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公开(公告)号：CN112179919A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011033121.8
申请日：2020-09-27
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G01N23/2251 , G01N23/00 , G01N21/66 , G01R31/28
摘要： 本发明提供一种半导体激光器芯片失效分析方法，目的是解决现有方法难以准确分析和判断半导体激光器芯片失效原因的问题。该方法包括：步骤一、物理缺陷检查；步骤二、光电性能测试；步骤三、腔面光场分布测试；步骤四、扫描电子显微镜分析；步骤五、内部分析；步骤六、焊接质量分析。本发明方法是一种逐层递进、由外及内的失效分析方法，可快速找出COS芯片失效的原因及失效的深层机理。
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公开(公告)号：CN112563378A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011459843.X
申请日：2020-12-11
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN112179919B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202011033121.8
申请日：2020-09-27
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G01N23/2251 , G01N23/00 , G01N21/66 , G01R31/28
摘要： 本发明提供一种半导体激光器芯片失效分析方法，目的是解决现有方法难以准确分析和判断半导体激光器芯片失效原因的问题。该方法包括：步骤一、物理缺陷检查；步骤二、光电性能测试；步骤三、腔面光场分布测试；步骤四、扫描电子显微镜分析；步骤五、内部分析；步骤六、焊接质量分析。本发明方法是一种逐层递进、由外及内的失效分析方法，可快速找出COS芯片失效的原因及失效的深层机理。
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公开(公告)号：CN112563378B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202011459843.X
申请日：2020-12-11
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN111934186B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010783751.0
申请日：2020-08-06
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/00
摘要： 本发明提供一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，解决现有半导体激光器芯片COBD和COMD的判断成本较高、判断时间较长、生产效率较低的问题。该方法包括：步骤一、设置加载电流；步骤二、将加载电流加载在半导体激光器芯片上；步骤三、采集半导体激光器芯片的电流‑功率曲线、电流‑电压曲线；步骤四、若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为COMD；若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为COBD。本发明方法无需专业设备，只需采集测试过程中的电流、功率值和电压值，即可进行COBD和COMD的判断，检测设备简单、成本较低，只需普通技术人员即可实现失效的判断。
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公开(公告)号：CN111740310A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010663476.9
申请日：2020-07-10
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/024
摘要： 本发明提供一种实现半导体激光器芯片锁波中无跳模的方法，解决现有单管芯片的光谱出现跳膜现象，而该现象会在VBG锁波过程引起无法锁波的问题。本发明的方法包括以下步骤：步骤一、在辅助热沉的上表面设置多个沟槽，且多个沟槽等距设置；步骤二、将贴有单管芯片的陶瓷热沉贴装到辅助热沉的上表面；步骤三、将辅助热沉安装到光纤的组件上。同时，本发明无跳模半导体激光器包括依次叠加设置的单管芯片、陶瓷热沉和辅助热沉，辅助热沉与陶瓷热沉贴合的表面设置有多个沟槽，且多个沟槽等距设置。本发明方法在辅助热沉上进行沟槽设计，沟槽可以在COS贴装到辅助热沉上时进行应力的释放，以获得较好的光谱，然后可以进行VBG锁波。
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公开(公告)号：CN111740310B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010663476.9
申请日：2020-07-10
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/024
摘要： 本发明提供一种实现半导体激光器芯片锁波中无跳模的方法，解决现有单管芯片的光谱出现跳膜现象，而该现象会在VBG锁波过程引起无法锁波的问题。本发明的方法包括以下步骤：步骤一、在辅助热沉的上表面设置多个沟槽，且多个沟槽等距设置；步骤二、将贴有单管芯片的陶瓷热沉贴装到辅助热沉的上表面；步骤三、将辅助热沉安装到光纤的组件上。同时，本发明无跳模半导体激光器包括依次叠加设置的单管芯片、陶瓷热沉和辅助热沉，辅助热沉与陶瓷热沉贴合的表面设置有多个沟槽，且多个沟槽等距设置。本发明方法在辅助热沉上进行沟槽设计，沟槽可以在COS贴装到辅助热沉上时进行应力的释放，以获得较好的光谱，然后可以进行VBG锁波。
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公开(公告)号：CN111934186A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010783751.0
申请日：2020-08-06
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/00
摘要： 本发明提供一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，解决现有半导体激光器芯片COBD和COMD的判断成本较高、判断时间较长、生产效率较低的问题。该方法包括：步骤一、设置加载电流；步骤二、将加载电流加载在半导体激光器芯片上；步骤三、采集半导体激光器芯片的电流-功率曲线、电流-电压曲线；步骤四、若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为COMD；若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为COBD。本发明方法无需专业设备，只需采集测试过程中的电流、功率值和电压值，即可进行COBD和COMD的判断，检测设备简单、成本较低，只需普通技术人员即可实现失效的判断。
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