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公开(公告)号：CN117460034A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311556800.7
申请日：2023-11-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种智能反射面中继辅助的车联网功率分配和用户调度方法、系统、设备及介质，方法包括：构建RIS中继辅助毫米波车联网通信场景；构建RIS中继传播策略；对RIS中继辅助毫米波车联网通信场景的优化目标建模；根据优化目标构建深度强化学习算法模型；根据深度强化学习算法模型构建深度强化学习训练模型，结合通信场景、RIS相位设计方法和目标函数，设置深度强化学习训练模型的状态、动作及奖励函数，进行模型训练；根据训练模型得到RIS中继辅助毫米波车联网决策模型，得到优化问题的最优解；系统、设备及介质，用于实现该方法；本发明能够实现高动态车辆场景下的实时决策，并保证所有车辆在每个服务时段都能获得高质量的数据服务。
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公开(公告)号：CN116208619A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310276875.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L67/1074 , H04L41/14 , H04L41/16 , H04W4/40 , H04L67/12
Abstract: 一种智能反射表面辅助的车联网安全计算卸载方法、系统、设备及介质，方法包括：构建RIS辅助MEC车辆网络通信场景；构建RIS辅助的安全通信场景；构建RIS辅助MEC车辆网络场景的优化目标函数；构建深度强化学习算法模型；构建深度强化学习训练模型，设置训练模型的状态、动作及奖励，对优化目标进行模型训练；RIS辅助MEC车辆网络决策模型，得到车联网安全计算卸载方案；系统、设备及介质用于实现一种智能反射表面辅助的车联网安全计算卸载方法；本发明通过联合设计RIS相移矩阵和实时分配MEC计算资源来最小化最大的MEC服务时间，解决了动态车联网场景下任务卸载延迟及安全问题，满足通信链路安全，提升MEC整体服务质量，使车联网服务质量和安全性能得到保证。
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公开(公告)号：CN113709701A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110997198.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于毫米波车联网通信技术领域，公开了一种毫米波车联网联合波束分配和中继选择方法，所述毫米波车联网联合波束分配和中继选择方法包括：构建单基站的毫米波车联网通信场景；对通信过程、优化目标、容量阈值约束和联合优化问题进行建模；获取当前时刻的状态信息，作为深度强化学习的状态输入；为目标车辆选择直连传输链路或中继传输链路；设计奖励机制和神经网络的结构；提取当前状态的输入特征，得到各种输入状态下不同动作的Q值，训练和更新神经网络参数；将Q值最大的动作作为当前状态下目标车辆的链路选择、波束分配和中继车辆的策略。本发明能够使得毫米波基站对复杂环境有着很强的适应能力，并且其性能明显优于基准方案。
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公开(公告)号：CN114827947A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210253563.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于车联网边缘计算技术领域，公开了一种车联网安全计算卸载及资源分配方法、计算机设备及终端，本发明能够克服由于多窃听者和车辆移动带来的不确定性，在考虑物理层安全使得通信安全的同时降低服务延迟。首先将优化问题建模为一个多智能体顺序决策问题，并利用强化学习方法进行求解。由于DQN(Deep Q learning)方法有过估计问题，会高估Q值大小从而降低了性能。因此，采用DDQN(Dueling deep Q learning)的方法来训练多智能体模型。其中利用排队论对车辆的动态过程进行了建模，使得场景更加接近实际的场景。该方法使得用户能够选择一个合理的策略使得所有车辆中最大延迟最小化。
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公开(公告)号：CN113709701B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110997198.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于毫米波车联网通信技术领域，公开了一种毫米波车联网联合波束分配和中继选择方法，所述毫米波车联网联合波束分配和中继选择方法包括：构建单基站的毫米波车联网通信场景；对通信过程、优化目标、容量阈值约束和联合优化问题进行建模；获取当前时刻的状态信息，作为深度强化学习的状态输入；为目标车辆选择直连传输链路或中继传输链路；设计奖励机制和神经网络的结构；提取当前状态的输入特征，得到各种输入状态下不同动作的Q值，训练和更新神经网络参数；将Q值最大的动作作为当前状态下目标车辆的链路选择、波束分配和中继车辆的策略。本发明能够使得毫米波基站对复杂环境有着很强的适应能力，并且其性能明显优于基准方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111413314A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010245412.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于贝塞尔光的便携式拉曼光谱仪，包括激光器、贝塞尔光生成模块、样本台、拉曼信号收集模块和光谱仪，其中，激光器，用于通过传输光纤或空间自由光方式发射高斯光束；贝塞尔光生成模块，用于将激光器发射的高斯光束转换成贝塞尔光束，并将贝塞尔光束照射到样本上激发出瑞利散射信号和拉曼散射信号；样本台，用于放置样本，样本被所述贝塞尔光束照射后激发出瑞利散射信号和拉曼散射信号；拉曼信号收集模块，用于收集样本透射的瑞利散射信号和拉曼散射信号，并滤除瑞利散射信号，保留拉曼散射信号，耦合拉曼散射信号到光谱仪；光谱仪，用于接收拉曼信号收集模块收集的拉曼散射信号。本发明的模块化设计，使安装和携带更加方便。
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公开(公告)号：CN119052830A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411272370.0
申请日：2024-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种智能反射面辅助的无人机应急通信方法、系统、设备和介质，方法为：构建无人机搭载智能反射面辅助节能应急通信场景；对无人机搭载智能反射面辅助节能应急通信场景中的UAV‑RIS辅助多个地面设备的通信过程进行建模；对无人机推进能耗，轨迹约束进行建模；对最终能耗比的优化目标进行建模，构建模型求解时的目标函数；根据优化目标构建深度强化学习算法模型；构建深度强化学习训练模型，并设置状态空间、动作空间和奖励函数；对深度强化学习训练模型进行训练，得到无人机搭载智能反射面辅助节能应急通信决策模型，得到优化问题的最优解；系统、设备和介质用于实现该方法；本发明具有能够为恶劣的应急场景下提供灵活度更高，更为持久的通信服务优点。
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公开(公告)号：CN116582327A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310548754.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于秘密共享算法的无人机CAN总线加密通信系统及方法，解决现有技术中存在的容易受到伪造、洪泛和重放攻击安全隐患，以及现有加密通信方法存储计算要求高、通信负载大的技术问题。本发明的技术方案包括：无人机预存储验证信息；密钥生成模块根据解析信息生成会话密钥和时间戳；密钥分发模块利用秘密共享算法分发会话密钥；密钥恢复模块利用拉格朗日插值法恢复会话密钥；密钥分发中心确认会话密钥分发完成。本发明能够保证无人机CAN总线加密通信，使无人机CAN总线具备加密和身份验证机制，显著提升无人机CAN总线的安全性。
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公开(公告)号：CN116053326A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211685797.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/417
Abstract: 本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有良好p型欧姆接触的pn结二极管及其制备方法，包括：衬底、n型掺杂的合金氮化物层、p型掺杂的合金氮化物层和p型掺杂的氮化物层；p型掺杂的氮化物层位于p型掺杂的合金氮化物层表面的端部，且p型掺杂的氮化物层与p型掺杂的合金氮化物层之间形成二维空穴气沟道；p型掺杂的氮化物层与p型掺杂的合金氮化物层之间能够形成二维空穴气，二维空穴气位于二维空穴气沟道内；p型掺杂的氮化物层的上方设有阳极，n型掺杂的合金氮化物层上还设有阴极。本申请实施例能够解决现有的p型欧姆接触二极管中p型AlGaN材料与金属间的势垒高度较大，导致难以形成良好的欧姆接触的问题。
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公开(公告)号：CN116053293A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211104081.0
申请日：2022-09-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种用于抗单粒子烧毁的P‑GaN增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)、钝化层(6)；源级(8)和漏极(9)位于沟道层、势垒层和钝化层的两端；漏极上部的左侧设有与该漏极连接为一体的漏场板(10)；源级右侧的势垒层之上设有P‑GaN层(7)，其上设有栅极(13)和与该栅极相连的栅场板(12)；栅场板和漏场板之间设有肖特基金属层(11)，该肖特基金属层下方的势垒层内设有N+掺杂区(5)。本发明有效提高了P‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于航天电子系统中。
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