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公开(公告)号：CN118156131A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410395269.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底层上制备异质结结构；在源电极欧姆区域和漏电极欧姆区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间有源区的势垒层上制备钝化层；去除栅电极区域的钝化层，以形成位于所述栅电极区域两侧的第一钝化子层和第二钝化子层；制备浮空T型栅电极，浮空T型栅电极包括栅脚和栅帽；将电极引出，完成浮空T型栅HEMT器件的制备。本发明既实现了在不引入额外寄生电容的情况下，对浮空T型栅电极的表面进行了钝化，又能对浮空T型栅的栅帽进行支撑，提高了工作频率，改善其射频功率特性，提高器件制备良率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN118073411A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410216094.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电极肖特基金属的引入能提高漏极击穿电压。
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公开(公告)号：CN118033614A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410110022.7
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种车载超声波车载雷达的定位算法及其硬件加速的方法及系统，涉及数据处理技术领域，解决了现有技术中面对多个障碍物的情况无法处理，计算结果不正确的问题；该方法包括：分别确定多个车载雷达对应的多个障碍物，计算每个车载雷达与对应多个障碍物之间的距离，得到与每个车载雷达的对应的多个障碍物距离；分别将多个车载雷达作为主车载雷达，其余车载雷达作为次车载雷达，确定每一个车载雷达的探测区域内障碍物的可匹配区域；利用可匹配区域，得到可匹配回波信号集，并进行验证匹配，得到处理后的回波信号集；利用单障碍物定位算法和处理后的回波信号集对障碍物进行定位；实现了较为精准地匹配障碍物回波信息，提高定位精度。
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公开(公告)号：CN117673138A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311697067.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种多级槽终端耐压结构的GaN HEMT器件及其制备方法，所述GaN HEMT器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上表面设置有N个第一凹槽，N＞1；源极和漏极分别设置于AlGaN势垒层上表面的两端；介质层设置于AlGaN势垒层、源极和漏极上；栅极设置于介质层上，且N个第一凹槽和N个第二凹槽位于栅极和漏极之间。本发明的GaN HEMT器件在保证器件性能的同时，进一步通过重新分配栅极靠近漏极的高电场来延缓雪崩过程，提高GaN基功率器件的工作电压。
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公开(公告)号：CN118064832A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410221326.0
申请日：2024-02-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法，制备方法，包括以下步骤：S1：获取衬底；S2：对所述衬底的表面进行溅射清洗，得到预溅射后的衬底；S3：对所述预溅射后的衬底施加偏置电压，同时在所述预溅射后的衬底表面生长氧化镓薄膜；S4：对所述氧化镓薄膜进行真空原位退火。本发明通过在预溅射后的衬底施加偏置电压，并生长氧化镓薄膜，提高氧化镓薄膜的稳定性、质量和结晶度，使得氧化镓薄膜晶粒择优取向生长，降低了氧化镓薄膜的制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117792400A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311688068.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种采用多位SAR量化的高精度Sigma Delta ADC，包括：环路滤波器用于利用若干积分器将模拟输入信号进行离散积分处理；4Bit SAR量化器用于对经放大系数处理后的所有离散积分结果进行量化处理得到4Bit数字码；改进型的4Bit DAC用于利用IDWA电路对4Bit数字码进行一阶噪声整形并消除高阶谐波，再将处理后的4Bit数字码进行数模转换得到模拟输出信号；环路滤波器还用于对模拟输出信号和模拟输入信号进行求差处理，在环路滤波器中将求差结果作为新的模拟输入信号，利用若干积分器将新的模拟输入信号进行离散积分处理。本发明可以应用于高集成度高可靠性要求的雷达芯片中。
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公开(公告)号：CN117712170A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311705188.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/34 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍式沟道的设置在不影响栅极控制能力的基础上，变相增加了沟道的宽度，从而减小栅极区域沟道的导通电阻，提高器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN117579076A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311693868.X
申请日：2023-12-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种噪声整形的SAR ADC的时序逻辑控制电路，包括：采样信号产生模块用于产生采样信号和输出标志信号；异步时序控制信号产生模块用于在采样信号变为低电平时将比较器控制信号变为高电平以获得比较器的比较结果，并将比较器控制信号变为低电平后使比较器复位，再将比较器控制信号变为高电平；同步时序控制信号产生模块用于基于异步时序控制信号产生模块的时钟信号、输入时钟信号和采样信号，产生环路滤波电路控制信号，以控制环路滤波电路工作，直至采样信号变为高电平；电容阵列开关控制信号产生模块用于根据比较结果产生开关控制信号，以控制开关电容阵列的电压发生变化；ADC信号输出模块用于存储并输出由比较器输出的为正的比较结果。
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公开(公告)号：CN111725302A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010574678.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化衬底的石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有石墨烯晶体管由于其沟道材料具有零带隙而导致无法关断及开关比低的问题。其包括：图形化衬底、沟道层、栅介质层、源极、漏极和栅极。图形化衬底表面设有椭球状凸起；沟道层覆盖于图形化衬底凸起的上表面；源极和漏极位于图形化衬底的上表面，且部分覆盖于沟道层的上表面；栅极位于图形化衬底的上表面，且与沟道层不直接接触；栅介质层位于沟道层的上表面，且部分覆盖于源极、漏极和栅极的上表面。本发明利用图形化衬底的椭球状凸起使附着于其表面的石墨烯薄膜发生机械弯曲，扩展了石墨烯的禁带宽度，提高了石墨烯晶体管的开关比，可用于制作大规模数字集成电路。
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公开(公告)号：CN117833848A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410023372.X
申请日：2024-01-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于电容堆叠的滤波器，包括：输入驱动电路、积分电路和电容堆叠电路；所述输入驱动电路的输入端接入差分输入信号，所述输入驱动电路的差分输出端连接所述积分电路的差分输入端；所述积分电路的差分输出端连接所述电容堆叠电路的差分输入端；所述积分电路还接入共模电压VCM、时钟信号RSTN、时钟信号φ1和时钟信号φ2；所述电容堆叠电路还接入所述共模电压VCM、时钟信号φ3和时钟信号φ4。上述方案以输入驱动电路的方式采集剩余电压，避免了电容直接相连因电容分压造成的误差，并以电容连接共模电压的方式取代接地，减小了电压变化幅度，提高了充放电速度，用电容堆叠电路进行电荷累加，避免了电压相加产生引入的噪声，提高了滤波能力。
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