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公开(公告)号：CN103668132A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310635166.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明一种活化溶液及其在镁合金化学镀镍层中的应用；该活化溶液中溶质包括柠檬酸、焦磷酸钾、氟化氢铵；柠檬酸的浓度为30～120g/L，焦磷酸钾的浓度为10～60g/L，氟化氢铵的浓度为10～100g/L；利用该溶液对镁合金化学镀镍层进行处理的过程为：采用丙酮或乙醇浸泡或超声对镁合金化学镀镍层进行清洗；将清洗后的镁合金化学镀镍层自然晾干；采用强碱性除油溶液，对镁合金化学镀镍层表面作二次除油；采用二级或多级流动水对二次除油镁合金化学镀镍层表面进行清洗；利用活化溶液对清洗后的镁合金化学镀镍层在15℃～35℃下进行活化处理1～10min；将活化处理后的镁合金化学镀镍层进行镀铜、镀银、镀金等后续镀层操作。
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公开(公告)号：CN113966099B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110738712.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺，包括如下步骤：在带有附着层的陶瓷基片上实施一次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm；将掩膜版紧密贴合在一次镀金后涂覆有光敏胶的基片表面，曝光后进行显影、定影以及金属层的腐蚀，完成在金镀层上的光刻；在光刻后的金镀层上镀铜，形成的铜镀层的厚度为3～5μm；在铜镀层上镀镍，形成的镍镀层的厚度为0.5～1μm；在镍镀层上实施二次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm。本发明通过特有的膜层结构设计，基于薄膜陶瓷电路板制作工艺，采用“四镀一刻”的方式，解决了较厚膜层电路的制作问题，达到较高的图形精度与膜层附着力，实现多种功能，满足大功率电路的需求。
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公开(公告)号：CN110729173B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910896613.0
申请日：2019-09-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，属于微波集成电路精细加工技术领域。采用特定性能的紫外激光对上述基板表层进行阵列刻线式刻蚀粗化处理，采用特定的温度曲线，在高温条件下对上述经过粗化后的基板进行高温煅烧，使得基板表面获得的粗糙度Ra值稳定在0.25～0.3mm范围内，并具有良好的粗化均匀性，提高了高介电常数基板作为基材在制作微波集成薄膜电路的过程中金属膜层与基材的附着力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103668132B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310635166.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明一种活化溶液及其在镁合金化学镀镍层中的应用；该活化溶液中溶质包括柠檬酸、焦磷酸钾、氟化氢铵；柠檬酸的浓度为30～120g/L，焦磷酸钾的浓度为10～60g/L，氟化氢铵的浓度为10～100g/L；利用该溶液对镁合金化学镀镍层进行处理的过程为：采用丙酮或乙醇浸泡或超声对镁合金化学镀镍层进行清洗；将清洗后的镁合金化学镀镍层自然晾干；采用强碱性除油溶液，对镁合金化学镀镍层表面作二次除油；采用二级或多级流动水对二次除油镁合金化学镀镍层表面进行清洗；利用活化溶液对清洗后的镁合金化学镀镍层在15℃～35℃下进行活化处理1～10min；将活化处理后的镁合金化学镀镍层进行镀铜、镀银、镀金等后续镀层操作。
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公开(公告)号：CN112218437B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011119616.2
申请日：2020-10-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H05K3/06
Abstract: 本发明涉及一种薄膜电路图形电镀连线的去除方法，属于薄膜微带电路工艺领域；步骤一、用电镀连线将光刻版图中所有不相连的电路图形连成一个整体；在薄膜电路光刻版图上设置n个定位圆；步骤二、按照薄膜电路光刻版图上的电镀连线位置，对实际薄膜电路上对应位置添加电镀连线；步骤三、设置电镀连线的激光刻蚀区域；步骤四、将薄膜电路光刻版图中所有电镀连线和所有定位圆刻蚀成通孔；获得辅助刻蚀版图；步骤五、将辅助刻蚀版图对准放置在实际薄膜电路的上方，采用紫外激光器，按照步骤三中的刻蚀规则对实际薄膜电路中电镀连线进行激光刻蚀，去除电镀连线；本发明解决了厚金层薄膜电路制作中图形电镀连线去除的可靠性和效率问题。
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公开(公告)号：CN112218437A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011119616.2
申请日：2020-10-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H05K3/06
Abstract: 本发明涉及一种薄膜电路图形电镀连线的去除方法，属于薄膜微带电路工艺领域；步骤一、用电镀连线将光刻版图中所有不相连的电路图形连成一个整体；在薄膜电路光刻版图上设置n个定位圆；步骤二、按照薄膜电路光刻版图上的电镀连线位置，对实际薄膜电路上对应位置添加电镀连线；步骤三、设置电镀连线的激光刻蚀区域；步骤四、将薄膜电路光刻版图中所有电镀连线和所有定位圆刻蚀成通孔；获得辅助刻蚀版图；步骤五、将辅助刻蚀版图对准放置在实际薄膜电路的上方，采用紫外激光器，按照步骤三中的刻蚀规则对实际薄膜电路中电镀连线进行激光刻蚀，去除电镀连线；本发明解决了厚金层薄膜电路制作中图形电镀连线去除的可靠性和效率问题。
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公开(公告)号：CN110729173A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910896613.0
申请日：2019-09-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，属于微波集成电路精细加工技术领域。采用特定性能的紫外激光对上述基板表层进行阵列刻线式刻蚀粗化处理，采用特定的温度曲线，在高温条件下对上述经过粗化后的基板进行高温煅烧，使得基板表面获得的粗糙度Ra值稳定在0.25～0.3mm范围内，并具有良好的粗化均匀性，提高了高介电常数基板作为基材在制作微波集成薄膜电路的过程中金属膜层与基材的附着力。
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公开(公告)号：CN113966099A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110738712.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺，包括如下步骤：在带有附着层的陶瓷基片上实施一次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm；将掩膜版紧密贴合在一次镀金后涂覆有光敏胶的基片表面，曝光后进行显影、定影以及金属层的腐蚀，完成在金镀层上的光刻；在光刻后的金镀层上镀铜，形成的铜镀层的厚度为3～5μm；在铜镀层上镀镍，形成的镍镀层的厚度为0.5～1μm；在镍镀层上实施二次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm。本发明通过特有的膜层结构设计，基于薄膜陶瓷电路板制作工艺，采用“四镀一刻”的方式，解决了较厚膜层电路的制作问题，达到较高的图形精度与膜层附着力，实现多种功能，满足大功率电路的需求。
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