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公开(公告)号：CN116083848A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211219801.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器，双层薄膜材料的制备方法包括：利用脉冲激光沉积技术，在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层；利用脉冲激光沉积技术，在单晶缓冲层上生长单晶铁电层，单晶铁电层的材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3；对样品进行降温处理，得到包括单晶缓冲层和单晶铁电层的双层薄膜材料。该制备方法通过缓冲层的引入实现了Pb0.52Zr0.48TiO3铁电层的超薄厚度的生长，实现了单晶缓冲层和单晶铁电层的原子级复合，使得Pb0.52Zr0.48TiO3薄膜的单晶分布均匀且具有铁电畴结构，得到了铁电性能优异的双层薄膜结构，有利于实现电子设备的小型化。
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公开(公告)号：CN116083848B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202211219801.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器，双层薄膜材料的制备方法包括：利用脉冲激光沉积技术，在具有[001]晶体取向的衬底上生长单晶缓冲层；利用脉冲激光沉积技术，在单晶缓冲层上生长单晶铁电层，单晶铁电层的材料包括Pb0.52Zr0.48TiO3；对样品进行降温处理，得到包括单晶缓冲层和单晶铁电层的双层薄膜材料。该制备方法通过缓冲层的引入实现了Pb0.52Zr0.48TiO3铁电层的超薄厚度的生长，实现了单晶缓冲层和单晶铁电层的原子级复合，使得Pb0.52Zr0.48TiO3薄膜的单晶分布均匀且具有铁电畴结构，得到了铁电性能优异的双层薄膜结构，有利于实现电子设备的小型化。
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公开(公告)号：CN113981421B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110780620.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在塑料表面制备可擦写金属电极的方法，所述方法包括：利用表面引发原子转移自由基聚合方法在塑料基底表面修饰一层聚合物薄膜，该聚合物薄膜用于吸附化学镀的催化剂，进而利用化学镀技术在塑料表面沉积金属铜薄层。金属铜薄层被氯化铁溶液擦除后，由于塑料表面致密的聚合物薄膜具有良好的稳定性，使得塑料表面维持了吸附催化剂的功能，进而可以再次沉积金属铜薄层，实现了在塑料表面反复沉积金属铜薄层，制备出可擦写金属电极。本发明有望在柔性电子器件、瞬态电子、印制电路板等领域取得重要应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117915666A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410070232.8
申请日：2024-01-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10B53/30
Abstract: 本发明公开了一种无衬底和电极自支撑结构HfO2基铁电薄膜的制备方法，属于薄膜制备领域，包括步骤：在带有SiO2层的硅衬底上沉积底电极；在底电极表面沉积HfO2基铁电薄膜；在HfO2基铁电薄膜表面沉积顶电极；将得到的带有SiO2层硅衬底的HfO2基铁电薄膜进行热处理结晶；将SiO2层作为牺牲层，用碱溶液溶解掉SiO2牺牲层得到去除SiO2牺牲层硅衬底的HfO2基铁电薄膜；溶解掉电极得到无衬底和电极约束自支撑结构HfO2基铁电薄膜。本发明的制备方法克服了衬底和电极对薄膜的束缚，SiO2作为牺牲层也减小了对HfO2基铁电薄膜电学性能和晶体结构的影响，是一种成本低廉、简单易行的制备方法。
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公开(公告)号：CN113981421A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110780620.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在塑料表面制备可擦写金属电极的方法，所述方法包括：利用表面引发原子转移自由基聚合方法在塑料基底表面修饰一层聚合物薄膜，该聚合物薄膜用于吸附化学镀的催化剂，进而利用化学镀技术在塑料表面沉积金属铜薄层。金属铜薄层被氯化铁溶液擦除后，由于塑料表面致密的聚合物薄膜具有良好的稳定性，使得塑料表面维持了吸附催化剂的功能，进而可以再次沉积金属铜薄层，实现了在塑料表面反复沉积金属铜薄层，制备出可擦写金属电极。本发明有望在柔性电子器件、瞬态电子、印制电路板等领域取得重要应用。
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公开(公告)号：CN118343831A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410500135.8
申请日：2024-04-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01G27/02
Abstract: 本发明涉及一种具有铁电相的氧化铪纳米颗粒及其制备方法。制备方法包括以下步骤：S1：混合多晶氧化铪和掺杂物，得到反应物体系；S2：混合所述反应物体系和熔盐，得到混合体系；S3：所述混合体系在预设温度下反应预设时间，得到初产物；S4：清洗所述初产物，得到具有铁电相的氧化铪纳米颗粒。本发明通过多晶氧化铪和掺杂物在熔盐环境中反应，得到具有铁电相的氧化铪纳米颗粒，制备方法简单，无需使用有机溶剂，反应温度低，反应时间短。制备得到的具有铁电相的氧化铪纳米颗粒之间不易相互连结，分散性好。
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公开(公告)号：CN115341176B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202211004137.5
申请日：2022-08-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了应用于热障涂层的多层粘结层材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、对单晶镍基合金表面依次进行预处理及离子刻蚀；步骤2、将处理后的单晶镍基合金材料表面喷涂γ‑γ’双相层；步骤3、在步骤2中的γ‑γ’双相层外侧喷涂纳米厚度的γ‑γ’层和β‑NiAl层交替排布的多层复合层；步骤4、在步骤3中多层复合层的外层喷涂β‑NiAl层，即得。本发明制备的应用于热障涂层的多层粘结层材料，可同时提高粘结层的抗氧化性能以及抑制粘结层与单晶镍基合金基体间的元素互扩散行为，具有更优异的性能。
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公开(公告)号：CN115341176A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211004137.5
申请日：2022-08-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了应用于热障涂层的多层粘结层材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、对单晶镍基合金表面依次进行预处理及离子刻蚀；步骤2、将处理后的单晶镍基合金材料表面喷涂γ‑γ’双相层；步骤3、在步骤2中的γ‑γ’双相层外侧喷涂纳米厚度的γ‑γ’层和β‑NiAl层交替排布的多层复合层；步骤4、在步骤3中多层复合层的外层喷涂β‑NiAl层，即得。本发明制备的应用于热障涂层的多层粘结层材料，可同时提高粘结层的抗氧化性能以及抑制粘结层与单晶镍基合金基体间的元素互扩散行为，具有更优异的性能。
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