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公开(公告)号：CN118588771A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410531064.8
申请日：2024-04-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种光导开关及其制备方法，光导开关包括：衬底层、石墨烯层、阳极和阴极，其中，石墨烯层位于衬底层的上表面；阳极为环形结构，位于石墨烯层的上表面；阴极位于衬底层的下表面。本发明通过在衬底层和阳极之间设置石墨烯层，使得光导开关能够产生更多的光生载流子，进一步提高器件的量子效率。并且，由于石墨烯材料的表面具有平整和致密的特点，能够有效改善大脉冲下金属的电迁移，提升器件的稳定性和寿命，进而提高器件的可靠性。此外，由于石墨烯的半金属特性，使得器件内部原本垂直分布的电流有了径向分量，从而使得阳极边缘的聚集效应降低，提高了器件的耐压性。
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公开(公告)号：CN118407132A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410531062.9
申请日：2024-04-29
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法，包括：获取碳化硅外延片；对碳化硅外延片的Si面进行加热，得到加热后的碳化硅外延片；通入Ar气，并对加热后的碳化硅外延片进行冷却，得到冷却后的碳化硅外延片；对冷却后的碳化硅外延片进行退火处理，得到退火后的碳化硅外延片；对退火后的碳化硅外延片进行表面处理，得到最终的碳化硅外延片。这种方法可以在相对短时间制备得到少子寿命较强的碳化硅外延片，且可以有效降低成本，在不引入其他深能级缺陷的基础上修复碳空位缺陷引起的深能级缺陷，也不会造成晶格损伤，碳化硅外延层中少子寿命分布均匀，从而实现了少子寿命的增强。
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公开(公告)号：CN114349974B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210102981.5
申请日：2022-01-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种新型铕基MOF材料及其制备方法和检测乙胺和棉酚的应用，属于MOF材料制备技术领域，将氯化铕、配体4,4'‑(苯并[c][1,2,5]噻二唑‑4,7‑二基)二苯甲酸和苯甲酸混合后，以DMF为溶剂，通过一步水热法合成Eu‑TTPDC MOF材料。该方法具有反应温度低、操作简单易于控制、环境友好等优点。制得的Eu‑TTPDC MOF材料对乙胺和棉酚分别表现出灵敏的荧光增强/猝灭检测效果，能够实现单一荧光材料对不同分析物的多响应模式检测的发明目的，节约检测成本，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN114349974A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210102981.5
申请日：2022-01-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种新型铕基MOF材料及其制备方法和检测乙胺和棉酚的应用，属于MOF材料制备技术领域，将氯化铕、配体4,4'‑(苯并[c][1,2,5]噻二唑‑4,7‑二基)二苯甲酸和苯甲酸混合后，以DMF为溶剂，通过一步水热法合成Eu‑TTPDC MOF材料。该方法具有反应温度低、操作简单易于控制、环境友好等优点。制得的Eu‑TTPDC MOF材料对乙胺和棉酚分别表现出灵敏的荧光增强/猝灭检测效果，能够实现单一荧光材料对不同分析物的多响应模式检测的发明目的，节约检测成本，提高检测效率。
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