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公开(公告)号：CN106796265B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201580053990.8
申请日：2015-09-23
申请人： 赛灵思公司
IPC分类号： G01R31/3167
CPC分类号： G01R31/2851 , G01R31/2837 , G01R31/2843 , G01R31/3167
摘要： 在示例性的实施例中,种集成电路(IC)(102),包括:多个晶体管(122),其被设置在所述IC的裸片上的多个位置(120)中;导体(124),其被耦接至所述多个晶体管中的每个的端子;数模转换器(DAC)(108),其被耦接至所述导体,从而响应于数字输入以用电压信号驱动所述多个晶体管;以及模数转换器(ADC)(110),其被耦接至所述导体的至少部分,从而响应于在所述多个晶体管中的响应于所述电压信号而感应的电流信号以生成采样,所述采样指示用于所述多个晶体管的至少个静电特性。
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公开(公告)号：CN106796265A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580053990.8
申请日：2015-09-23
申请人： 赛灵思公司
IPC分类号： G01R31/3167
CPC分类号： G01R31/2851 , G01R31/2837 , G01R31/2843 , G01R31/3167
摘要： 在示例性的实施例中，一种集成电路(IC)(102)，包括：多个晶体管(122)，其被设置在所述IC的裸片上的多个位置(120)中；导体(124)，其被耦接至所述多个晶体管中的每一个的端子；数模转换器(DAC)(108)，其被耦接至所述导体，从而响应于数字输入以用电压信号驱动所述多个晶体管；以及模数转换器(ADC)(110)，其被耦接至所述导体的至少一部分，从而响应于在所述多个晶体管中的响应于所述电压信号而感应的电流信号以生成采样，所述采样指示用于所述多个晶体管的至少一个静电特性。
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公开(公告)号：CN108028253B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201680039990.7
申请日：2016-06-03
申请人： 赛灵思公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L23/522 , H01L49/02
摘要： 集成电路结构(100)包括：半导体衬底(102)；在半导体衬底(102)中的浅沟槽隔离(STI)区域(106)；形成在所述半导体衬底(102)上的一个或多个有源器件；以及电阻器阵列(138)，其具有设置在所述STI区域(106)上方的多个电阻器；其中所述电阻器阵列(138)包括用于互连到所述一个或多个有源器件的一个或多个互连接触层(126,136)的一部分。
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公开(公告)号：CN108028253A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680039990.7
申请日：2016-06-03
申请人： 赛灵思公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L23/522 , H01L49/02
CPC分类号： H01L27/0738 , H01L21/283 , H01L21/76 , H01L23/5228 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L28/24
摘要： 集成电路结构(100)包括：半导体衬底(102)；在半导体衬底(102)中的浅沟槽隔离(STI)区域(106)；形成在所述半导体衬底(102)上的一个或多个有源器件；以及电阻器阵列(138)，其具有设置在所述STI区域(106)上方的多个电阻器；其中所述电阻器阵列(138)包括用于互连到所述一个或多个有源器件的一个或多个互连接触层(126,136)的一部分。
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