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公开(公告)号：CN109786270A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811504669.9
申请日：2018-12-10
申请人： 贵州中科汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种封装器件的制造方法，该制造方法包括：提供待封装器件芯片，该待封装器件芯片包括基底、功位于该基底上的功能区、以及位于该基底上且环绕该功能区设置的金属接触点和密封环；在功能区的上方沉积形成覆盖功能区的填充层；在待封装器件芯片上沉积形成覆盖待封装器件芯片以及填充层的第一密封层；在第一密封层上形成多个通孔以暴露填充层，并通过多个通孔去除填充层；在第一密封层上沉积第二密封层对多个通孔进行密封后形成封装器件。相应地，本发明还提供了一种封装器件。实施本发明有利于简化封装工艺流程、降低生产成本以及提高封装效率。
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公开(公告)号：CN109786270B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811504669.9
申请日：2018-12-10
申请人： 贵州中科汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种封装器件的制造方法，该制造方法包括：提供待封装器件芯片，该待封装器件芯片包括基底、位于该基底上的功能区、以及位于该基底上且环绕该功能区设置的金属接触点和密封环；在功能区的上方沉积形成覆盖功能区的填充层；在待封装器件芯片上沉积形成覆盖待封装器件芯片以及填充层的第一密封层；在第一密封层上形成多个通孔以暴露填充层，并通过多个通孔去除填充层；在第一密封层上沉积第二密封层对多个通孔进行密封后形成封装器件。相应地，本发明还提供了一种封装器件。实施本发明有利于简化封装工艺流程、降低生产成本以及提高封装效率。
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公开(公告)号：CN110289825A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910688066.7
申请日：2019-07-29
申请人： 贵州中科汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器的制造方法，该制造方法包括：刻蚀基底形成第一凹槽并在该第一凹槽内填充牺牲层；在所述基底和所述牺牲层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成第一支撑层，并刻蚀所述第一支撑层直至暴露所述阻挡层以在所述牺牲层上方形成第二凹槽；在所述第二凹槽的表面上形成下电极，以及在该下电极上依次形成压电层和上电极；去除所述第一支撑层以形成环绕所述下电极侧面的第一空间、以及去除所述牺牲层以在所述下电极下方形成第二空间。相应地，本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器、滤波器以及双工器。实施本发明可以有效降低器件的声波损失进而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN210246704U
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201921206497.7
申请日：2019-07-29
申请人： 贵州中科汉天下微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器从下至上依次包括：基底，所述基底上形成有第一凹槽；阻挡层，所述阻挡层形成在所述基底上并与所述第一凹槽构成第二空间；下电极，所述下电极呈碗状结构，所述碗状结构以开口朝上的方式形成在所述阻挡层上，其中，所述碗状结构位于所述第二空间上方且所述碗状结构的侧面环绕有第一空间；压电层，所述压电层形成在所述下电极上；上电极，所述上电极形成在所述压电层上。本实用新型还提供了一种滤波器以及双工器。实施本实用新型可以有效降低器件的声波损失进而提高器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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