一种太阳电池片展示装置

    公开(公告)号:CN110464173A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910880121.2

    申请日:2019-09-18

    摘要: 本发明公开了一种太阳电池片展示装置,包括底板,所述底板中开设有放置槽,所述放置槽中固定设置有驱动电机,所述驱动电机输出轴伸出放置槽并固定连接有支撑板,所述顶板两侧分别固定设置有第一电动推杆和第二电动推杆,所述第一电动推杆和第二电动推杆共同固定连接有空心支板,所述空心支板中开设有存放槽。本发明通过将太阳电池片与空心支板平行,并将吸盘吸附在太阳电池片上,进而对太阳电池片起到了固定的效果,并且控制第一电动推杆和第二电动推杆,带动空心支板在竖直方向的位置发生改变,形成倾斜角度,使得整个装置适用于不同大小太阳电池片的展示。

    一种太阳电池片展示装置

    公开(公告)号:CN210748439U

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201921550501.1

    申请日:2019-09-18

    摘要: 本实用新型公开了一种太阳电池片展示装置,包括底板,所述底板中开设有放置槽,所述放置槽中固定设置有驱动电机,所述驱动电机输出轴伸出放置槽并固定连接有支撑板,所述顶板两侧分别固定设置有第一电动推杆和第二电动推杆,所述第一电动推杆和第二电动推杆共同固定连接有空心支板,所述空心支板中开设有存放槽。本实用新型通过将太阳电池片与空心支板平行,并将吸盘吸附在太阳电池片上,进而对太阳电池片起到了固定的效果,并且控制第一电动推杆和第二电动推杆,带动空心支板在竖直方向的位置发生改变,形成倾斜角度,使得整个装置适用于不同大小太阳电池片的展示。

    一种PERC电池片的制作工艺
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114256383A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111523069.9

    申请日:2021-12-13

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/068

    摘要: 本申请实施例提供一种PERC电池片的制作工艺,涉及光伏产品制备技术领域。PERC电池片的制作工艺,其包括对P型硅片依次进行的:制绒、扩散、SE激光掺杂、热氧化、抛光、退火、背面镀膜、正面镀膜、激光开槽、丝网印刷和烧结;在热氧化时,先通入携带磷源的氮气和氧气进行热处理,再通入氮气和氧气进行氧化;在SE激光掺杂和激光开槽时,控制激光处理产生的光斑间隔设置,且相邻光斑的间距为15μm~30μm。本申请实施例的PERC电池片的制作工艺尤其适用于薄片电池的制作,保证薄片电池的转换效率,同时减少碎片不良的比例。

    PERC电池及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113594033A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110865522.8

    申请日:2021-07-29

    摘要: 本申请提供了一种PERC电池及其制备方法,涉及太阳能电池的制备技术领域。该制备方法的背面镀膜或/和正面镀膜的工艺均包括通过化学气相沉积的方式进行多层镀膜步骤。其中,多层镀膜步骤包括:先以第一镀膜功率为功率值进行第一层镀膜步骤,然后以第二镀膜功率为功率值进行第二层镀膜步骤。进行多层镀膜步骤中,当将第一镀膜功率切换成第二镀膜功率的时候,功率逐渐变化,以使功率切换的持续时间至少为30s。在切换镀膜功率的时候,功率逐渐变化,使各层镀层之间的界面处更加均匀,提升了电池片的转化效率;且制备不同的膜层时,使设备的电压电流逐渐变化,改善射频不稳定产生报警现象。

    PERC太阳能电池选择性发射极、PERC太阳能电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN112563347A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011573167.9

    申请日:2020-12-25

    摘要: 一种PERC太阳能电池选择性发射极、PERC太阳能电池及其制作方法,属于太阳能电池领域。选择性发射极包括硅片以及第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域和激光重掺杂区域,激光重掺杂区域包括多个掺杂层,每个掺杂层包括多段间隔设置的掺杂区,第一轻掺杂区域位于每个掺杂层的掺杂区之间,每个第二轻掺杂区域位于相邻设置的两个掺杂层之间。PERC太阳能电池包括选择性发射极、在正面钝化层表面的正面减反层以及正电极。正电极包括在激光重掺杂区域表面的第一银浆层以及在正面减反层的对应第一轻掺杂区域的表面的第二银浆层,第二银浆层与第一银浆层电性接触。其能够减少激光对硅片的损伤,减少银浆区域复合,提升开压,并提升电池效率。

    一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺

    公开(公告)号:CN110828584A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911115821.9

    申请日:2019-11-14

    发明人: 王璞 谢毅 张鹏 眭山

    摘要: 本发明公开了一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺,涉及太阳电池技术领域,本发明包括p型硅衬底,p型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、氧化铝钝化层和背面氮化硅减反层,p型硅衬底底部嵌设有若干条硼源掺杂层,硼源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、氧化铝钝化层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层,制备时,在背面氮化硅减反层下表面利用激光开出若干局部槽,局部槽均开至p型硅衬底底部,开槽区域印刷硼源浆料形成高低结结构,提高了双面太阳电池的背面电池的开路电压,开槽硼源浆重掺杂区域与金属电极接触形成欧姆接触,降低串联电阻提高填充因子,在不降低正面效率的情况下,提高电池双面率。