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公开(公告)号:CN216213447U
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202122467735.3
申请日:2021-10-13
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 文颢电子股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块封装,包括基板、接地图案、多个第一配线图案、多个栅极驱动元件以及多个有源元件。接地图案设置在基板上。第一配线图案设置在基板上且在第一方向上与接地图案间隔开来。第一配线图案在不同于第一方向的第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件分别设置在接地图案上且在第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件通过接地图案来具有共同接地平面。有源元件分别设置在第一配线图案上且各自包括第一晶体管和第二晶体管。有源元件分别与相对应的栅极驱动元件和相对应的第一配线图案电连接。
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公开(公告)号:CN109637983A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201810447022.0
申请日:2018-05-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/3157 , H01L23/3731 , H01L23/4334 , H01L23/4951 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L2224/26175 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/3114 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开一种芯片封装,其包括导线架、第一芯片、散热结构以及绝缘密封体。导线架包括芯片座与连接于芯片座的引脚。芯片座具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。第一芯片设置于芯片座的第一表面上并与导线架的引脚电连接。散热结构设置于芯片座的第二表面上,包括贴附于芯片座的第二表面的热界面材料层。热界面材料层的厚度介于100μm至300μm之间。绝缘密封体包覆第一芯片、散热结构及部分的导线架。第一芯片经由引脚电连接至绝缘密封体之外。
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公开(公告)号:CN113066776A
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN202010101413.4
申请日:2020-02-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开一种功率模块,其包括电路板、芯片、第一导热绝缘基板以及第二导热绝缘基板。电路板包括板体及金属块,金属块内埋于板体并从板体相对的第一表面及第二表面露出。芯片对应金属块设置于板体的第二表面的一侧,且芯片与金属块电连接与热连接。第一导热绝缘基板位于板体的第一表面的一侧而设置于电路板上。第二导热绝缘基板与芯片电连接及热连接。
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公开(公告)号:CN118366940A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410075542.9
申请日:2024-01-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/367
Abstract: 本发明公开一种功率模块封装结构,其包括第一基板以及功率组件。第一基板包括位于其表面上的至少一导电层。功率组件包括第一芯片以及第一间隔件。第一芯片具有至少一电极。第一间隔件位于第一基板和第一芯片之间的散热空间并包括绝缘散热层以及多个垂直导电连接件。绝缘散热层位于散热空间内。每一垂直导电连接件贯穿绝缘散热层。绝缘散热层围绕垂直导电连接件和电性隔离垂直导电连接件。垂直导电连接件包括相对的二端,一端电连接导电层,另一端电连接电极,以构成第一芯片与第一基板之间的导电路径与散热路径。
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公开(公告)号:CN118039581A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202310002579.4
申请日:2023-01-03
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种功率模块,包括至少一个功率元件、绝缘导热层以及散热装置。绝缘导热层具有图案化线路层。功率元件设置于图案化线路层上并电连接至图案化线路层。散热装置包括散热板与散热座。散热板具有相对的第一表面与第二表面,且绝缘导热层设置于第一表面上。散热座部分接合至散热板,并在散热板和散热座之间形成空腔。散热座具有位于空腔中的多个第一散热凸块。
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公开(公告)号:CN117894774A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202310080732.5
申请日:2023-02-03
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种组合式功率模块,包含一底座构件、一端子构件、一第二端子以及一上盖。端子构件包含一组装件以及多个第一端子。组装件组装于底座构件。第一端子设置于组装件。第二端子设置于底座构件。上盖设置于底座构件并覆盖至少部分的第一端子与至少部分的第二端子。
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公开(公告)号:CN116266666A
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202111612558.1
申请日:2021-12-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01Q1/02 , H01L23/66 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种天线整合式封装结构,包括第一重布线结构、第一芯片、散热结构、第二芯片以及天线结构。第一芯片位于第一重布线结构的第一侧,且电连接第一重布线结构。散热结构导热连接至第一芯片,且第一芯片位于散热结构与第一重布线结构之间。第二芯片位于第一重布线结构的相对于第一侧的第二侧,且电连接所述第一重布线结构。天线结构电连接第一重布线结构。
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公开(公告)号:CN109637983B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN201810447022.0
申请日:2018-05-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开一种芯片封装,其包括导线架、第一芯片、散热结构以及绝缘密封体。导线架包括芯片座与连接于芯片座的引脚。芯片座具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。第一芯片设置于芯片座的第一表面上并与导线架的引脚电连接。散热结构设置于芯片座的第二表面上,包括贴附于芯片座的第二表面的热界面材料层。热界面材料层的厚度介于100μm至300μm之间。绝缘密封体包覆第一芯片、散热结构及部分的导线架。第一芯片经由引脚电连接至绝缘密封体之外。
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公开(公告)号:CN308764986S
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202330469600.2
申请日:2023-07-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 1.本外观设计产品的名称:功率模块外壳的主体。
2.本外观设计产品的用途:产品的整体用于装配功率模块,产品的局部是功率模块的主体,用于作为功率模块的主要支撑。
3.本外观设计产品的设计要点:在于实线部分的形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
5.其他需要说明的情形其他说明:图中的虚线部分是不请求保护的内容。
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