公开(公告)号：CN118173596A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410249511.0

申请日：2024-03-05

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 龚建彪 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  张子涵 ,  黎伟正

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/329 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种p‑GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法，涉及半导体晶体管技术领域。该器件包括由下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，以及在势垒层的上表面依次间隔设置的源电极、p‑GaN栅和漏电极，p‑GaN栅包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分沿源电极和漏电极之间的连线方向间隔设置；该器件还包括第一介质层和第二介质层，第一介质层填充在第一部分和第二部分之间，第二介质层覆盖于势垒层的第一表面、p‑GaN栅的上表面、p‑GaN栅朝向源电极一侧的表面、p‑GaN朝向漏电极一侧的表面、源电极的上表面、源电极朝向p‑GaN栅一侧的表面、漏电极的上表面、漏电极朝向p‑GaN栅一侧的表面；第一介质层的材质为Al2O3，第二介质层的材质为Si3N4。

公开(公告)号：CN115663064A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211261871.X

申请日：2022-10-14

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 宁静 ,  张子涵 ,  王东 ,  张进成 ,  张弛 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/113

Abstract: 本发明公开了一种基于硅掺杂六方氮化硼的半导体器件制备方法，涉及微电子技术领域，包括如下步骤：(1)清洗衬底，将六方氮化硼转移至待用衬底上；(2)将硅或二氧化硅与衬底上的六方氮化硼进行物理接触；(3)将附有硅或二氧化硅的衬底放入高温退火炉中进行高温退火；得到硅掺杂六方氮化硼；(4)随后在所制备的六方氮化硼层部分表面以及二氧化硅层标面制备电极；针对氮化硼材料用于器件中存在的劣势，如电阻率过高，光吸收率低等，本发明对氮化硼材料进行硅掺杂，形成n型半导体氮化硼材料，该结构设计简单，能够充分发挥氮化硼材料的本征紫外吸收特点。

公开(公告)号：CN118098965A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410163793.2

申请日：2024-02-05

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 龚建彪 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  黎伟正 ,  张子涵

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种基于自终止刻蚀工艺的增强型器件及其制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底层的表面自下而上依次形成成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和GaN层，势垒层含有Al离子；S2：对栅极区域外的GaN层进行F离子注入，形成F离子注入层；S3：对F离子注入层进行刻蚀，当刻蚀到F离子注入层和势垒层的界面处时，F离子和Al离子在势垒层的表面形成AlF3保护层；S4：去除AlF3保护层以露出势垒层；本发明通过形成F离子注入层，刻蚀过程中，势垒层表面形成AlF3保护层，从而实现自终止效果，避免刻蚀对沟道中的二维电子气造成损伤，降低因刻蚀所带来的表面态和缺陷，有效减小器件的栅极泄漏电流，提升器件的整体性能。