公开(公告)号：CN101820005A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010148152.8

申请日：2010-04-16

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 ,  张晋敏 ,  肖清泉 ,  曾武贤 ,  梁艳 ,  王衍 ,  马道京

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Mn掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法，其特征在于：它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Mn/Fe或Fe/Mn双层膜，或Fe/Mn/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Mn的含量，使Mn取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Mn/Fe或Fe/Mn双层膜或Fe/Mn/Fe多层膜在真空退火炉中退火，获得Mn掺杂的β-FeSi2薄膜。通过XRD测量表明，该掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。

公开(公告)号：CN101781753A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010148151.3

申请日：2010-04-16

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 ,  张晋敏 ,  肖清泉 ,  梁艳 ,  曾武贤 ,  王衍 ,  马道京

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法。它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Cr的含量，使Cr取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，在真空退火炉中退火，获得Cr掺杂的β-FeSi2薄膜。XRD测量表明掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。

公开(公告)号：CN101781753B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010148151.3

申请日：2010-04-16

Applicant: 贵州大学

Inventor： 谢泉 ,  张晋敏 ,  肖清泉 ,  梁艳 ,  曾武贤 ,  王衍 ,  马道京

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法。它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Cr的含量，使Cr取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，在真空退火炉中退火，获得Cr掺杂的β-FeSi2薄膜。XRD测量表明掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。