公开(公告)号：CN108767047B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201810380972.6

申请日：2018-04-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毕臻 ,  苏爱雪 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  张金凤 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。

公开(公告)号：CN108767047A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810380972.6

申请日：2018-04-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毕臻 ,  苏爱雪 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  张金凤 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。