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公开(公告)号：CN102456527A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110354679.0
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括磁场段(100)、上游段(110)和下游段(118)。该磁场段(100)具有第一磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该上游段(110)耦合于该阴极部(56)和该磁场段(100)并且具有第二磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该下游段(118)耦合于该磁场段(100)并且具有第三磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。产生涡流的该第一磁化率小于产生涡流的该第二和第三磁化率。该组件(14)包括该靶部(60)内的靶(58)，和该阴极部(56)内的阴极(54)。
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公开(公告)号：CN102592926A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210021125.3
申请日：2012-01-09
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , Y10T29/4902
摘要： 本发明涉及具有高速射束操纵电磁体的X射线管。本实施例涉及X射线管(例如在CT成像中使用的X射线管)内的高效电子束操纵。在一个实施例中，提供具有提高的电子束操纵的X射线管。该X射线管包括电子束源、配置成当受到来自该电子束源的电子束撞击时产生X射线的靶，以及操纵磁体组件，该操纵磁体组件具有多个铁氧体芯和多个缠绕在这些铁氧体芯上的绞合线线圈。
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公开(公告)号：CN102592928B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210011896.4
申请日：2012-01-06
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/16 , H01J35/14 , H01J2235/166
摘要： 本发明名称为“具有二次放电衰减的X射线管”。本发明的实施例涉及X射线管(例如，CT成像中使用的X射线管)内的偏离焦点的X射线辐射衰减。在一个实施例中，提供一种用于偏离焦点的X射线辐射衰减的X射线管。该X射线管包括阴极、靶和磁焦斑控制单元，该磁焦斑控制单元具有装入在以X射线衰减材料填充的树脂中的至少一个电磁体。
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公开(公告)号：CN102592926B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210021125.3
申请日：2012-01-09
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , Y10T29/4902
摘要： 本发明涉及具有高速射束操纵电磁体的X射线管。本实施例涉及X射线管(例如在CT成像中使用的X射线管)内的高效电子束操纵。在一个实施例中，提供具有提高的电子束操纵的X射线管。该X射线管包括电子束源、配置成当受到来自该电子束源的电子束撞击时产生X射线的靶，以及操纵磁体组件，该操纵磁体组件具有多个铁氧体芯和多个缠绕在这些铁氧体芯上的绞合线线圈。
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公开(公告)号：CN102568988B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110355918.4
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括金属波纹管(96)。该喉道部(84)的上游端(122)耦合于该阴极部(56)并且该喉道部(84)的下游端(124)耦合于该靶部(60)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102568988A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110355918.4
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括金属波纹管(96)。该喉道部(84)的上游端(122)耦合于该阴极部(56)并且该喉道部(84)的下游端(124)耦合于该靶部(60)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456528A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110355919.9
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)包括不导电管(98)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(108)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102543634B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110354650.2
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)具有在其中形成以中断在该喉道部(84)中产生的涡流的多个凹陷(102)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(110)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456528B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110355919.9
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)包括不导电管(98)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(108)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456527B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110354679.0
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括磁场段(100)、上游段(110)和下游段(118)。该磁场段(100)具有第一磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该上游段(110)耦合于该阴极部(56)和该磁场段(100)并且具有第二磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该下游段(118)耦合于该磁场段(100)并且具有第三磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。产生涡流的该第一磁化率小于产生涡流的该第二和第三磁化率。该组件(14)包括该靶部(60)内的靶(58)，和该阴极部(56)内的阴极(54)。
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