公开(公告)号：CN104428878B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380036253.8

申请日：2013-06-18

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 日吉透 ,  内田光亮 ,  增田健良

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/34 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

摘要： 该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300-1500℃的温度的第二加热步骤；在所述第二加热步骤之后，执行在第一惰性气体气氛中加热碳化硅衬底(10)的第三加热步骤。这允许提供具有低阈值电压变化的碳化硅半导体器件(100)及其制造方法。

公开(公告)号：CN106098542A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610440480.2

申请日：2016-06-20

申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所

发明人： 肖承全 ,  李俊焘 ,  代刚 ,  徐星亮 ,  向安 ,  周阳 ,  张林 ,  杨英坤 ,  张龙 ,  张健

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L21/0445 ,  H01L29/6606

摘要： 本发明公开了一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法，主要是将碳化硅功率器件放置在紫外光源下，在室温下经一定时间的紫外光照射，从而有效提升SiC功率器件的反向阻断电压的效果；本发明操作简单、成本低廉。

公开(公告)号：CN105633168A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511032546.6

申请日：2015-12-31

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 钮应喜 ,  郑柳 ,  杨霏 ,  温家良 ,  潘艳 ,  李永平 ,  王嘉铭 ,  李玲 ,  夏经华 ,  朱韫晖

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7806 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/66068

摘要： 本发明提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N-漂移层，所述N-漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分所述N+源区上的隔离层；和正面的源极及背面的漏极；2)肖特基二极管：所述N-漂移层内的所述P阱间的N-漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。本发明通过在沟槽型SiC MOSFET中引入肖特基二极管，在器件工作时，起续流二极管的作用，提高了电路工作的效率与可靠性，降低了电路制作成本。

公开(公告)号：CN103681256A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310377625.5

申请日：2013-08-27

申请人： 厦门天睿电子有限公司 ,  黄国华

发明人： 黄国华 ,  冯明宪 ,  门洪达 ,  张伟 ,  王坤池 ,  周月

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括碳化硅衬底、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂质离子区，所述栅电极还包括金属层，所述金属层位于所述栅介质层的下面。

公开(公告)号：CN103646876A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310743899.1

申请日：2013-12-30

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院

发明人： 陆敏 ,  田亮 ,  张昭 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0445

摘要： 本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。本发明提供的方法突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。

公开(公告)号：CN103247536A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310010890.X

申请日：2013-01-11

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 林秀树 ,  增田健良

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L21/048 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

摘要： 一种制造碳化硅半导体器件的方法。制备构成碳化硅层（10）的第一表面（F1）并且具有第一导电类型的第一层（5）。在与第一层（5）的第一表面（F1）相反的面上，形成内部沟槽（IT）。注入杂质，使得在内部沟槽（IT）的侧壁（SD）上，第一层（5）的导电类型反转，通过注入杂质，由第一层（5）形成位于内部沟槽（IT）的侧壁（SD）上并且具有第二导电类型的注入区（14）和第一导电类型的非注入区（11a）。形成第一导电类型的第二层（11b），填充内部沟槽（IT），并且与非注入区（11a）一起构成第一区（11）。

公开(公告)号：CN102687238A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005029.3

申请日：2011-07-21

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 堀井拓

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/26

摘要： 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：用于制备复合晶圆的步骤；用于在复合晶圆上形成有源层（23）以获得第一中间晶圆的步骤；用于在第一中间晶圆上形成表面电极（24）以获得第二中间晶圆的步骤；用于将粘性带（71）粘贴到表面电极（24）侧以支撑第二中间晶圆的步骤；用于在利用粘性带（71）继续支撑第二中间层的同时移除支撑层（21）的步骤；用于通过将粘性带粘贴到后表面电极侧并且移除前表面电极（23）侧上的粘性带（71）来利用粘性带支撑多个SiC衬底（22）的步骤；以及用于在由后表面电极侧上的粘性带支撑SiC衬底（22）的同时通过切开SiC衬底（22）来获得多个半导体器件的步骤。

公开(公告)号：CN101114593B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710000755.1

申请日：2007-01-19

申请人： 财团法人电力中央研究所

发明人： 土田秀一 ,  柳特拉斯·斯特拉斯塔

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L29/70

CPC分类号： H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  H01L21/322 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7325 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明的目的在于提供一种通过高温退火有效地减少或消除载流子俘获中心来提高SiC层质量的方法和通过该方法制造的SiC半导体器件。该通过消除或者减少部分载流子俘获中心提高SiC层质量的方法包括：(a)执行离子注入碳原子、硅原子、氢原子或氦原子到SiC晶体层(E)内的浅表面层(A)中以导入多余的碳间隙到注入的表面层中，及(b)加热该层使导入到表面层中的碳间隙(C)从注入的表面层(A)扩散到本体层(E)中，以及使本体层中的电活性点缺陷失去活性。经过以上步骤后，表面层(A)可以被蚀刻或者机械地去除。根据本发明的半导体器件用该方法制造。

公开(公告)号：CN101233618A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680028008.2

申请日：2006-08-02

申请人： 日产自动车株式会社

发明人： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

摘要： 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。

公开(公告)号：CN101116179A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200580047918.0

申请日：2005-12-21

申请人： 西门子公司

发明人： 卡尔·韦德纳 ,  罗伯特·温克

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/4846 ,  H01L22/00 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明涉及一种制造至少一个半导体元件组(3)、尤其SiC半导体元件组(3)的方法。本发明的特征在于，在基层上、尤其在晶片(7)上制造多个半导体元件(1、5)；测试各半导体元件(1、5)确定有工作能力的半导体元件(1)；组合至少一个包括多个有工作能力的半导体元件(1)的半导体元件组(3)，该半导体元件组构成相连的面结构；电并联半导体元件组(3)的有工作能力的半导体元件(1)。