公开(公告)号：CN116266566A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202111612953.X

申请日：2021-12-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 余泰君 ,  吴昇财 ,  高国书 ,  吴翰林 ,  李泰广 ,  张景尧

IPC: H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置，包括一端子座。端子座具有相对的一第一端与一第二端，其中第一端具有向外扩展的一第一凸缘，第一凸缘通过焊料焊接于一基板的一接垫，第一凸缘的一延伸方向与端子座的一长度方向的夹角大于90度。

公开(公告)号：CN216213447U

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202122467735.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 财团法人工业技术研究院 ,  文颢电子股份有限公司

Inventor： 李衡 ,  韩伟国 ,  张景尧 ,  张道智 ,  邱柏凯 ,  李泰广 ,  张孝民

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块封装，包括基板、接地图案、多个第一配线图案、多个栅极驱动元件以及多个有源元件。接地图案设置在基板上。第一配线图案设置在基板上且在第一方向上与接地图案间隔开来。第一配线图案在不同于第一方向的第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件分别设置在接地图案上且在第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件通过接地图案来具有共同接地平面。有源元件分别设置在第一配线图案上且各自包括第一晶体管和第二晶体管。有源元件分别与相对应的栅极驱动元件和相对应的第一配线图案电连接。