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公开(公告)号：CN102544153A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110462318.8
申请日：2011-11-30
申请人： 通用电气公司
发明人： O·萨利马 , L·察卡拉科斯 , 魏庆雨 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , A·F·哈弗森
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/055 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/055 , H01L31/046 , H01L31/056 , H01L31/073 , Y02E10/52 , Y02E10/543
摘要： 本发明涉及光伏器件及其制造方法。提供例如太阳能电池或模块等物品(10)。在一个实施例中，该物品(10)包括光伏活性区(20)和光伏无活性区(30)。填充物材料(40)设置在该无活性区(30)中；该填充物材料(40)包括配置成使入射到该填充物材料(40)上的光的至少50％散射的反射材料。另一个实施例是包括光伏活性区(20)和光伏无活性区(30)的物品(10)。填充物材料(40)设置在该无活性区(30)中；该填充物材料(40)包括波长转换材料。本文描述了其他实施例，其中上面描述的并且设置在该无活性区(30)中的填充物材料(40)包括反射材料和波长转换材料。
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公开(公告)号：CN102141310A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110037287.1
申请日：2011-02-01
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： F24S70/10 , F24S20/20 , F24S40/10 , F24S40/40 , F24S70/20 , F24S70/30 , F24S2080/01 , Y02E10/41 , Y02E10/46 , Y10T428/24521 , Y10T428/24545
摘要： 本发明涉及一种高效率太阳热接收器。根据本公开，提供了一种接收器面板(30)，其包括多个导热纳米结构(34)。导热纳米结构(34)可提供于支承该多个导热纳米结构(34)的衬底(32)上。在一个实施例中，导热纳米结构(34)可相对于衬底(32)的表面基本正交。
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公开(公告)号：CN101183688A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710192960.2
申请日：2007-11-15
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/20 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C23C18/00 , C25D1/006 , C25D7/126 , H01L31/0687 , H01L51/4266 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 一种包括多个设置在衬底表面上的细长纳米结构和共形沉积在细长纳米结构上的多层膜以形成多个光敏结的光伏器件。一种制造这种光伏器件的方法包括在衬底表面上生成多个细长纳米结构和共形沉积多层膜来形成多个光敏结。该多个光敏结设计用来捕捉不同波长的光。一种太阳能面板包括至少一个光伏器件。
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公开(公告)号：CN101221992B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200810002975.2
申请日：2008-01-11
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/078 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/76 , Y10S977/948 , Y10S977/954
摘要： 一种光生伏打器件，包括具有至少两个表面的基片和设置在基片的至少一个表面的至少一部分上的多层膜。伸长型纳米结构设置在该多层膜上。该器件结合该多层膜的与伸长型纳米结构接触的顶层，所述顶层作为隧道结。该器件具有沉积在伸长型纳米结构上方的至少一层，所述至少一层限定感光结的一部分。太阳能电池板包括至少一个光生伏打器件。该太阳能电池板使各个上述器件与围绕它的大气环境中隔离开并使得可以产生电力。
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公开(公告)号：CN101183689A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710194457.0
申请日：2007-11-15
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074 , Y02E10/50
摘要： 在某些实施例中，本发明提供成分分级混合式纳米结构基光电器件，包括加长半导体纳米结构以及非晶半导体单层，该非晶半导体单层在其厚度上具有从基本上本征到基本上导电连续分级的掺杂浓度。在其他实施例中，本发明提供制造这种光电器件的方法，还提供采用这种器件的应用(例如，太阳能电池模块)。
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公开(公告)号：CN101958347B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201010236517.2
申请日：2010-07-15
申请人： 通用电气公司
发明人： L·察卡拉科斯 , E·G·巴特菲尔德 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , B·A·科尔瓦尔
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： G02B1/118 , B82Y20/00 , G02B1/02 , G02B1/11 , G02F1/3501 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , H01L31/02161 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/055 , H01L33/46 , Y02E10/52 , Y10S977/834
摘要： 在本发明的一方面，描述一种包括设置在衬底上的纳米结构功能涂层的物品。该功能涂层的特征在于抗反射性质和向下转换性质。还描述相关的光电器件。
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公开(公告)号：CN102136516A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010625163.0
申请日：2010-12-23
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/1828 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , Y02E10/543
摘要： 公开了一种光伏(PV)电池(200)。该PV电池包括多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入该多晶光活性吸收层(204)内，其中该多晶光活性吸收层(204)包括p型化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101958347A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010236517.2
申请日：2010-07-15
申请人： 通用电气公司
发明人： L·察卡拉科斯 , E·G·巴特菲尔德 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , B·A·科尔瓦尔
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/052
CPC分类号： G02B1/118 , B82Y20/00 , G02B1/02 , G02B1/11 , G02F1/3501 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , H01L31/02161 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/055 , H01L33/46 , Y02E10/52 , Y10S977/834
摘要： 在本发明的一方面，描述一种包括设置在衬底上的纳米结构功能涂层的物品。该功能涂层的特征在于抗反射性质和向下转换性质。还描述相关的光电器件。
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公开(公告)号：CN101221992A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810002975.2
申请日：2008-01-11
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/078 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/76 , Y10S977/948 , Y10S977/954
摘要： 一种光生伏打器件，包括具有至少两个表面的基片和设置在基片的至少一个表面的至少一部分上的多层膜。伸长型纳米结构设置在该多层膜上。该器件结合该多层膜的与伸长型纳米结构接触的顶层，所述顶层作为隧道结。该器件具有沉积在伸长型纳米结构上方的至少一层，所述至少一层限定感光结的一部分。太阳能电池板包括至少一个光生伏打器件。该太阳能电池板使各个上述器件与围绕它的大气环境中隔离开并使得可以产生电力。
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公开(公告)号：CN101183689B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200710194457.0
申请日：2007-11-15
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074 , Y02E10/50
摘要： 在某些实施例中，本发明提供成分分级混合式纳米结构基光电器件，包括加长半导体纳米结构以及非晶半导体单层，该非晶半导体单层在其厚度上具有从基本上本征到基本上导电连续分级的掺杂浓度。在其他实施例中，本发明提供制造这种光电器件的方法，还提供采用这种器件的应用(例如，太阳能电池模块)。
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