公开(公告)号：CN102925866B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201210455881.7

申请日：2012-11-14

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 ,  肖清泉 ,  余宏 ,  陈茜 ,  张晋敏

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸镀；第二、退火工艺，蒸镀完成后的Si片置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备出单一相Mg2Si半导体薄膜；解决了现有技术存在的实验条件苛刻，成本较高，难于工业化推广等缺点，以及采用电子束蒸发沉积工艺，在退火炉中退火过程中采用氩气氛围退火，有MgO氧化物等杂质的产生，最终影响Mg2Si的品质等问题。

公开(公告)号：CN102925866A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210455881.7

申请日：2012-11-14

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 ,  肖清泉 ,  余宏 ,  陈茜 ,  张晋敏

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸镀；第二、退火工艺，蒸镀完成后的Si片置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备出单一相Mg2Si半导体薄膜；解决了现有技术存在的实验条件苛刻，成本较高，难于工业化推广等缺点，以及采用电子束蒸发沉积工艺，在退火炉中退火过程中采用氩气氛围退火，有MgO氧化物等杂质的产生，最终影响Mg2Si的品质等问题。

公开(公告)号：CN109825803A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910165040.4

申请日：2019-03-05

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 ,  侯亮亮 ,  余宏 ,  姚秋原 ,  张晋敏 ,  肖清泉 ,  陈茜

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法。本发明将蒸发材料放入适当的电阻加热体内，通电使蒸发材料直接加热蒸发，从而使蒸发材料以气态形式沉积到基片上形成薄膜。本发明首先采用电阻式蒸发技术沉积400nm左右纯金属Mg膜在Ge单晶基片上，形成Ge/Mg薄膜结构，随后置于真空退火炉中退火，获得较高质量Mg2Ge半导体薄膜。本发明具有生产成本较低，能够进行工业化生产的优点。

公开(公告)号：CN212066594U

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202020228392.8

申请日：2020-02-28

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 ,  余宏 ,  李珊珊 ,  罗祥燕 ,  杨文晟 ,  高成贵 ,  侯亮亮

IPC: A47K13/24 ,  A61H39/04

Abstract: 本实用新型公开了一种按摩马桶，包括：马桶部和按摩部，按摩部可收纳于马桶部的前侧底部；按摩部包括基块、多个按摩块，多个按摩块均匀可滚动安装在基块的上表面，基块可收纳于马桶部的前侧底部；脚掌放置于多个按摩块上，脚掌在多个按摩块上滚动，使得大腿的血管血液获得流畅，解决了目前技术电机无法驱动以及腹泻的人臀部移动排便不畅的问题。