公开(公告)号：CN110729173B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201910896613.0

申请日：2019-09-23

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 曲媛 ,  张楠 ,  杨士成 ,  武江鹏 ,  宋丽萍 ,  左春娟 ,  雷莎

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，属于微波集成电路精细加工技术领域。采用特定性能的紫外激光对上述基板表层进行阵列刻线式刻蚀粗化处理，采用特定的温度曲线，在高温条件下对上述经过粗化后的基板进行高温煅烧，使得基板表面获得的粗糙度Ra值稳定在0.25～0.3mm范围内，并具有良好的粗化均匀性，提高了高介电常数基板作为基材在制作微波集成薄膜电路的过程中金属膜层与基材的附着力。

公开(公告)号：CN110729173A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910896613.0

申请日：2019-09-23

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 曲媛 ,  张楠 ,  杨士成 ,  武江鹏 ,  宋丽萍 ,  左春娟 ,  雷莎

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，属于微波集成电路精细加工技术领域。采用特定性能的紫外激光对上述基板表层进行阵列刻线式刻蚀粗化处理，采用特定的温度曲线，在高温条件下对上述经过粗化后的基板进行高温煅烧，使得基板表面获得的粗糙度Ra值稳定在0.25～0.3mm范围内，并具有良好的粗化均匀性，提高了高介电常数基板作为基材在制作微波集成薄膜电路的过程中金属膜层与基材的附着力。