公开(公告)号：CN103515479A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310235122.4

申请日：2013-06-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 曹金波 ,  B.A.科雷瓦尔

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0296 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 呈现用于处理半导体组件的方法。该方法包括在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件。该半导体组件包括设置在支撑物上的半导体层，并且该半导体层包括镉和硫。

公开(公告)号：CN104115289B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280070113.8

申请日：2012-12-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.曹 ,  J.C.罗霍 ,  G.T.达拉科斯 ,  A.亚基莫夫 ,  D.钟 ,  B.A.科雷瓦尔 ,  S.D.费尔德曼-皮博迪

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供制造半导体组件的方法。该制造方法包括：热处理第一半导体组件，其包括设置在第一支承上的第一半导体层；和热处理第二半导体组件，其包括设置在第二支承上的第二半导体层。第一和第二半导体组件同时被热处理，并且布置第一和第二半导体组件使得第一半导体层在热处理期间面向第二半导体层。

公开(公告)号：CN102842647A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210206637.7

申请日：2012-06-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.N.约翰逊 ,  B.A.科雷瓦尔 ,  赵宇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296

CPC classification number: C23C14/0629 ,  C23C14/548 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1291 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制造光伏器件的方法和光伏器件。本发明的一个方面包括制造光伏器件的方法。该方法包括在窗口层上设置吸收体层，其中该吸收体层包括第一区域和第二区域。该方法包括在包括处于第一分压的氧的第一环境中邻近该窗口层设置该第一区域，并且在包括处于第二分压的氧的第二环境中在该第一区域上设置该第二区域，其中该第一分压大于该第二分压。本发明的一个方面包括光伏器件。

公开(公告)号：CN102842647B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210206637.7

申请日：2012-06-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.N.约翰逊 ,  B.A.科雷瓦尔 ,  赵宇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296

CPC classification number: C23C14/0629 ,  C23C14/548 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1291 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制造光伏器件的方法和光伏器件。本发明的一个方面包括制造光伏器件的方法。该方法包括在窗口层上设置吸收体层，其中该吸收体层包括第一区域和第二区域。该方法包括在包括处于第一分压的氧的第一环境中邻近该窗口层设置该第一区域，并且在包括处于第二分压的氧的第二环境中在该第一区域上设置该第二区域，其中该第一分压大于该第二分压。本发明的一个方面包括光伏器件。

公开(公告)号：CN104115289A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280070113.8

申请日：2012-12-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.曹 ,  J.C.罗霍 ,  G.T.达拉科斯 ,  A.亚基莫夫 ,  D.钟 ,  B.A.科雷瓦尔 ,  S.D.费尔德曼-皮博迪

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供制造半导体组件的方法。该制造方法包括：热处理第一半导体组件，其包括设置在第一支承上的第一半导体层；和热处理第二半导体组件，其包括设置在第二支承上的第二半导体层。第一和第二半导体组件同时被热处理，并且布置第一和第二半导体组件使得第一半导体层在热处理期间面向第二半导体层。

公开(公告)号：CN102832262A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210195747.8

申请日：2012-06-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B.A.科雷瓦尔

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 提供了光伏装置(10)。所述光伏装置(10)包括含有硫属化物材料的吸收层(20)。所述光伏装置(10)进一步包括背接触(40)和放置在吸收层(20)与背接触(40)之间的反射增强层(30)。