公开(公告)号：CN113862780A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110939567.5

申请日：2021-08-16

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 许晟瑞 ,  王雨佳 ,  胡琳琳 ,  贠博祥 ,  杜金娟 ,  许文强 ,  张雅超 ,  张金凤 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种应用于MOCVD设备的可伸缩基座，所述基座包括：基体、压力传感器、伸缩杆、控制装置；其中，所述基体包括母材和涂层；所述基体内部均匀的分布多个伸缩杆；所述压力传感器位于所述伸缩杆顶部；所述控制装置位于所述基体底部中间；所述控制装置内部署有数据处理模块；所述控制装置、压力传感器和伸缩杆部署有通信模块。所述基座能够根据压力信息进行智能伸缩，能够解决在外延生长时由于温度升高导致衬底与基座发生分离的现象，能够保证基座与衬底实时保持贴合状态，从而使衬底各处能够均匀加热，使衬底各处的温度均匀分布，以提高外延生长得到的半导体材料的晶体薄膜质量。

公开(公告)号：CN101246902A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810017777.3

申请日：2008-03-24

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王冲 ,  郝跃 ,  张金凤 ,  陈军峰 ,  张进城 ,  冯倩

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种InAlN/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法。其制作过程为：1)在蓝宝石或SiC衬底上外延生长1～3μm的GaN层；2)在GaN层上外延生长厚度为15～20nm的第一InAlN层，In组分为30～35％，外延生长温度为800℃；3)在第一InAlN层上外延生长厚度为10～15nm第二InAlN层，In组分为10～20％，外延生长温度为800℃；4)在第二InAlN层上进行有源区台面隔离和欧姆接触制作；5)在第二InAlN层上进行栅光刻掩模，并去除栅下方的第二InAlN层，形成槽栅结构；6)在栅槽中淀积厚度为3～5nm的Al2O3介质层；7)在Al2O3介质层上制作完成栅接触，并对源漏和栅引出电极。本发明具有正向阈值电压高，正栅电压工作范围大，栅泄漏电流小的优点，可用于制作增强型的高电子迁移率晶体管。

公开(公告)号：CN115036362A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210610478.0

申请日：2022-05-31

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 许晟瑞 ,  高源 ,  王心颢 ,  王宇轩 ,  张涛 ,  张金凤 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L23/373 ,  H01L21/02 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种基于衬底处理的单晶金刚石上AlGaN/GaN异质结及制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上外延生长的异质结晶体质量差的问题。其实现方案是：采用单晶金刚石材料作为衬底，且对该衬底进行离子注入和等离子体轰击处理；再在其上磁控溅射AlN层；接着在AlN层上通过MOCVD工艺生长GaN层，并进一步在GaN层上生长AlGaN层，形成自下而上包括衬底、磁控溅射AlN层、GaN外延层和AlGaN外延层的异质结结构。本发明由于对单晶金刚石衬底进行离子注入和轰击处理，因而为在衬底上的后续外延生长提供了更多悬挂键，提高异质结的质量，改善器件的散热能力，可用于大功率GaN基微波功率器件的制备。

公开(公告)号：CN115036361A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210609488.2

申请日：2022-05-31

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 许晟瑞 ,  高源 ,  徐爽 ,  王宇轩 ,  张涛 ,  张金凤 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L23/373 ,  H01L21/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C16/30 ,  C23C28/04

摘要： 本发明公开了一种在单晶金刚石衬底上进行成核层优化的AlN/GaN异质结制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上制作异质结的晶体质量低，影响器件散热能力和工作性能的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN外延层(4)和AlN外延层(5)。其中衬底采用经等离子体轰击处理后的单晶金刚石，以提升GaN外延层的成核能力。同时衬底与GaN外延层之间依次增设h‑BN层(2)、溅射BxAl1‑xN层(3)，该h‑BN层为GaN生长提供成核点，该溅射BxAl1‑xN层用于缓冲h‑BN层与GaN层的晶格差异。本发明提高了GaN外延层的晶体质量，可用于制作功率器件，提高器件散热能力和工作性能。

公开(公告)号：CN102359956B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110293524.0

申请日：2011-10-02

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郝跃 ,  王党会 ,  许晟瑞 ,  张进城 ,  张金凤 ,  毕志伟 ,  毛维 ,  马晓华 ,  赵胜雷 ,  薛晓咏 ,  艾姗

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E2声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KOH溶液腐蚀实验、去污处理和腐蚀后的拉曼散射测试，得到腐蚀后E2声子模的频移值；最后根据a面GaN外延层薄膜样品在腐蚀前后E2频移值偏移量的大小ΔE2，利用公式σxx＝ΔE2/k，其中k为常数，计算a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的大小。由于本发明对a面GaN外延层薄膜进行腐蚀前后两次拉曼散射测试，消除了常规拉曼表征法中衬底对a面GaN外延层薄膜应力的影响，且计算出的外延层薄膜腐蚀应力误差较小，可应用于各种不同结构a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的表征。

公开(公告)号：CN102359956A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110293524.0

申请日：2011-10-02

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郝跃 ,  王党会 ,  许晟瑞 ,  张进城 ,  张金凤 ,  毕志伟 ,  毛维 ,  马晓华 ,  赵胜雷 ,  薛晓咏 ,  艾姗

IPC分类号： G01N21/65

摘要： 本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E2声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KOH溶液腐蚀实验、去污处理和腐蚀后的拉曼散射测试，得到腐蚀后E2声子模的频移值；最后根据a面GaN外延层薄膜样品在腐蚀前后E2频移值偏移量的大小ΔE2，利用公式σxx＝ΔE2/k，其中k为常数，计算a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的大小。由于本发明对a面GaN外延层薄膜进行腐蚀前后两次拉曼散射测试，消除了常规拉曼表征法中衬底对a面GaN外延层薄膜应力的影响，且计算出的外延层薄膜腐蚀应力误差较小，可应用于各种不同结构a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的表征。

公开(公告)号：CN108649120A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810380285.4

申请日：2018-04-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毕臻 ,  张泽阳 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  张金凤 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

摘要： 本发明公开了一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法，包括自下而上依次分布的具有SU8表面纳米陷光阵列的减反层、ITO玻璃衬底、ITO纳米陷光结构、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层，在电子传输层上方设有阴极，在ITO纳米陷光结构上方设有阳极；纳米陷光阵列的减反层为SU-8减反射膜，减反射膜具有类半球结构的表面减反阵列的陷光结构；ITO纳米陷光结构为具有二维结构孔形或柱形阵列结构。该结构具有良好的陷光效果，增加光程，增强有效光吸收，产生更多的载流子和更大光电流，提高明暗对比度、外量子效率和光电灵敏度。

公开(公告)号：CN108767047A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810380972.6

申请日：2018-04-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毕臻 ,  苏爱雪 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  张金凤 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。

公开(公告)号：CN108767047B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201810380972.6

申请日：2018-04-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毕臻 ,  苏爱雪 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  张金凤 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。

公开(公告)号：CN105448962B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201510846524.7

申请日：2015-11-27

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王冲 ,  魏晓晓 ,  张金凤 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源漏电极分别位于SiN层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层异质结与SiN层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在SiN钝化层顶部和SiN钝化层、第一层异质结、第二层异质结的两个侧壁。本发明器件栅控能力强，载流子迁移率和饱和速度高，饱和电流大，可用于短栅长的低噪声微波功率器件。