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公开(公告)号:CN103872156B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201310016193.5
申请日:2013-01-16
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号: Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供了一种多层堆叠的光吸收薄膜与其制造方法及太阳能电池。该多层堆叠的光吸收薄膜包括:第一层位于衬底上,且第一层是CuIn1-xGaxSe2,其中0<x≤1;第二层位于第一层上,且第二层是CuInSe2;第三层位于第二层上,且第三层是CuzSe,其中0<z≤2;第四层位于第三层上,且第四层是CuInSe2;以及第五层位于第四层上,且第五层是CuIn1-x’Gax’(Se1-ySy)2,其中0<x’≤1,且0≤y<1。
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公开(公告)号:CN103872156A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201310016193.5
申请日:2013-01-16
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0322 , H01L31/035281 , H01L31/0749
摘要: 本发明提供了一种多层堆叠的光吸收薄膜与其制造方法及太阳能电池。该多层堆叠的光吸收薄膜包括:第一层位于衬底上,且第一层是CuIn1-xGaxSe2,其中0<x≤1;第二层位于第一层上,且第二层是CuInSe2;第三层位于第二层上,且第三层是CuzSe,其中0<z≤2;第四层位于第三层上,且第四层是CuInSe2;以及第五层位于第四层上,且第五层是CuIn1-x’Gax’(Se1-ySy)2,其中0<x’≤1,且0≤y<1。
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公开(公告)号:CN103187480A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201210030982.X
申请日:2012-02-06
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L31/18
CPC分类号: C23C14/0623 , C23C8/62 , C23C10/30 , C23C14/5866 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要: 本发明提供一种光吸收层的改质方法,包括以下步骤:(a)提供一基板;(b)形成一光吸收层于该基板之上,其中该光吸收层包括IB族元素、IIIA族元素与VI族元素;(c)形成一浆料于该光吸收层之上,其中该浆料包括VI族元素;以及(d)将含有该浆料的该光吸收层进行一热处理制程。
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