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公开(公告)号：CN110729173A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910896613.0
申请日：2019-09-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，属于微波集成电路精细加工技术领域。采用特定性能的紫外激光对上述基板表层进行阵列刻线式刻蚀粗化处理，采用特定的温度曲线，在高温条件下对上述经过粗化后的基板进行高温煅烧，使得基板表面获得的粗糙度Ra值稳定在0.25～0.3mm范围内，并具有良好的粗化均匀性，提高了高介电常数基板作为基材在制作微波集成薄膜电路的过程中金属膜层与基材的附着力。
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公开(公告)号：CN113966099A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110738712.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺，包括如下步骤：在带有附着层的陶瓷基片上实施一次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm；将掩膜版紧密贴合在一次镀金后涂覆有光敏胶的基片表面，曝光后进行显影、定影以及金属层的腐蚀，完成在金镀层上的光刻；在光刻后的金镀层上镀铜，形成的铜镀层的厚度为3～5μm；在铜镀层上镀镍，形成的镍镀层的厚度为0.5～1μm；在镍镀层上实施二次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm。本发明通过特有的膜层结构设计，基于薄膜陶瓷电路板制作工艺，采用“四镀一刻”的方式，解决了较厚膜层电路的制作问题，达到较高的图形精度与膜层附着力，实现多种功能，满足大功率电路的需求。
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公开(公告)号：CN113966099B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110738712.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺，包括如下步骤：在带有附着层的陶瓷基片上实施一次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm；将掩膜版紧密贴合在一次镀金后涂覆有光敏胶的基片表面，曝光后进行显影、定影以及金属层的腐蚀，完成在金镀层上的光刻；在光刻后的金镀层上镀铜，形成的铜镀层的厚度为3～5μm；在铜镀层上镀镍，形成的镍镀层的厚度为0.5～1μm；在镍镀层上实施二次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm。本发明通过特有的膜层结构设计，基于薄膜陶瓷电路板制作工艺，采用“四镀一刻”的方式，解决了较厚膜层电路的制作问题，达到较高的图形精度与膜层附着力，实现多种功能，满足大功率电路的需求。
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公开(公告)号：CN110729173B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910896613.0
申请日：2019-09-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，属于微波集成电路精细加工技术领域。采用特定性能的紫外激光对上述基板表层进行阵列刻线式刻蚀粗化处理，采用特定的温度曲线，在高温条件下对上述经过粗化后的基板进行高温煅烧，使得基板表面获得的粗糙度Ra值稳定在0.25～0.3mm范围内，并具有良好的粗化均匀性，提高了高介电常数基板作为基材在制作微波集成薄膜电路的过程中金属膜层与基材的附着力。
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