公开(公告)号：CN106876483B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201710050343.2

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  黄璐 ,  韩根全 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  方立伟 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法，其自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8)，钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)和圆形金属阳极(2)，环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点，环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7)，Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6)，且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘，最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H+对电子的吸引作用，减小了肖特基接触边缘的电子浓度，提高了肖特基二极管的反向击穿电压。

公开(公告)号：CN106847881B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201710050683.5

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  谢文林 ,  韩根全 ,  方立伟 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种金属氧化物场效应晶体管的器件结构及制作方法,其自下而上包括衬底(1)、Ga2O3外延层(2)和低掺杂n型Ga2O3薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有栅电极(8)，Ga2O3外延层上设有多个氢离子注入区(9)，这些氢离子注入区位于栅电极与漏电极之间的外延层中，且随着氢离子注入区与栅电极的距离增加，这些氢离子注入区的宽度随之减小，它们之间的间距随之增大。本发明通过氢离子对电子的吸引调节电场，提高了器件击穿电压，可用于作为功率器件和高压开关器件。

公开(公告)号：CN106935661B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201710050359.3

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  徐通 ,  韩根全 ,  方立伟 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种垂直型肖特基二极管的器件结构及其制作方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、低功函数阳极电极，该外延层上淀积有低功函数阳极电极，高掺杂衬底的下表面淀积有阴极电极，低功函数阳极与n型Ga2O3外延层形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触。低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有M个凹槽，M≥6，凹槽中沉积有高功函数阳极电极和厚度在0.5～1μm范围内的有机铁电介质，且高功函数阳极电极位于有机铁电介质之上。本发明不仅提高了反向击穿电压，而且保持其正向特性不变，可用于高速集成电路和微波技术。

公开(公告)号：CN106876484A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710057175.X

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  李翔 ,  韩根全 ,  黄璐 ,  方立伟 ,  邢翔宇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压氧化镓肖特基二极管结构，自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底(1)和低掺杂n型Ga2O3外延层(2)和阳极电极(4)，衬底的下表面沉积有阴极电极(5)，阳极电极与外延层(2)形成肖特基接触，阴极电极与衬底(1)形成欧姆接触，外延层(2)的上表面沉积有厚度为300～500nm的有机铁电介质层(3)；有机铁电介质层上刻蚀有圆形孔，阳极电极沉积在有机铁电介质层的孔内，孔的边缘沉积有场板(6)，该场板位于有机铁电介质层之上，并与阳极电极连接。本发明提高了反向击穿电压，且保持其正向特性不变，可用于高速集成电路和微波电路。

公开(公告)号：CN106876483A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710050343.2

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  黄璐 ,  韩根全 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  方立伟 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法，其自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8)，钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)和圆形金属阳极(2)，环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点，环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7)，Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6)，且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘，最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H+对电子的吸引作用，减小了肖特基接触边缘的电子浓度，提高了肖特基二极管的反向击穿电压。

公开(公告)号：CN106898644B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201710050362.5

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  方立伟 ,  韩根全 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  黄璐 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压场效应晶体管及其制作方法，其自下而上包括衬底(1)、Ga2O3外延层(2)和低掺杂n型Ga2O3薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型硅离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有300～500nm厚的有机绝缘介质(8)，有机绝缘介质由P(VDF‑TrFE)、Ag纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)、ZnS纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)和CCTO纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)构成，且设有长度为1～3μm的栅场板(9)，该栅场板上设置有栅电极。本发明击穿电压高，可用于作为功率器件和高压开关器件。

公开(公告)号：CN106935661A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710050359.3

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  徐通 ,  韩根全 ,  方立伟 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明公开了一种垂直型肖特基二极管的器件结构及其制作方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、低功函数阳极电极，该外延层上淀积有低功函数阳极电极，高掺杂衬底的下表面淀积有阴极电极，低功函数阳极与n型Ga2O3外延层形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触。低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有M个凹槽，M≥6，凹槽中沉积有高功函数阳极电极和厚度在0.5～1μm范围内的有机铁电介质，且高功函数阳极电极位于有机铁电介质之上。本发明不仅提高了反向击穿电压，而且保持其正向特性不变，可用于高速集成电路和微波技术。

公开(公告)号：CN106887470B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201710050140.3

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  邢翔宇 ,  韩根全 ,  李翔 ,  方立伟 ,  黄璐 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种Ga2O3肖特基二极管器件结构与制造方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低和场板结构存在的寄生电容大的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、阳极电极；阳极与外延层接触的部分形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触，低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有多个凹槽，凹槽的间距在0.3μm～0.5μm范围内依次增加，且第一个凹槽位于阳极边缘的正下方，最后一个凹槽与第一个凹槽的距离为10μm～15μm，凹槽内部外延生长有Al组分大于20％的AlGaO层。本发明提高了反向击穿电压，减小寄生电容，且保持正向特性不变，可用于高速集成电路和微波技术。

公开(公告)号：CN106898644A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710050362.5

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  方立伟 ,  韩根全 ,  李翔 ,  邢翔宇 ,  黄璐 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压场效应晶体管及其制作方法，其自下而上包括衬底(1)、Ga2O3外延层(2)和低掺杂n型Ga2O3薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型硅离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有300～500nm厚的有机绝缘介质(8)，有机绝缘介质由P(VDF‑TrFE)、Ag纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)、ZnS纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)和CCTO纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)构成，且设有长度为1～3μm的栅场板(9)，该栅场板上设置有栅电极。本发明击穿电压高，可用于作为功率器件和高压开关器件。

公开(公告)号：CN106876484B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201710057175.X

申请日：2017-01-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  李翔 ,  韩根全 ,  黄璐 ,  方立伟 ,  邢翔宇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种高击穿电压氧化镓肖特基二极管结构，自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底(1)和低掺杂n型Ga2O3外延层(2)和阳极电极(4)，衬底的下表面沉积有阴极电极(5)，阳极电极与外延层(2)形成肖特基接触，阴极电极与衬底(1)形成欧姆接触，外延层(2)的上表面沉积有厚度为300～500nm的有机铁电介质层(3)；有机铁电介质层上刻蚀有圆形孔，阳极电极沉积在有机铁电介质层的孔内，孔的边缘沉积有场板(6)，该场板位于有机铁电介质层之上，并与阳极电极连接。本发明提高了反向击穿电压，且保持其正向特性不变，可用于高速集成电路和微波电路。