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公开(公告)号：CN118604405A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410806849.1
申请日：2024-06-21
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R1/04 , G01R31/26 , H01L29/744
摘要： 本发明公开了一种大功率IGCT芯片阻断特性测试用夹具及测试方法，包括绝缘的夹具盘，夹具盘上设置有载片区，载片区由夹具盘的上表面向下凹陷，载片区的底面上设置有突出部和圆形口，圆形口内装配有金属结构件，芯片放置在载片区内后，金属结构件的顶部与芯片的阴极面接触；与现有技术相对比，本发明的有益效果是：将芯片放入测试夹具，通过测试芯片P1N1P2结构阻断电压，进而获取芯片I‑V特性，该测试方式所得特性结果和门阴极施加负偏压或短路处理测试回路相同。但减少门阴极间施加负偏压或短路处理过程，采用该测试方法及测试夹具，减少了测试对准时间及门阴极间施加负偏压或短路处理过程，且可有效减少芯片表面损伤，具有较强的实用价值。
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公开(公告)号：CN114400254A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210146872.3
申请日：2022-02-17
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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公开(公告)号：CN115692489A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211317007.7
申请日：2022-10-26
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本发明提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法，从上往下依次设置有阴极和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区正下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本发明由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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公开(公告)号：CN114284350A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111469244.0
申请日：2021-12-03
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417
摘要： 本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形设计，包括门极引出电极、阴极梳条、终端台面，阴极梳条长度距离门极引出电极近的梳条长度较长，距离门极引出电极远的梳条长度较短，阴极梳条宽度距离门极引出电极近的梳条宽度较宽，距离门极引出电极远的梳条宽度较窄，阴极梳条面积距离门极引出电极近的梳条面积较大，距离门极引出电极远的梳条面积较小，阴极梳条同心排布密度距离门极引出电极近的梳条排布密度较大，距离门极引出电极远的梳条排布密度较小。本发明提高了芯片阴极面积的有效利用率，提高了远门极端梳条开通、关断速度，提高了芯片各梳条开通、关断的均匀性，提高器件综合电气性能，扩大器件安全工作区，便于生产制造。
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公开(公告)号：CN113206150A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110464892.0
申请日：2021-04-28
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/417 , H01L29/08
摘要： 本发明涉及一种逆阻型集成门极换流晶闸管，包括阴极梳条、阴极电极、门极电极、阳极电极，该逆阻型集成门极换流晶闸管中心对称布满阴极梳条，门极接触区位于器件中心、中间或边缘位置，器件最外圈是终端区。轴向从上到下依次包括：阴极电极、阴极N+掺杂区、门极电极、P基区、N‑衬底区、阳极P+掺杂区和阳极电极，本发明在一个芯片上串联集成了门极换流晶闸管与二极管，使器件数量减少，功耗降低，总成本下降，同时提高系统可靠性，本发明正反向能够耐受高电压，正向通过大电流，门极控制器件开通、关断。
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公开(公告)号：CN217062108U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220321670.3
申请日：2022-02-17
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本实用新型提供了一种旁路晶闸管，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本实用新型结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本实用新型结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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公开(公告)号：CN218730959U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222845340.7
申请日：2022-10-26
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本实用新型提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本实用新型由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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