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公开(公告)号：CN116695089A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310994198.9
申请日：2023-08-09
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜装置和方法，涉及长晶设备制造技术领域。装置包括真空腔体、真空抽气系统、石墨加热器和石墨桶；真空抽气系统连通到真空腔体上，真空抽气系统用于控制真空腔体内的真空度，石墨加热器安装在真空腔体的内部，石墨桶设置在石墨加热器的内部，石墨桶内的底部用于盛装钽颗粒，石墨桶内的顶部用于放置中继环；石墨加热器用于对石墨桶加热，使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。装置和方法能够提高镀膜效率，而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。
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公开(公告)号：CN117187961B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311228737.4
申请日：2023-09-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种气动补料长晶设备和方法，涉及长晶设备技术领域。气动补料长晶设备包括单向阀、送粉器、第一气体支路、第二气体支路和旁通支路；单向阀安装在坩埚的底部，送粉器通过管路连接到单向阀、且与坩埚的内部连通，第一气体支路和第二气体支路均连接到送粉器、用于分别向送粉器中通入氩气和氮气，送粉器中用于装入硅粉，送粉器中的硅粉在氩气或氮气的冲力作用下补入到坩埚内，第一气体支路和第二气体支路输入的气体可通过旁通支路越过送粉器进入坩埚；该设备和方法能够在长晶过程中向坩埚内补入硅粉，改善坩埚内碳与硅的浓度比，提高长晶的良率，还能够使碳化硅粉末原料利用率提高，减少原料浪费。
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公开(公告)号：CN116240624B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310280003.4
申请日：2023-03-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种等离子辅助晶体生长装置和方法，涉及长晶设备技术领域。等离子辅助晶体生长装置包括坩埚、等离子发生器、导电棒和电极环；坩埚内的底部用于装载碳化硅粉末，坩埚内的顶部为长晶区，碳化硅粉末与长晶区之间为升华区；等离子发生器设置在坩埚的外部，导电棒贯穿坩埚的侧壁，电极环设置在升华区内，导电棒的一端与等离子发生器连接，导电棒的另一端与电极环连接；电极环用于在等离子发生器的供能的情况下，将升华区内的碳化硅分子电离成碳化硅气相等离子，并升华至长晶区生长成碳化硅籽晶，可以使碳化硅籽晶维持良好的晶格排列，明显降低晶体的内应力，减少晶体缺陷，甚至可以形成超晶格晶体。
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公开(公告)号：CN116555920A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310767051.6
申请日：2023-06-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅籽晶粘接方法，涉及长晶工艺技术领域。碳化硅籽晶粘接方法包括：S1：提供碳化硅籽晶和坩埚盖；S2：对碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面进行等离子轰击蚀刻，以提高第一粘接面和第二粘接面对液体胶的附着性；S3：在碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面上分别喷涂液体胶，并将第一粘接面与第二粘接面通过液体胶粘接，形成粘接层。碳化硅籽晶粘接方法能够提高碳化硅籽晶与坩埚盖之间粘接的牢靠性，使二者紧密连接，减少气泡产生的几率。
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公开(公告)号：CN116555920B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310767051.6
申请日：2023-06-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅籽晶粘接方法，涉及长晶工艺技术领域。碳化硅籽晶粘接方法包括：S1：提供碳化硅籽晶和坩埚盖；S2：对碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面进行等离子轰击蚀刻，以提高第一粘接面和第二粘接面对液体胶的附着性；S3：在碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面上分别喷涂液体胶，并将第一粘接面与第二粘接面通过液体胶粘接，形成粘接层。碳化硅籽晶粘接方法能够提高碳化硅籽晶与坩埚盖之间粘接的牢靠性，使二者紧密连接，减少气泡产生的几率。
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公开(公告)号：CN116453925A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310713225.0
申请日：2023-06-16
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/147 , H01J37/32 , B24B1/00
摘要： 本发明提供一种磁控增强等离子抛光装置，涉及抛光设备技术领域。磁控增强等离子抛光装置包括真空腔体、进气管、导电管、喷头、载台和外部电源；真空腔体的顶壁上设置有进气管，进气管用于向真空腔体内通入刻蚀气体，真空腔体的底壁上设置有导电管；喷头设置在真空腔体内、且与进气管连通；载台设置在真空腔体内，载台上用于承载待抛光的基材，载台内设置有磁体；载台与导电管连接，导电管和喷头用于连接外部电源，载台与喷头之间形成具有电场的电离区，喷头喷出的刻蚀气体在电离区形成等离子；等离子在电离区内受到方向不同的磁力与电磁力。磁控增强等离子抛光装置能够高效、高质量、低成本地对基材进行抛光。
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公开(公告)号：CN116254597A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310283140.3
申请日：2023-03-22
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种等离子掺杂碳化硅长晶炉，涉及碳化硅长晶技术领域。等离子掺杂碳化硅长晶炉包括真空腔体、石墨坩埚、电离腔体和多个进气支路，其中，石墨坩埚设置在真空腔体内，石墨坩埚内装载有碳化硅粉末；电离腔体通过进气管连通到真空腔体；每个进气支路上按照气流流向设置有第一控制阀和质量流量控制器，其中，两个进气支路用于分别通入所需流量的含碳气体和含硅气体，电离腔体用于从含碳气体中电离出碳离子、从含硅气体中电离出硅离子，并输入真空腔体中、再扩散进入石墨坩埚中。这样，在等离子掺杂碳化硅长晶炉进行长晶的过程中精准控制碳与硅的浓度比，确保长晶品质的一致性，提高长晶的良率。
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公开(公告)号：CN116695089B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310994198.9
申请日：2023-08-09
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜装置和方法，涉及长晶设备制造技术领域。装置包括真空腔体、真空抽气系统、石墨加热器和石墨桶；真空抽气系统连通到真空腔体上，真空抽气系统用于控制真空腔体内的真空度，石墨加热器安装在真空腔体的内部，石墨桶设置在石墨加热器的内部，石墨桶内的底部用于盛装钽颗粒，石墨桶内的顶部用于放置中继环；石墨加热器用于对石墨桶加热，使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。装置和方法能够提高镀膜效率，而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。
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公开(公告)号：CN116891998A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202311160747.9
申请日：2023-09-11
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜设备和方法，涉及长晶设备制造技术领域。设备包括镀膜坩埚、蒸发源坩埚和石墨加热器，镀膜坩埚包括石墨桶和坩埚盖，坩埚盖盖设在石墨桶上，坩埚盖上开设有多个安装通孔，一个安装通孔内用于放置一个待镀膜的中继环；蒸发源坩埚设置在石墨桶内、且放置在底部，蒸发源坩埚用于盛装钽颗粒；石墨加热器设置在镀膜坩埚的外围，石墨加热器用于对镀膜坩埚以及蒸发源坩埚内的钽颗粒进行加热，使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。该设备和方法能够提高镀膜效率，而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。
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公开(公告)号：CN116446038A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310280019.5
申请日：2023-03-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种带径向温度测量的长晶炉，涉及长晶炉技术领域。带径向温度测量的外腔体顶部设置有第一视窗；内腔体设置在外腔体的内部，内腔体的顶部设置有第二视窗；坩埚设置在内腔体的内部；顶部加热器安装在内腔体的内部、且位于坩埚的上方，顶部加热器上具有镂空区域；径向驱动机构设置在外腔体的外部，红外测温仪安装在径向驱动机构上，径向驱动机构用于驱动红外测温仪沿坩埚的径向移动；其中，红外测温仪发出的红外线依次穿过第一视窗、第二视窗和镂空区域，照射到坩埚的顶面。带径向温度测量的长晶炉能够测得坩埚顶面全面积的温度分布情况，以便于精准控制顶部加热器对坩埚的加热效率。
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