公开(公告)号：CN103220115A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310163242.8

申请日：2013-05-05

申请人： 西安电子科技大学 ,  北京大学 ,  北京三梯通网络技术有限公司 ,  北京翰诺科技有限公司

发明人： 张奭 ,  王鹏飞 ,  李红滨 ,  张诚 ,  张冰 ,  颜克洲 ,  邱智亮 ,  赵辉 ,  景杨

IPC分类号： H04L5/00 ,  H04L5/22

摘要： 本发明公开了一种时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率不高的问题。其实现步骤是：首先，设置网络环境，确定网络中中心节点和从属节点的个数；其次，根据具体的时隙用途定义K种码字，其中包括K-1种用途码字和1种节点分隔符码字，并对这K种码字进行编码；然后，确定下一个规划周期中的时隙分配结果，并根据下一个规划周期中的时隙分配结果将用途码字放到规划帧中的相应位置；最后，插入节点分隔符码字，完成信道规划帧编码。本发明有效减小了规划帧编码长度，降低了规划帧在信道传输时的开销，提高了信道利用率，并且对设备要求低，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。

公开(公告)号：CN103220038A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310163063.4

申请日：2013-05-06

申请人： 西安电子科技大学 ,  北京大学 ,  北京三梯通网络技术有限公司 ,  北京翰诺科技有限公司

发明人： 张冰 ,  景杨 ,  李红滨 ,  张诚 ,  颜克洲 ,  张奭 ,  邱智亮 ,  王鹏飞 ,  赵辉 ,  潘伟涛

IPC分类号： H04B7/26 ,  H04L1/00 ,  H04L5/14

摘要： 本发明公开了一种基于图样的时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率低的问题。实现步骤是：（1）设置网络节点；（2）划分规划周期；（3）中心节点对规划周期中的时隙进行分配，得到规划周期中时隙的分配结果；（4）根据时隙分配结果生成上、下行节点图样；（5）根据时隙用途定义P种码字，并对这P种码字进行编码；（6）根据时隙分配结果生成上下行时隙映射图样，并将上、下行节点图样和上下行时隙图样组合在一起，完成规划帧编码。本发明具有规划帧编码长度小，规划帧在信道传输时开销低，信道利用率高，且对设备要求低的优点，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。

公开(公告)号：CN103220038B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310163063.4

申请日：2013-05-06

申请人： 西安电子科技大学 ,  北京大学 ,  北京三梯通网络技术有限公司 ,  北京瀚诺科技有限公司

发明人： 张冰 ,  景杨 ,  李红滨 ,  张诚 ,  颜克洲 ,  张奭 ,  邱智亮 ,  王鹏飞 ,  赵辉 ,  潘伟涛

IPC分类号： H04L1/00

摘要： 本发明公开了一种基于图样的时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率低的问题。实现步骤是：（1）设置网络节点；（2）划分规划周期；（3）中心节点对规划周期中的时隙进行分配，得到规划周期中时隙的分配结果；（4）根据时隙分配结果生成上、下行节点图样；（5）根据时隙用途定义P种码字，并对这P种码字进行编码；（6）根据时隙分配结果生成上下行时隙映射图样，并将上、下行节点图样和上下行时隙图样组合在一起，完成规划帧编码。本发明具有规划帧编码长度小，规划帧在信道传输时开销低，信道利用率高，且对设备要求低的优点，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。

公开(公告)号：CN103220038A8

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310163063.4

申请日：2013-05-06

申请人： 西安电子科技大学 ,  北京大学 ,  北京三梯通网络技术有限公司 ,  北京瀚诺科技有限公司

发明人： 张冰 ,  景杨 ,  李红滨 ,  张诚 ,  颜克洲 ,  张奭 ,  邱智亮 ,  王鹏飞 ,  赵辉 ,  潘伟涛

IPC分类号： H04B7/26 ,  H04L1/00 ,  H04L5/14

摘要： 本发明公开了一种基于图样的时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率低的问题。实现步骤是：（1）设置网络节点；（2）划分规划周期；（3）中心节点对规划周期中的时隙进行分配，得到规划周期中时隙的分配结果；（4）根据时隙分配结果生成上、下行节点图样；（5）根据时隙用途定义P种码字，并对这P种码字进行编码；（6）根据时隙分配结果生成上下行时隙映射图样，并将上、下行节点图样和上下行时隙图样组合在一起，完成规划帧编码。本发明具有规划帧编码长度小，规划帧在信道传输时开销低，信道利用率高，且对设备要求低的优点，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。

公开(公告)号：CN103220115A8

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310163242.8

申请日：2013-05-05

申请人： 西安电子科技大学 ,  北京大学 ,  北京三梯通网络技术有限公司 ,  北京瀚诺科技有限公司

发明人： 张奭 ,  王鹏飞 ,  李红滨 ,  张诚 ,  张冰 ,  颜克洲 ,  邱智亮 ,  赵辉 ,  景杨

IPC分类号： H04L5/00 ,  H04L5/22

摘要： 本发明公开了一种时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率不高的问题。其实现步骤是：首先，设置网络环境，确定网络中中心节点和从属节点的个数；其次，根据具体的时隙用途定义K种码字，其中包括K-1种用途码字和1种节点分隔符码字，并对这K种码字进行编码；然后，确定下一个规划周期中的时隙分配结果，并根据下一个规划周期中的时隙分配结果将用途码字放到规划帧中的相应位置；最后，插入节点分隔符码字，完成信道规划帧编码。本发明有效减小了规划帧编码长度，降低了规划帧在信道传输时的开销，提高了信道利用率，并且对设备要求低，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。

公开(公告)号：CN103220115B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310163242.8

申请日：2013-05-05

申请人： 西安电子科技大学 ,  北京大学 ,  北京三梯通网络技术有限公司 ,  北京瀚诺科技有限公司

发明人： 张奭 ,  王鹏飞 ,  李红滨 ,  张诚 ,  张冰 ,  颜克洲 ,  邱智亮 ,  赵辉 ,  景杨

IPC分类号： H04L5/00 ,  H04L5/22

摘要： 本发明公开了一种时分双工/时分多址信道规划帧编码方法，主要解决现有信道规划帧编码效率不高的问题。其实现步骤是：首先，设置网络环境，确定网络中中心节点和从属节点的个数；其次，根据具体的时隙用途定义K种码字，其中包括K-1种用途码字和1种节点分隔符码字，并对这K种码字进行编码；然后，确定下一个规划周期中的时隙分配结果，并根据下一个规划周期中的时隙分配结果将用途码字放到规划帧中的相应位置；最后，插入节点分隔符码字，完成信道规划帧编码。本发明有效减小了规划帧编码长度，降低了规划帧在信道传输时的开销，提高了信道利用率，并且对设备要求低，可应用于各种采用时分双工/时分多址通信的局域网和接入网领域。

公开(公告)号：CN115241066A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210514712.X

申请日：2022-05-12

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 宓珉瀚 ,  杜翔 ,  马晓华 ,  周雨威 ,  王鹏飞 ,  龚灿 ,  安思瑞 ,  张濛 ,  侯斌

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法，方法包括：制备外延基片，外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；在缓冲层上制作源电极和漏电极；在势垒层上制作有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极和势垒层上生长介质层；在介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，栅电极位于源电极和漏电极之间，预设组合凹槽为由沿栅宽方向在介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在金属互联开孔区的源电极和漏电极以及未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。本发明的势垒层完全被介质层保护，从而避免了刻蚀损伤带来的器件电学性能的退化。

公开(公告)号：CN114843335A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210205185.4

申请日：2022-03-02

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 宓珉瀚 ,  马晓华 ,  龚灿 ,  周雨威 ,  王鹏飞 ,  张濛 ,  侯斌 ,  杨凌

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法，采用高极化强度低方阻异质结材料进行器件制备；光刻定义出源极的欧姆再生长区域；在光刻胶的掩蔽下，对源极欧姆再生长区域的氮化物进行刻蚀；外延n+GaN；光刻定义出自终止刻蚀区域；在光刻胶的掩蔽下，对自终止刻蚀区域的n+GaN进行自终止刻蚀；对器件隔离区域再次进行自终止刻蚀以去除未被光刻胶保护区域的表面n+GaN。本发明制备的器件工作电压增加时，源极势垒高度发生降低、势垒厚度发生减薄使得源极再生长台阶(Ledge)与2DEG沟道间发生热电子转移或者隧穿等，使得源极导电通路增加，削弱了由于电流增加导致源极接入电阻的增加，使得GaN HEMT的线性度提升。

公开(公告)号：CN114447113A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111566917.4

申请日：2021-12-20

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 马晓华 ,  安思瑞 ,  宓珉瀚 ,  王鹏飞 ,  周雨威 ,  张濛 ,  侯斌 ,  杨凌

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了基于栅下图形化的新型Fin结构GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件包括：外延基片、源电极区、漏电极区、钝化层、欧姆金属、第二势垒层和栅电极；其中，所述外延基片自下而上包括衬底层、成核层、缓冲层和第一势垒层；所述第一势垒层位于所述缓冲层上方；源电极区和漏电极区位于缓冲层和第一势垒层两侧；所述欧姆金属位于所述源电极区和所述漏电极区的上方；所述钝化层覆盖在所述第一势垒层和所述欧姆金属上，且所述钝化层中间有预设栅槽区域；所述预设栅槽区域的深度等于或大于钝化层深度；所述第一势垒层上包括预设阵列凹槽区域；所述第二势垒层覆盖在所述预设阵列凹槽区域上；所述第二势垒层上覆盖有栅电极。本发明器件具有高电流、高功率输出能力。

公开(公告)号：CN114300359A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111372202.5

申请日：2021-11-18

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 宓珉瀚 ,  马晓华 ,  王鹏飞 ,  安思瑞 ,  周雨威 ,  张濛 ,  侯斌 ,  杨凌

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N沟道的势垒沟道复合层、第一势垒层和帽层；N沟道的势垒沟道复合层包括间隔生长的第二势垒层与沟道层；在帽层上根据刻蚀图形和刻蚀占比光刻出欧姆图形化阵列区域，根据欧姆图形化阵列区域刻蚀帽层形成欧姆接触槽阵列；在帽层上光刻出源电、漏电极区域，分别在源、漏电极区域内的帽层上和欧姆接触槽阵列内形成源、漏电极；在帽层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层的中间区域直至帽层形成栅槽；在栅槽内和栅槽两侧的钝化层上形成T型栅电极；在源、漏和T型栅电极上沉积互联金属。本发明可以应用于高频高线性器件。