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公开(公告)号：CN117849781A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410031528.9
申请日：2024-01-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于轨迹泊松多伯努利滤波的机动目标跟踪方法，通过融合交互多模型和轨迹泊松多伯努利滤波方法，实现对机动目标轨迹的精准跟踪。使得本发明填补了目前机动目标跟踪领域的技术空白，为实现更为精确、实时的目标跟踪提供一种有效的解决方案。本发明采用了泊松多伯努利近似思想PMB，将滤波更新结束后的泊松多伯努利混合分量利用KL散度得到泊松多伯努利分量，克服了现有技术中在跟踪过程中由于泊松多伯努利混合分量数量太多而导致的计算复杂的问题，使得本发明在降低算法复杂度，提高滤波效率，提升了滤波实时性。
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公开(公告)号：CN101901761A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010209568.6
申请日：2010-06-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种基于γ面LiAlO2衬底的非极性m面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性m面GaN材料质量较差的问题。其工艺步骤是：(1)将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在γ面LiAlO2衬底上生长厚度为30-100nm，温度为500-600℃的低温AlN成核层；(3)在所述低温AlN成核层之上生长厚度为60-200nm，温度为900-1050℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层之上生长厚度为1000-5000nm，温度为900-1050℃的m面GaN缓冲层；(5)将经过上述生长过程后的衬底基片从反应室取出，在熔融KOH溶液中进行1-5分钟腐蚀，形成横向外延区；(6)将经过腐蚀的基片置于MOCVD反应室中，二次生长厚度为2000-5000nm，温度为1000-1100℃的非极性m面GaN外延层。本发明具有低缺陷、表面平整的优点，可用于制作m面GaN基发光二极管。
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公开(公告)号：CN108683620A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810223166.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H04L27/0014 , H04B10/695 , H04B10/697 , H04L27/38 , H04L2027/0026
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种适合高阶调制方式的抗相位噪声盲载波恢复方法，本发明是在原有的适合低阶QAM调制的基于判决的扩展卡尔曼载波恢复算法的基础上，增加了用于选择不同的频偏步长和均方误差值计算长度参数的模式选择模块。通过计算不同长度的判决前后符号的均方误差值，自适应得选择扩展卡尔曼的频偏步长参数，使得扩展卡尔曼滤波算法在高阶调制系统下也能兼顾大频偏捕获性能和低稳态抖动性能。本发明的载波恢复算法是一种盲载波恢复算法，并经仿真验证可以抗相位噪声，是适合高阶调制方式的算法。
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公开(公告)号：CN107370705A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710494935.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高动态弱连续相位调制信号捕获中FFT的优化方法，主要解决现有技术捕获时间和采样频率过高的问题。其实现方案是：在接收端先将接收到的信号依次进行滤波、下变频和数字采样，得到基带复信号并对其进行频差补偿；再分别对补偿后信号和本地CA码调制信号进行FFT运算，并留下计算后的前1/4个数据，将余下的3/4个数据设置为零，得到两组采样序列；接着将两组采样序列共轭相乘，将结果进行IFFT运算得到相关函数；最后对相关函数进行积累和平方，得到判决量，若判决量出现明显峰值，判定捕获成功，反之不成功。本发明无需使用过高的采样频率，提高了捕获时间，降低了复杂度，可用于CPM信号捕获系统和卫星通信中。
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公开(公告)号：CN101901757B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010209324.8
申请日：2010-06-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底的非极性a面GaN薄膜生长方法，主要解决常规非极性材料质量差的问题。其生长步骤是：(1)将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在a面SiC衬底上生长厚度为100-200nm，温度为600-800℃的无应力AlInN成核层；(3)在所述无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性a面GaN缓冲层；(4)在所述非极性a面GaN缓冲层之上生长厚度为100-500nm，温度为600-800℃的无应力AlInN插入层；(5)在所述无应力AlInN插入层之上生长厚度为2000-4000nm，镓源流量为50-200μmol/min，氨气流量为1000-3000sccm的低V-III比非极性a面GaN外延层。本发明的a面GaN薄膜具有低缺陷的优点，用于制作非极性a面GaN发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101901760A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010209567.1
申请日：2010-06-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的低温无应力AlInN层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的高温GaN层；(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层；(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层；(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。
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公开(公告)号：CN107370705B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710494935.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高动态弱连续相位调制信号捕获中FFT的优化方法，主要解决现有技术捕获时间和采样频率过高的问题。其实现方案是：在接收端先将接收到的信号依次进行滤波、下变频和数字采样，得到基带复信号并对其进行频差补偿；再分别对补偿后信号和本地CA码调制信号进行FFT运算，并留下计算后的前1/4个数据，将余下的3/4个数据设置为零，得到两组采样序列；接着将两组采样序列共轭相乘，将结果进行IFFT运算得到相关函数；最后对相关函数进行积累和平方，得到判决量，若判决量出现明显峰值，判定捕获成功，反之不成功。本发明无需使用过高的采样频率，提高了捕获时间，降低了复杂度，可用于CPM信号捕获系统和卫星通信中。
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公开(公告)号：CN119164887A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411307738.2
申请日：2024-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单像素的荧光光声双模态成像装置与方法，将物体置于成像单元的物镜焦距位置；开启激光器，调节光束整形单元将激光器发射的激光放大至所需大小；结构光产生单元基于放大的激光光束产生二进制黑白图案，得到结构光；结构光照射在物体上，使物体激发产生荧光信号和光声信号；采用单点探测方法，采集所述荧光信号和光声信号，通过与产生所述二进制黑白图案的算法对应的逆算法进行图像重建。本发明基于单像素技术实现了光声荧光双模态成像，以单像素成像技术路线代替传统阵列成像模式为突破口，从成像原理上解决光声和荧光图像融合问题，最终获得时空匹配的多模态图像，同时具有成本低、成像速度快、无需复杂的光学系统等优点。
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公开(公告)号：CN118368080A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311615606.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国网宁夏电力有限公司 , 北京科东电力控制系统有限责任公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
Inventor： 尹亮 , 张宏杰 , 宁志言 , 王放 , 郑铁军 , 李勃 , 贺建伟 , 张志军 , 梁野 , 彭嘉宁 , 何纪成 , 马骁 , 高英建 , 施佳锋 , 多志林 , 王景 , 卢楷 , 王坤 , 王春艳 , 李航 , 王昊 , 赵兴文 , 于浩洋
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明涉及一种企业隐私分析与异常发现方法、装置、设备和存储介质，方法包括步骤：收集目标网络中的证书流量，并从证书流量中抓取握手数据包，将握手数据包作为目标文件；在目标时间段内的目标文件中依次提取证书、会话双方的IP地址和证书链，以及记录握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系；基于握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系对证书链中的证书数据进行分析；根据分析出现异常的证书数据对相应流量段进行验证，并根据验证结果确认相应流量段是否出现异常。该方法通过对企业之间的证书流量数据进行采集和监视获取证书信息，可以及时检测潜在危险的异常证书行为。
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公开(公告)号：CN116980175A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310597624.5
申请日：2023-05-25
Applicant: 北京科东电力控制系统有限责任公司 , 西安电子科技大学
Inventor： 尹亮 , 张宏杰 , 宁志言 , 王放 , 郑铁军 , 吴坡 , 李勃 , 贺建伟 , 张志军 , 梁野 , 彭嘉宁 , 何纪成 , 马骁 , 高英建 , 施佳锋 , 多志林 , 王景 , 卢楷 , 王坤 , 王春艳 , 李航 , 王昊 , 赵兴文 , 于浩洋
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明涉及一种企业隐私分析与异常发现方法、装置、设备和存储介质，方法包括步骤：收集目标网络中的证书流量，并从证书流量中抓取握手数据包，将握手数据包作为目标文件；在目标时间段内的目标文件中依次提取证书、会话双方的IP地址和证书链，以及记录握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系；基于握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系对证书链中的证书数据进行分析；根据分析出现异常的证书数据对相应流量段进行验证，并根据验证结果确认相应流量段是否出现异常。该方法通过对企业之间的证书流量数据进行采集和监视获取证书信息，可以及时检测潜在危险的异常证书行为。
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