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公开(公告)号：CN102456527A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110354679.0
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括磁场段(100)、上游段(110)和下游段(118)。该磁场段(100)具有第一磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该上游段(110)耦合于该阴极部(56)和该磁场段(100)并且具有第二磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该下游段(118)耦合于该磁场段(100)并且具有第三磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。产生涡流的该第一磁化率小于产生涡流的该第二和第三磁化率。该组件(14)包括该靶部(60)内的靶(58)，和该阴极部(56)内的阴极(54)。
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公开(公告)号：CN102543634B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110354650.2
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)具有在其中形成以中断在该喉道部(84)中产生的涡流的多个凹陷(102)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(110)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456528B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110355919.9
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)包括不导电管(98)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(108)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456527B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110354679.0
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括磁场段(100)、上游段(110)和下游段(118)。该磁场段(100)具有第一磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该上游段(110)耦合于该阴极部(56)和该磁场段(100)并且具有第二磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该下游段(118)耦合于该磁场段(100)并且具有第三磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。产生涡流的该第一磁化率小于产生涡流的该第二和第三磁化率。该组件(14)包括该靶部(60)内的靶(58)，和该阴极部(56)内的阴极(54)。
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公开(公告)号：CN102543634A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110354650.2
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)具有在其中形成以中断在该喉道部(84)中产生的涡流的多个凹陷(102)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(110)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102548174B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110309624.8
申请日：2011-09-30
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/045 , A61B6/032 , A61B6/405
摘要： 本发明涉及用于操作电子束系统的方法和系统。呈现用于操作电子束系统的方法。此外，还描述实现该呈现的方法的电子束系统、X射线管(300)和CT系统。该方法包括在成像系统中的X射线管(300)中产生电子束。另外，识别对应于该成像系统的特定视图的电流配置。如果该识别的电流配置在确定的范围内，使用脉冲宽度调制来调制对于该成像系统的特定视图的电子束的占空因数。此外，该调制的电子束朝靶聚焦。
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公开(公告)号：CN102568988B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110355918.4
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括金属波纹管(96)。该喉道部(84)的上游端(122)耦合于该阴极部(56)并且该喉道部(84)的下游端(124)耦合于该靶部(60)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102568988A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110355918.4
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括金属波纹管(96)。该喉道部(84)的上游端(122)耦合于该阴极部(56)并且该喉道部(84)的下游端(124)耦合于该靶部(60)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102548174A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110309624.8
申请日：2011-09-30
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/045 , A61B6/032 , A61B6/405
摘要： 本发明涉及用于操作电子束系统的方法和系统。呈现用于操作电子束系统的方法。此外，还描述实现该呈现的方法的电子束系统、X射线管(300)和CT系统。该方法包括在成像系统中的X射线管(300)中产生电子束。另外，识别对应于该成像系统的特定视图的电流配置。如果该识别的电流配置在确定的范围内，使用脉冲宽度调制来调制对于该成像系统的特定视图的电子束的占空因数。此外，该调制的电子束朝靶聚焦。
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公开(公告)号：CN102456528A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110355919.9
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)包括不导电管(98)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(108)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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