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公开(公告)号：CN102456527A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110354679.0
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括磁场段(100)、上游段(110)和下游段(118)。该磁场段(100)具有第一磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该上游段(110)耦合于该阴极部(56)和该磁场段(100)并且具有第二磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该下游段(118)耦合于该磁场段(100)并且具有第三磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。产生涡流的该第一磁化率小于产生涡流的该第二和第三磁化率。该组件(14)包括该靶部(60)内的靶(58)，和该阴极部(56)内的阴极(54)。
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公开(公告)号：CN102568988B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110355918.4
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括金属波纹管(96)。该喉道部(84)的上游端(122)耦合于该阴极部(56)并且该喉道部(84)的下游端(124)耦合于该靶部(60)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102568988A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110355918.4
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括金属波纹管(96)。该喉道部(84)的上游端(122)耦合于该阴极部(56)并且该喉道部(84)的下游端(124)耦合于该靶部(60)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456528A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110355919.9
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)包括不导电管(98)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(108)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102543634B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110354650.2
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)具有在其中形成以中断在该喉道部(84)中产生的涡流的多个凹陷(102)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(110)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456528B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110355919.9
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其具有阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)包括不导电管(98)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(108)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的该靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的该阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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公开(公告)号：CN102456527B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110354679.0
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)。该喉道部(84)包括磁场段(100)、上游段(110)和下游段(118)。该磁场段(100)具有第一磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该上游段(110)耦合于该阴极部(56)和该磁场段(100)并且具有第二磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。该下游段(118)耦合于该磁场段(100)并且具有第三磁化率以在磁场强度存在下产生涡流。产生涡流的该第一磁化率小于产生涡流的该第二和第三磁化率。该组件(14)包括该靶部(60)内的靶(58)，和该阴极部(56)内的阴极(54)。
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公开(公告)号：CN102543634A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110354650.2
申请日：2011-10-26
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J2235/1216 , H01J2235/16
摘要： 本发明涉及用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法。x射线管组件(14)包括真空罩(52)，其包括阴极部(56)、靶部(60)和喉道部(84)，该喉道部(84)具有在其中形成以中断在该喉道部(84)中产生的涡流的多个凹陷(102)。该喉道部(84)具有耦合于该阴极部(56)的上游端(110)和耦合于该靶部(60)的下游端(112)。该x射线管组件(14)还包括安置在该真空罩(52)的靶部(60)内的靶(58)，和安置在该真空罩(52)的阴极部(56)内的阴极(54)。该阴极(54)配置成通过该喉道部(84)朝该靶(58)发射电子流(68)。
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