InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN104409533B

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201410667776.9

    申请日:2014-11-20

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7),n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2),t为整数且t≥1;每个台面(2)上部淀积有阳极(5),n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴极(6);所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4);每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m个相同的p型等腰三角形掺杂区(3),m为整数且m≥1,这些p型等腰三角形掺杂区与n型InSb衬底构成pn结。本发明具有工艺简单、量子效率高、串音低的优点,可用于红外侦查和红外医疗领域。

    红外探测器阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN104465686B

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201410667778.8

    申请日:2014-11-20

    IPC分类号: H01L27/146 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种红外探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7),n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2),t为整数且t≥1;台面(2)上部淀积有阳极(5),n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字型阴极(6);所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4),每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m×m个相同的p型锥形掺杂区(3),形成p型锥形掺杂区阵列,每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结,m为整数且m≥1。本发明具有工艺简单、量子效率高、串音低的优点,可用于红外侦查和红外医疗领域。

    光伏型探测器阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN104465812B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410668714.X

    申请日:2014-11-20

    摘要: 本发明公开了一种光伏型探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7),n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2),t为整数且t≥1;每个台面(2)上部均淀积有阳极(5),n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴极(6);所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4),每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m个相同的p型锥形掺杂区(3),每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结,m为大于或等于1的整数。本发明具有工艺简单、量子效率高、串音低的优点,可用于红外侦查和红外医疗领域。

    红外探测器阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN104465686A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410667778.8

    申请日:2014-11-20

    IPC分类号: H01L27/146 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种红外探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7),n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2),t为整数且t≥1;台面(2)上部淀积有阳极(5),n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字型阴极(6);所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4),每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m×m个相同的p型锥形掺杂区(3),形成p型锥形掺杂区阵列,每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结,m为整数且m≥1。本发明具有工艺简单、量子效率高、串音低的优点,可用于红外侦查和红外医疗领域。