公开(公告)号：CN115241066A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210514712.X

申请日：2022-05-12

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 宓珉瀚 ,  杜翔 ,  马晓华 ,  周雨威 ,  王鹏飞 ,  龚灿 ,  安思瑞 ,  张濛 ,  侯斌

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法，方法包括：制备外延基片，外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；在缓冲层上制作源电极和漏电极；在势垒层上制作有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极和势垒层上生长介质层；在介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，栅电极位于源电极和漏电极之间，预设组合凹槽为由沿栅宽方向在介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在金属互联开孔区的源电极和漏电极以及未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。本发明的势垒层完全被介质层保护，从而避免了刻蚀损伤带来的器件电学性能的退化。

公开(公告)号：CN112670695B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202011530285.1

申请日：2020-12-22

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 卢阳 ,  王语晨 ,  马晓华 ,  赵子越 ,  易楚朋 ,  周九鼎 ,  刘文良

IPC分类号： H01P11/00 ,  H01P3/08 ,  H01B1/02

摘要： 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN112670695A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011530285.1

申请日：2020-12-22

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 卢阳 ,  王语晨 ,  马晓华 ,  赵子越 ,  易楚朋 ,  周九鼎 ,  刘文良

IPC分类号： H01P11/00 ,  H01P3/08 ,  H01B1/02

摘要： 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN114843335A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210205185.4

申请日：2022-03-02

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 宓珉瀚 ,  马晓华 ,  龚灿 ,  周雨威 ,  王鹏飞 ,  张濛 ,  侯斌 ,  杨凌

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法，采用高极化强度低方阻异质结材料进行器件制备；光刻定义出源极的欧姆再生长区域；在光刻胶的掩蔽下，对源极欧姆再生长区域的氮化物进行刻蚀；外延n+GaN；光刻定义出自终止刻蚀区域；在光刻胶的掩蔽下，对自终止刻蚀区域的n+GaN进行自终止刻蚀；对器件隔离区域再次进行自终止刻蚀以去除未被光刻胶保护区域的表面n+GaN。本发明制备的器件工作电压增加时，源极势垒高度发生降低、势垒厚度发生减薄使得源极再生长台阶(Ledge)与2DEG沟道间发生热电子转移或者隧穿等，使得源极导电通路增加，削弱了由于电流增加导致源极接入电阻的增加，使得GaN HEMT的线性度提升。

公开(公告)号：CN114447113A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111566917.4

申请日：2021-12-20

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 马晓华 ,  安思瑞 ,  宓珉瀚 ,  王鹏飞 ,  周雨威 ,  张濛 ,  侯斌 ,  杨凌

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了基于栅下图形化的新型Fin结构GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件包括：外延基片、源电极区、漏电极区、钝化层、欧姆金属、第二势垒层和栅电极；其中，所述外延基片自下而上包括衬底层、成核层、缓冲层和第一势垒层；所述第一势垒层位于所述缓冲层上方；源电极区和漏电极区位于缓冲层和第一势垒层两侧；所述欧姆金属位于所述源电极区和所述漏电极区的上方；所述钝化层覆盖在所述第一势垒层和所述欧姆金属上，且所述钝化层中间有预设栅槽区域；所述预设栅槽区域的深度等于或大于钝化层深度；所述第一势垒层上包括预设阵列凹槽区域；所述第二势垒层覆盖在所述预设阵列凹槽区域上；所述第二势垒层上覆盖有栅电极。本发明器件具有高电流、高功率输出能力。

公开(公告)号：CN114373679A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111508350.5

申请日：2021-12-10

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 马晓华 ,  宓珉瀚 ,  龚灿 ,  周雨威 ,  卢怡玮 ,  张濛 ,  侯斌

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法，方法包括：在衬底层上制备方块电阻异质结结构；去除欧姆再生长区域内的缓冲层和预设深度的势垒层；在图形化阵列区域内所暴露的势垒层上生长n+GaN层；去除自终止刻蚀区域内的n+GaN层；在隔离区域注入等离子体；在n+GaN层上淀积金属，以制备源电极和漏电极；在n+GaN层、隔离体和势垒层上制备钝化层；在处于栅极区域的势垒层上制备淀积金属。本发明可以明显降低器件的导通电阻。本发明的欧姆再生长区域图案化处理增加了器件欧姆区域金属与再生长材料之间的接触面积，将更进一步的减小欧姆接触电阻，降低器件寄生电阻，提升HEMT器件的射频功率性能。

公开(公告)号：CN114300359A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111372202.5

申请日：2021-11-18

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 宓珉瀚 ,  马晓华 ,  王鹏飞 ,  安思瑞 ,  周雨威 ,  张濛 ,  侯斌 ,  杨凌

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种基于欧姆图形化调制多沟道间耦合性的HEMT器件及制备方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N沟道的势垒沟道复合层、第一势垒层和帽层；N沟道的势垒沟道复合层包括间隔生长的第二势垒层与沟道层；在帽层上根据刻蚀图形和刻蚀占比光刻出欧姆图形化阵列区域，根据欧姆图形化阵列区域刻蚀帽层形成欧姆接触槽阵列；在帽层上光刻出源电、漏电极区域，分别在源、漏电极区域内的帽层上和欧姆接触槽阵列内形成源、漏电极；在帽层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层的中间区域直至帽层形成栅槽；在栅槽内和栅槽两侧的钝化层上形成T型栅电极；在源、漏和T型栅电极上沉积互联金属。本发明可以应用于高频高线性器件。

公开(公告)号：CN118431260A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410540813.3

申请日：2024-04-30

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 曹艳荣 ,  张新祥 ,  陈川 ,  王志恒 ,  苏硕 ,  张微微 ,  吴林珊 ,  吕玲 ,  许晟瑞 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种改善电场特性的增强型氮化镓器件结构及其制备方法，氮化镓器件结构包括：缓冲层、势垒层、P型GaN层、N型AlGaN层、源极、漏极和栅极，其中，缓冲层和势垒层层叠，且缓冲层和势垒层之间形成二维电子气沟道；P型GaN层和N型AlGaN层均位于二维电子气沟道靠近势垒层的一侧，P型GaN层的侧面与N型AlGaN层的侧面相接触；源极和漏极分布在二维电子气沟道靠近势垒层的一侧；栅极覆盖P型GaN层和N型AlGaN层，与势垒层相接触，且位于源极和漏极之间。本发明的器件实现了高跨导、高输出电流、高功率密度、高阈值电压等优良电学特性，并且具有较好的耐高温特性，在极端环境下也具备较好的稳定性。

公开(公告)号：CN118246500A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410329018.X

申请日：2024-03-21

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王宏 ,  王瑞 ,  马晓华 ,  曾桐龙

IPC分类号： G06N3/063 ,  G06N3/049 ,  G06V10/94

摘要： 本发明公开了一种基于脉冲神经元阵列预测短期数据的方法及系统，将一组传感信号输入至脉冲神经元阵列，以使脉冲神经元阵列对应输出一组尖峰电流信号；其中，每个脉冲神经元单元中的光电晶体管对输入至该脉冲神经元单元的传感信号进行感知后输出源漏电流信号，该脉冲神经元单元的易失性忆阻器对该源漏电流信号进行频域尖峰编码，输出一个尖峰电流信号。根据一组尖峰电流信号，获取一组首脉冲时间。根据一组首脉冲时间，利用时空变换方程获得短期数据预测结果；短期数据预测结果为包含未来时间信息的空间信息。本方案无需大量数据训练就可以实现短期数据预测，且脉冲神经元阵列可以以极高的速度和极低的功耗完成对感知信号的感知和频域尖峰编码。

公开(公告)号：CN118185627A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410152697.8

申请日：2024-02-03

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 仲鹏 ,  高程杰 ,  曹烨 ,  曹巍 ,  聂俊丽 ,  马晓华

IPC分类号： C09K11/66 ,  C09K11/02

摘要： 本发明涉及一种适用于水环境的钙钛矿量子点MOFs复合发光材料的制备方法，包括：将金属盐和有机配体溶解在溶剂中进行混合反应，对反应后的溶液进行离心、洗涤和干燥处理得到MOFs材料；利用MOFs材料对铯铅溴钙钛矿量子点进行封装处理，得到铯铅溴钙钛矿量子点嵌入MOFs材料的复合发光材料CsPbBr3@MOFs粉末；对CsPbBr3@MOFs粉末进行疏水处理，得到适用于水环境的钙钛矿量子点MOFs复合发光材料。本发明将铯铅溴钙钛矿量子点嵌入MOFs材料中，利用MOFs材料减少铯铅溴钙钛矿量子点与外界环境的接触以及防止其团聚，在制备CsPbBr3@MOFs时引入有机配体减少量子点表面缺陷；再将制备得到的CsPbBr3@MOFs材料进行疏水处理，从而增强了CsPbBr3@MOFs的水稳定性，使得CsPbBr3钙钛矿量子点适用于水环境下的长期发光。