公开(公告)号：CN216213447U

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202122467735.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 财团法人工业技术研究院 ,  文颢电子股份有限公司

Inventor： 李衡 ,  韩伟国 ,  张景尧 ,  张道智 ,  邱柏凯 ,  李泰广 ,  张孝民

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块封装，包括基板、接地图案、多个第一配线图案、多个栅极驱动元件以及多个有源元件。接地图案设置在基板上。第一配线图案设置在基板上且在第一方向上与接地图案间隔开来。第一配线图案在不同于第一方向的第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件分别设置在接地图案上且在第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件通过接地图案来具有共同接地平面。有源元件分别设置在第一配线图案上且各自包括第一晶体管和第二晶体管。有源元件分别与相对应的栅极驱动元件和相对应的第一配线图案电连接。

公开(公告)号：CN103715178B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201210459988.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 ,  张道智 ,  庄东汉 ,  李俊彦

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。

公开(公告)号：CN105764235A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201410798614.9

申请日：2014-12-19

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 徐健明 ,  吴仕先 ,  张景尧 ,  张道智 ,  郑仁信 ,  李明林

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/00 ,  H05K3/42

CPC classification number: H05K1/116 ,  H05K1/0251 ,  H05K3/42 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09545 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/1178 ,  H05K2203/143 ,  H05K2203/1438

Abstract: 本发明公开一种信号传输板及其制作方法，所述信号传输板包含多层基板、导电传输孔、环槽及气隙连通孔。多层基板具有相对的第一外表面及第二外表面。导电传输孔具有相对的第一孔端及第二孔端，导电传输孔贯穿多层基板，且第一孔端位于第一外表面，第二孔端位于第二外表面。环槽位于多层基板内，环绕导电传输孔，并分别与第一外表面及第二外表面具有间距。气隙连通孔具有相对的第一开口端及第二开口端，并设置于多层基板上，且第一开口端位于第一外表面，第二开口端连通环槽。

公开(公告)号：CN102938390A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201110335013.0

申请日：2011-10-26

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 黄昱玮 ,  洪英博 ,  张道智 ,  张景尧 ,  黄馨仪 ,  郑仁信

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/49833 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00

Abstract: 芯片封装方法与芯片封装结构。此芯片封装结构包括一基板、一芯片、一绝缘层、一第三图案化导电层以及一电子组件。基板具有一第一图案化导电层。芯片配置于基板上。芯片的一第二图案化导电层接合基板的第一图案化导电层。芯片具有一第一贯孔。绝缘层配置于芯片上并填入第一贯孔。绝缘层具有一第二贯孔。第二贯孔贯穿第一贯孔。第三图案化导电层配置于绝缘层上并填入第二贯孔而电性连接第一图案化导电层。电子组件配置于第三图案化导电层上并电性连接第三图案化导电层。

公开(公告)号：CN113078127B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202010795373.8

申请日：2020-08-10

Applicant: 财团法人工业技术研究院 ,  卢森堡商达尔国际股份有限公司

Inventor： 韩伟国 ,  李嘉炎 ,  张景尧 ,  张道智

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本发明公开一种功率模块，包括主壳体、功率组件及至少一组装组件。主壳体具有至少一侧壁及从侧壁上延伸出的至少两凸肋。功率组件配置于主壳体内且被侧壁紧抵于散热结构上。组装组件包括主区段及两弯折区段。主区段位于两凸肋之间且包括中央部、至少一可动件及周围部。中央部具有锁附部，周围部围绕中央部，可动件连接于中央部与周围部之间。两弯折区段分别连接于周围部的相对两侧边且分别被内埋于两凸肋内。本发明的功率模块可使其内的功率芯片的基板稳定的接触散热结构，避免因不正确的锁附而歪斜。

公开(公告)号：CN108428671A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201710217037.3

申请日：2017-04-05

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 ,  张道智 ,  吕芳俊 ,  韩伟国 ,  高国书

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开一种电子封装结构，该电子封装结构通过将芯片结合于承载件的金属凸块上，且通过应力缓冲材包覆该金属凸块周围以作为应力缓冲部，而提升应力缓冲的效果，由此防止该芯片因应力而破裂的问题。

公开(公告)号：CN103715178A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201210459988.9

申请日：2012-11-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张景尧 ,  张道智 ,  庄东汉 ,  李俊彦

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间，包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相，且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧，其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。

公开(公告)号：CN102237320A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010170827.9

申请日：2010-04-30

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 张道智 ,  陆苏财 ,  张景尧 ,  詹朝杰

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电子元件封装结构及其制造方法，上述电子元件封装结构包括一芯片，其具有一有源区表面和一背面；一介电层，设置于上述芯片的上述有源区表面上；至少两个沟槽，穿过上述介电层；一第一保护层，覆盖上述介电层和上述些沟槽的侧壁；一第二保护层，覆盖上述第一保护层并填满上述些沟槽。

公开(公告)号：CN116266566A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202111612953.X

申请日：2021-12-27

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 余泰君 ,  吴昇财 ,  高国书 ,  吴翰林 ,  李泰广 ,  张景尧

IPC: H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置，包括一端子座。端子座具有相对的一第一端与一第二端，其中第一端具有向外扩展的一第一凸缘，第一凸缘通过焊料焊接于一基板的一接垫，第一凸缘的一延伸方向与端子座的一长度方向的夹角大于90度。

公开(公告)号：CN105845653A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510013448.1

申请日：2015-01-12

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林育民 ,  林柏丞 ,  张景尧

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明公开一种具有焊线的芯片结构，包括一芯片、第一金属层、第二金属层及焊线。第一金属层配置于芯片上，第一金属层的材料包括镍或镍合金。第二金属层配置于第一金属层上，第二金属层的材料包括铜、铜合金、铝、铝合金、钯或钯合金。焊线连接于第二金属层，焊线的材料包括铜或铜合金。