公开(公告)号：CN116169217A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211676284.7

申请日：2022-12-26

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 朱宇峰 ,  高军 ,  邱慧嫣 ,  陈兴 ,  何振伟 ,  吴鹏 ,  严琴 ,  王东 ,  吴勇 ,  沈琪 ,  谢忠圣 ,  秦军 ,  张鹏 ,  王涛 ,  许瑞恒 ,  章建华

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种基于Mg扩散法的UV‑LED器件结构及其制备方法，涉及半导体领域，包括从下至上依次设置的衬底、氮化镓成核层、铝镓氮缓冲层、N型铝镓氮层、N型欧姆电极、多量子阱层、AlxGa1‑xN电子阻挡层、P‑AlGaN层、P‑GaN层、P‑GaN高掺杂层和P型欧姆电极，其中，还包括N型欧姆电极，本发明还公开了其制备方法，通过扩散的方式使得Mg更好地取代Ga位，减少了填充类型的Mg原子，使得并入的Mg原子大部分处在Ga位，提高了处于Ga位Mg原子的比例，Mg的电离率相应增加；取代Ga位的Mg比例增加，使得电离能低的Mg原子比例增加Mg的电离率相应的提高；而且Mg扩散法形成的重掺杂P‑GaN层的高空穴浓度有利于载流子隧穿，形成比接触电阻率低的欧姆接触。