一种动态等离子体鞘套信道幅度和相位联合的建模方法

    公开(公告)号:CN111835445B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202010622003.4

    申请日:2020-06-30

    IPC分类号: H04B17/391

    摘要: 本发明提供了一种动态等离子体鞘套信道幅度和相位联合的建模方法,首先同时输入动态等离子体鞘套信道的幅度和相位;然后将幅度和相位画在二维的平面内,且将二维平面划分为面积相同的若干个区间,若某一区间存在数据则定义为马尔科夫链信道状态,并记录此信道状态在平面内的位置;求解马尔科夫信道各起始状态的概率和状态之间的概率转移矩阵,并进行马尔科夫链仿真,得到预测的状态序列;将产生的状态序列还原到平面区间的位置,区间位置对应的横纵坐标范围就是信道模型预测出的范围,从区间内取出任意一个点当作当前时刻的信道特性。本发明建立的信道模型更加完整的描述信道对信号的影响,可以同时模拟出信道对信号幅度和相位的影响。

    一种动态等离子体鞘套信道幅度和相位联合的建模方法

    公开(公告)号:CN111835445A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010622003.4

    申请日:2020-06-30

    IPC分类号: H04B17/391

    摘要: 本发明提供了一种动态等离子体鞘套信道幅度和相位联合的建模方法,首先同时输入动态等离子体鞘套信道的幅度和相位;然后将幅度和相位画在二维的平面内,且将二维平面划分为面积相同的若干个区间,若某一区间存在数据则定义为马尔科夫链信道状态,并记录此信道状态在平面内的位置;求解马尔科夫信道各起始状态的概率和状态之间的概率转移矩阵,并进行马尔科夫链仿真,得到预测的状态序列;将产生的状态序列还原到平面区间的位置,区间位置对应的横纵坐标范围就是信道模型预测出的范围,从区间内取出任意一个点当作当前时刻的信道特性。本发明建立的信道模型更加完整的描述信道对信号的影响,可以同时模拟出信道对信号幅度和相位的影响。

    电磁波在随机色散介质中传播的PCE-FDTD方法

    公开(公告)号:CN111783339A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010622123.4

    申请日:2020-06-30

    IPC分类号: G06F30/23

    摘要: 本发明提供了电磁波在随机色散介质中传播的PCE-FDTD方法,包括以下步骤:输入模型文件;初始化参数;计算仿真中所用到的内积;添加场源 到中设置好源的位置;更新计算整个计算区域的y方向上电场分量展开系数 更新计算整个计算区域的x方向上电场分量展开系数更新计算整个计算区域的z方向上磁场分量展开系数 将时间迭代步t+1赋值给t,并判断迭代次数t是否达到预设值,若未达到预设值,则返回;若达到预设值,则执行下一步;计算观测点电场的均值和标准差。该方法避免了相关系数估计所产生的误差;与PCE-JEC-FDTD方法相比不仅可以应用于随机等离子体,还可以应用于其他随机色散媒质,不需要重新推导公式。

    电磁波在随机色散介质中传播的PCE-FDTD方法

    公开(公告)号:CN111783339B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202010622123.4

    申请日:2020-06-30

    IPC分类号: G06F30/23

    摘要: 本发明提供了电磁波在随机色散介质中传播的PCE‑FDTD方法,包括以下步骤:输入模型文件;初始化参数;计算仿真中所用到的内积;添加场源#imgabs0#到中设置好源的位置;更新计算整个计算区域的y方向上电场分量展开系数#imgabs1#更新计算整个计算区域的x方向上电场分量展开系数#imgabs2#更新计算整个计算区域的z方向上磁场分量展开系数#imgabs3#将时间迭代步t+1赋值给t,并判断迭代次数t是否达到预设值,若未达到预设值,则返回;若达到预设值,则执行下一步;计算观测点电场的均值和标准差。该方法避免了相关系数估计所产生的误差;与PCE‑JEC‑FDTD方法相比不仅可以应用于随机等离子体,还可以应用于其他随机色散媒质,不需要重新推导公式。

    GaAs基高集成异质透/反射重构器件、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN118610166A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410655327.6

    申请日:2024-05-24

    摘要: 本发明公开了GaAs基高集成异质透/反射重构器件:1、选取GaAs基片和蓝宝石衬底,键合形成GaAs基衬底;2、在GaAs基衬底顶层的GaAs区内设置深槽隔离区;3、刻蚀GaAs区形成P型沟槽和N型沟槽;4、采用离子注入分别形成P型有源区和N型有源区;5、在GaAs基衬底上形成合金引线,得到基于固态等离子体的高集成异质透/反射重构器件。本发明还公开了上述方法制备的GaAs基高集成异质透/反射重构器件及其应用。本发明提供的GaAs基高集成异质透/反射重构器件的制备方法,解决了只能实现单一的透射或反射功能及通过加载有源组件实现电磁波调控不能完全满足信息技术快速发展的需求的问题。

    基于固态等离子体的异质全息成像反射结构及制备方法

    公开(公告)号:CN118380388A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410655343.5

    申请日:2024-05-24

    摘要: 本发明公开了基于固态等离子体的异质全息成像反射结构的制备方法,包括以下步骤:S1.选取GaN基片和蓝宝石衬底,键合形成GaN基衬底;S2.在衬底顶层GaN区域内设置深槽隔离区;S3.刻蚀顶层GaN形成有源区沟槽,并形成P型和N型有源区;S4.光刻导电沟桥图形,溅射金属合金化形成导电沟桥;S5.设置矩形金属区域;S6.相邻全息单元有源区之间通过导电沟桥相互串联,以完成基于固态等离子体的多梯度相位调制全息成像反射结构的制备。本发明还开了基于固态等离子体的异质全息成像反射结构。本发明的基于固态等离子体的异质全息成像反射结构及制备方法,有效提升了器件及系统成像、隐身与集成的性能。

    一种纳米多孔氮化铌薄膜光电探测器红外光响应设计方法

    公开(公告)号:CN113948603B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202111148323.1

    申请日:2021-09-29

    摘要: 本发明公开了一种纳米多孔氮化铌薄膜光电探测器红外光响应设计方法,包括:使用Bruggeman等效模型将纳米多孔NbN薄膜等效为相同厚度的均匀薄膜,得到纳米多孔NbN薄膜的等效模型;基于纳米多孔NbN薄膜的等效模型,设置纳米多孔NbN薄膜探测器待优化的基本结构,计算加载纳米多孔NbN薄膜的该探测器红外波段的光响应特性;采用粒子群优化算法对加载纳米多孔NbN薄膜光电探测器进行结构设计,得到纳米多孔NbN薄膜的光电探测器。以纳米多孔NbN薄膜的等效模型为基础,可以直接使用经典一维光学薄膜结构的设计方法处理原本的三维探测器结构设计问题,不仅能够很大程度上提高设计效率,同时能够保证较高的计算精度。