过硼预沉积和AL扩散形成；N‑为耐压区；在阳极P+区与N‑区之间设置了P缓冲层；阴极侧交替设置了高浓度的N+区和稍低浓度的P+区；在阴极侧的N+/P+区与N‑区之间设置了中等掺杂浓度的N缓冲层。阳极区上方设有阳极，阴极区下方设有阴极。本发明还公开了该种扩散性高压快速软恢复二极管的制备方法。本发明的高压快速软恢复二极管具有反向恢复速度快、软度大，工艺简单，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN113506823A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110881031.2
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74
Abstract: 本发明涉及一种非对称快速晶闸管，由四层三端组成，四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层，三端分别G端、K端、A端，结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽，根据正反向阻断电压不同，设计了不同的P1层和P2层，由于P1层较薄，使晶闸管的通态压降降低，提高通流能力，使dv/dt和di/dt耐量提高，尤其指出的是，由于P1区较薄，电子可以直接穿透阳极结消失，使关断时间大大缩短，广泛应用于中频电力电子装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111537801A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010497916.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种串联阻容吸收测试装置，由下述部分组成：电阻测试单元、电容测试单元分别连接控制显示单元，控制显示单元、电容测试单元和电阻测试单元分别连接切换输出单元，切换输出单元的R输出端连接被测串联阻容吸收电路的电阻一端，切换输出单元的C输出端连接被测串联阻容吸收电路的电容不与电阻连接在一起的另一端。本发明具有：1.在只接两点的情况下自动测试出串联的阻容吸收的电阻值及电容值。2.测试速度快，测试精度高。3.便于携带、构成部件少、重量轻的特点。4.具有液晶显示屏，屏上除了可以显示测试数据外，还可以将测试数据保存并通过U盘导出。
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公开(公告)号：CN106328499B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610724065.X
申请日：2016-08-25
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , C23C14/24 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩膜版高精度遮挡半导体芯片门极图形真空镀薄膜加工工艺，通过精确对准门极掩膜版与半导体芯片的门极图形，用耐高温强力磁铁将门极掩膜版固定，通过二次真空镀膜、一次光刻、一次化学腐蚀的工艺方法，本发明既节省了大量原材料，又缩短了生产周期，同时也消除了由于多次光刻和化学腐蚀带来的工艺误差累加，本发明具有工艺方法简单、生产周期短、生产精度高、可靠易控制、节约原材料、器件性能优越、产品成品率高等优点。因此本发明对大功率晶闸管半导体芯片真空镀膜技术将起到革命性的促进作用，将极大地提高成品率，产生巨大的经济效益。
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公开(公告)号：CN106328499A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610724065.X
申请日：2016-08-25
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , C23C14/24 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/027 , C23C14/24 , G03F7/20 , H01L21/02041
Abstract: 本发明提供了一种掩膜版高精度遮挡半导体芯片门极图形真空镀薄膜加工工艺，通过精确对准门极掩膜版与半导体芯片的门极图形，用耐高温强力磁铁将门极掩膜版固定，通过二次真空镀膜、一次光刻、一次化学腐蚀的工艺方法，本发明既节省了大量原材料，又缩短了生产周期，同时也消除了由于多次光刻和化学腐蚀带来的工艺误差累加，本发明具有工艺方法简单、生产周期短、生产精度高、可靠易控制、节约原材料、器件性能优越、产品成品率高等优点。因此本发明对大功率晶闸管半导体芯片真空镀膜技术将起到革命性的促进作用，将极大地提高成品率，产生巨大的经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212808432U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202021000508.9
申请日：2020-06-04
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种串联阻容吸收测试装置，由下述部分组成：电阻测试单元、电容测试单元分别连接控制显示单元，控制显示单元、电容测试单元和电阻测试单元分别连接切换输出单元，切换输出单元的R输出端连接被测串联阻容吸收电路的电阻一端，切换输出单元的C输出端连接被测串联阻容吸收电路的电容不与电阻连接在一起的另一端。本实用新型具有：1.在只接两点的情况下自动测试出串联的阻容吸收的电阻值及电容值。2.测试速度快，测试精度高。3.便于携带、构成部件少、重量轻的特点。4.具有液晶显示屏，屏上除了可以显示测试数据外，还可以将测试数据保存并通过U盘导出。
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公开(公告)号：CN222499334U
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202420528021.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种适用于半导体工艺生产用的蒸发专用夹具，包括水平放置的衬环，衬环的上方配合有盖板，衬环包括底盘，底盘上设有蒸发腔，蒸发腔将底盘竖向贯穿，底盘上还设有相间区域，相间区域为环形的槽口，将待蒸发的芯片放置在底盘上，相间区域内的芯片不会与底盘接触；盖板可放置在底盘上，当盖板与底盘配合对两者之间的芯片形成夹持时，芯片与盖板之间存在容置腔，不会与芯片直接接触；本实用新型的有益效果是：减小了芯片分别与盖板和衬环之间的接触面积，降低了摩擦产生的损伤和划道，提高了工艺效率和成品率，节约成本。
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公开(公告)号：CN215940341U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202122342613.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种防漏喷银头装置，由喷头、封银针、密封圈、弹簧、固针背板、银浆筒等构件组成，所述封银针与固针背板中心开孔之间设有导向轴套，所述封银针底部为L型拐弯设计，避免针头对银浆涂层的二次划伤，本实用新型目前已经应用于各种规格芯片上，可以完全解决以前喷银过程中出现的渗漏和喷银后芯片上银层均匀性不好的问题，从而在很大程度上提高了芯片成品后的阻断电压，降低了芯片的压降，提高产品的使用可靠性，适应批量化工艺生产，使用效果良好，此装置还可应用于其他电力半导体器件涂覆保护材料等工艺上。
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公开(公告)号：CN220514629U
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202320873641.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种全自动电力半导体芯片台面硅橡胶注胶装置，属于半导体芯片注胶技术领域，包括工作台；下模具，下模具安装在工作台上，用于放置芯片，下模具的两侧还分别设有用于供胶液进入的进胶系统和用于供胶液排出的出胶系统；上模具，上模具可升降的安装在工作台上，上模具位于下模具的正上方；本实用新型可以适应于不同规格的半导体芯片台面硅橡胶保护工艺，本实用新型目前可应用于各种规格芯片上，可以完全解决以前半自动涂覆胶液不均匀、台面保护精度不够的问题，在很大程度上提高了芯片成品后的阻断电压，提高产品的使用可靠性，适应批量化工艺生产，使用效果良好，此装置还可应用于其他电力半导体器件注胶保护工艺上。
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公开(公告)号：CN215955288U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202121781179.0
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74
Abstract: 本实用新型涉及一种非对称快速晶闸管，由四层三端组成，四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层，三端分别G端、K端、A端，结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽，根据正反向阻断电压不同，设计了不同的P1层和P2层，由于P1层较薄，使晶闸管的通态压降降低，提高通流能力，使dv/dt和di/dt耐量提高，尤其指出的是，由于P1区较薄，电子可以直接穿透阳极结消失，使关断时间大大缩短，广泛应用于中频电力电子装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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