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发明公开
环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法无效

公开(公告)号：CN109825803A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910165040.4

申请日：2019-03-05

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 , 侯亮亮 , 余宏 , 姚秋原 , 张晋敏 , 肖清泉 , 陈茜

IPC: C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法。本发明将蒸发材料放入适当的电阻加热体内，通电使蒸发材料直接加热蒸发，从而使蒸发材料以气态形式沉积到基片上形成薄膜。本发明首先采用电阻式蒸发技术沉积400nm左右纯金属Mg膜在Ge单晶基片上，形成Ge/Mg薄膜结构，随后置于真空退火炉中退火，获得较高质量Mg2Ge半导体薄膜。本发明具有生产成本较低，能够进行工业化生产的优点。

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